【技术实现步骤摘要】
一种高纯钌粉的制备方法
[0001]本专利技术涉及高纯贵金属催化剂
,特别涉及一种高纯钌粉的制备方法
。
技术介绍
[0002]在半导体超大规模集成电路,磁记录领域生产高纯钌粉,由于熔点高
、
硬度大,通常通过粉末冶金手段用于制作钌溅射靶材
。
钌溅射靶材作为集成电路的电容器电极膜以及计算机硬盘的种子层的镀膜原材料,在靶材纯度方面提出了极苛刻的性能要求
。0 .35
μ
m
线宽工艺,化学纯度在
99 .995%
以上,
0 .25
μ
m
线宽工艺,化学纯度必须在
99 .999%
以上,甚至
99 .9999%
以上,要求碱金属
、
过渡金属元素
、
放射性元素
、
气体元素等杂质含量非常低
。
因此,必须严格控制钌粉的杂质含量,通常要求粉末纯度大于
99.999%。
目前,高纯钌粉的制备方法较多
。
较多采用的是通过反复多次的氧化蒸馏吸收得到钌盐酸溶液,再经氯化铵沉淀
、
陈化
、
分解
、
还原得到钌粉,但该方法存在粉末纯度低等问题,不适用于高纯钌溅射靶材的生产
。
[0003]日本企业生产高纯钌粉的工艺:用熔融的氢氧化钾和硝酸钾熔盐氧化和溶解钌金属,使其转变为可溶的钌酸盐
。
用 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种高纯钌粉的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)钌溶解造液:将三氯化钌加入到去离子水中,再加入浓盐酸搅拌溶解,过滤获得钌溶液;(2)加吡啶沉钌:在钌溶液中加入吡啶及双氧水加热至
70
‑
80℃
,黄色沉淀逐渐析出,当溶液由红棕色变成淡黄色后抽干获得含钌沉淀;(3)含钌沉淀溶解造液:将含钌沉淀加入到氨水溶液中进行溶解,过滤获得钌溶液;(4)沉钌:将钌溶液加入盐酸吡啶常温搅拌过滤得含钌沉淀,并对含钌沉淀用去离子水洗涤;(5)煅烧:将含钌沉淀转移至坩埚放入马弗炉中,在空气氛围中加热至
220
‑
230℃
维持8小时,黄色粉末全部分解得棕黑色含钌粉末;(6)还原
、
洗涤:将棕黑色含钌粉末转移至坩埚放入管式炉中,在
400
‑
500℃
下通入氮氢混合气还原
10
小时得钌粉;所得钌粉分别用稀盐酸和去离子水洗涤真空干燥得到高纯钌粉
。2.
根据权利要求1所述的高纯钌粉的制备方法,其特征在于:步骤(1)中,三氯化钌
、
去离子水和浓盐酸的用量比为三氯化钌:去离子水:浓盐酸等于
100g
:
1000ml
:
【专利技术属性】
技术研发人员:任志勇,张静,刘国旗,白延利,郅欢欢,杨晓艳,李欢,孟俊杰,王一帆,朱婷,高治磊,杨俊辉,王红梅,高嵩,何忠,张宗磊,吴芳,何艳,郭晶,
申请(专利权)人:兰州金川贵金属材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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