具有编程操作控制的半导体设备制造技术

本公开涉及一种具有编程操作控制的半导体设备。一种半导体设备包括存储器单元阵列和控制电路。控制电路被配置为对存储器单元阵列内的目标单元执行编程操作，编程操作包括多个循环。控制电路可以被配置为在多个循环当中的其中施加具有第一电平的通过电压的循环中向位线施加具有预定电平的位线电压，并且被配置为在多个循环当中的其中施加具有比第一电平高的第二电平的通过电压的循环中向位线施加具有比预定电平高的电平的位线电压。具有比预定电平高的电平的位线电压。具有比预定电平高的电平的位线电压。

【技术实现步骤摘要】
具有编程操作控制的半导体设备


[0001]各种实施方式总体上涉及半导体电路，更具体地，涉及能够控制编程操作的半导体设备。

技术介绍

[0002]半导体设备(例如，存储器装置)可以分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置即使在电源中断时也可以保持其内所存储的数据。因此，因为数据保持与电源无关，所以非易失性存储器装置被广泛用于各种便携式电子装置中。
[0003]根据其内存储数据的方案，非易失性存储器可以分类为只读存储器(ROM)、掩模ROM、可编程ROM(PROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、电可编程ROM(EPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。
[0004]与易失性存储器不同，闪存不需要周期性地重新存储其内所存储的数据的刷新功能，因此导致对闪存的需求增加。闪存能够电编程和擦除数据。作为编程操作的方案之一，可以利用双重验证编程操作(DPGM)以使用两(2)个验证电压电平执行验证操作。
[0005]在编程操作的早期阶段可以存在大量要编程的目标单元(即，存储器单元)，但在编程操作的后期不要编程的存储器单元可能增加，这导致编程操作的特性劣化。因此，需要用于防止或减轻编程操作的特性劣化的技术。

技术实现思路

[0006]在实施方式中，一种半导体设备可以包括存储器单元阵列和控制电路。控制电路可以被配置为对存储器单元阵列内的目标单元执行编程操作，编程操作包括多个循环。控制电路可以被配置为在多个循环当中的其中施加具有第一电平的通过电压的循环中向位线施加具有预定电平的位线电压，并且被配置为在多个循环当中的其中施加具有比第一电平高的第二电平的通过电压的循环中向位线施加具有比预定电平高的电平的位线电压。
[0007]在实施方式中，一种半导体设备可以包括存储器单元阵列和控制电路。控制电路可以被配置为对存储器单元阵列内的目标单元执行编程操作，该编程操作包括多个循环。控制电路可以被配置为在编程操作期间执行第一编程控制操作和第二编程控制操作中的至少一个。控制电路可以被配置为通过在多个循环当中的其中施加具有第一电平的通过电压的循环中向位线施加具有第一预定电平的位线电压，并且通过在多个循环当中的其中施加具有高于第一电平的第二电平的通过电压的循环中向位线施加具有比第一预定电平高的电平的位线电压，来执行第一编程控制操作。控制电路可以被配置为通过在多个循环当中的作为验证操作的结果出现通过确定之前的循环中向位线施加具有比第二预定电平低的电平的位线电压，并且通过在多个循环当中的作为验证操作的结果出现通过确定的循环以及后续循环中向位线施加具有第二预定电平的位线电压，来执行第二编程控制操作。
[0008]在实施方式中，一种半导体设备可以包括存储器单元阵列和控制电路。控制电路可以被配置为对存储器单元阵列内的目标单元执行编程操作，该编程操作包括多个循环。
控制电路可以被配置为在编程操作期间执行第一编程控制操作、第二编程控制操作和第三编程控制操作中的至少一个。控制电路可以被配置为通过在多个循环当中的其中施加具有第一电平的通过电压的循环中向位线施加具有第一预定电平的位线电压，并且通过在多个循环当中的其中施加具有比第一电平高的第二电平的通过电压的循环中向位线施加具有比第一预定电平高的电平的位线电压，来执行第一编程控制操作。控制电路可以被配置为通过在多个循环当中的出现通过确定之前的循环中向位线施加具有比第二预定电平低的电平的位线电压，并且通过在多个循环当中的出现通过确定的循环以及后续循环中向位线施加具有第二预定电平的位线电压，来执行第二编程控制操作。控制电路可以被配置为通过改变用于第一验证操作的第一评估时间量和用于第二验证操作的第二评估时间量中的至少一个来执行第三编程控制操作，第一验证操作和第二验证操作包括于多个循环中执行的双重验证操作中。
附图说明
[0009]图1是例示了包括根据实施方式的存储器装置的存储器系统的配置的图。
[0010]图2是例示了图1所示的半导体存储器装置的配置的图。
[0011]图3是例示了作为图2所示的存储块之一的存储块的配置的图。
[0012]图4是例示了图2所示的页缓冲器的配置的图。
[0013]图5是例示了图2所示的位线电压控制电路的配置的图。
[0014]图6是例示了根据实施方式的编程操作的图。
[0015]图7是例示了根据实施方式的第一编程控制操作的图。
[0016]图8是例示了根据实施方式的第二编程控制操作的图。
[0017]图9和图10是例示了根据实施方式的第三编程控制操作的图。
具体实施方式
[0018]根据实施方式，可以提供能够控制编程操作以防止或减轻编程操作的特性劣化的半导体设备。
[0019]在下文中，将参照附图在下面描述本公开的实施方式。
[0020]图1是例示了包括根据实施方式的存储器装置的存储器系统1000的配置的图。
[0021]参照图1，存储器系统1000可以包括存储器装置1100、控制器1200和主机1300。存储器装置1100可以包括多个半导体设备，例如，多个半导体存储器装置100。多个半导体存储器装置100可以划分为多个组GR1至GRn。多个组GR1至GRn可以分别通过第一通道CH1至第n通道CHn与控制器1200通信。虽然图1例示了主机1300包括于存储器系统1000内，但是存储器系统1000可以仅包括控制器1200和存储器装置1100，而主机1300可以设置在存储器系统1000外部。
[0022]通过多个通道CHl至CHn，控制器1200可以被配置为控制存储器装置1100的多个半导体设备，例如，半导体存储器装置100。控制器1200可以联接在主机1300和存储器装置1100之间。控制器1200可以被配置为响应于来自主机1300的请求而访问存储器装置1100。例如，响应于来自主机1300的主机命令Host_CMD，控制器1200可以被配置为控制存储器装置1100的读取操作、编程操作、擦除操作和验证操作。在编程操作期间，主机1300可以将地
址ADD和待编程的数据DATA以及主机命令Host_CMD一起提供给控制器1200。在读取操作期间，主机1300可以将地址ADD以及主机命令Host_CMD一起提供给控制器1200。在编程操作期间，控制器1200可以将待编程的数据DATA以及与编程操作相对应的命令一起提供给存储器装置1100。在读取操作期间，控制器1200可以将与读取操作相对应的命令提供给存储器装置1100，可以接收从存储器装置1100读取的数据DATA并且可以将读取的数据DATA提供给主机1300。控制器1200可以被配置为提供存储器装置1100和主机1300之间的接口。
[0023]在实施方式中，存储器装置1100或存储器系统1000可以安装在各种类型的封装件上。例如，存储器装置1100或存储器系统1000可以通过诸如以下的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，该半导体设备包括：存储器单元阵列；以及控制电路，该控制电路对所述存储器单元阵列内的目标单元执行编程操作，所述编程操作包括多个循环，其中，所述控制电路在所述多个循环当中的其中施加具有第一电平的通过电压的循环中，向位线施加具有预定电平的位线电压，并且在所述多个循环当中的其中施加具有比所述第一电平高的第二电平的通过电压的循环中，向所述位线施加具有比所述预定电平高的电平的位线电压。2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述多个循环中的每一个包括对所述存储器单元阵列内的所述目标单元的编程电压施加操作和验证操作，所述验证操作是通过利用多个验证电压验证所述目标单元是否被编程的操作。3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，在所述编程操作期间，所述控制电路向联接到所述目标单元的字线施加编程电压并且向联接到非目标单元的字线施加所述通过电压。4.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述编程操作是双重验证编程操作，该双重验证编程操作包括要利用两个单独的验证电压电平执行的验证操作。5.根据权利要求1所述的半导体设备，该半导体设备还包括页缓冲器，该页缓冲器通过所述位线联接到所述存储器单元阵列并且在所述控制电路的控制下调整所述位线电压的电平。6.一种半导体设备，该半导体设备包括：存储器单元阵列；以及控制电路，该控制电路对所述存储器单元阵列内的目标单元执行编程操作，该编程操作包括多个循环，其中，所述控制电路在所述编程操作期间执行第一编程控制操作和第二编程控制操作中的至少一个，其中，所述控制电路通过在所述多个循环当中的其中施加具有第一电平的通过电压的循环中向位线施加具有第一预定电平的位线电压，并且通过在所述多个循环当中的其中施加具有比所述第一电平高的第二电平的通过电压的循环中向所述位线施加具有比所述第一预定电平高的电平的位线电压，来执行所述第一编程控制操作，并且其中，所述控制电路通过在所述多个循环当中的作为验证操作的结果出现通过确定之前的循环中向所述位线施加具有比第二预定电平低的电平的位线电压，并且通过在所述多个循环当中的作为所述验证操作的结果出现所述通过确定的循环以及后续循环中向所述位线施加具有所述第二预定电平的位线电压，来执行所述第二编程控制操作。7.根据权利要求6所述的半导体设备，其中，所述多个循环中的每一个包括对所述存储器单元阵列内的所述目标单元的编程电压施加操作和验证操作，所述验证操作是通过利用多个验证电压验证所述目标单元是否被编程的操作。8.根据权利要求7所述的半导体设备，其中，在所述编程操作期间，所述控制电路向联接到所述目标单元的字线施加编程电压并且向联接到非目标单元的字线施加所述通过电压。
9.根据权利要求6所述的半导体设备，其中，所述编程操作是双重验证编程操作，该双重验证编程操作包括要利用两个单独的验证电压电平执行的验证操作。10.根据权利要求6所述的半导体设备，...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔亨进，高贵韩，郑赞熙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：