一种高可靠性制造技术

本发明专利技术属于线路板领域，具体涉及了一种高可靠性

【技术实现步骤摘要】
一种高可靠性flip
‑
chip工艺基板


[0001]本专利技术属于线路板领域，具体涉及了一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板
。

技术介绍

[0002]随着当前芯片制造工艺的不断进步，芯片单位面积内集成密度越来越高，
IO
数量也随之增加
。
对于
flip
‑
chip
封装工艺的基板，例如图1所示，为常规设置的基板的顶视
、
底视示意图，该方案是目前业界内普遍采用的封装形式
。
其特点是电源
、
地管脚和信号管脚全部由基板下方管脚提供
。
但这种方式往往会出现芯片面积太小，而封装的尺寸受
IO
数量的约束没有缩减，导致基板的尺寸与芯片的面积不能合理匹配
。
在系统封装应用中浪费了一定的体积和重量等资源
。
如何在有限的基板尺寸内消化掉更多的
IO
信号，是单芯片封装领域遇到的一个技术难题
。
[0003]基于此，本专利技术提出了一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板
。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中的上述问题，即芯片面积太小，而封装的尺寸受
IO
数量的约束没有缩减，导致基板的尺寸与芯片的面积不能合理匹配
。
在系统封装应用中浪费了一定的体积和重量等资源的问题，本专利技术提供了一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板
。
[0005]本专利技术提出了一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板，所述基板包括基板主体
、
上层凸点焊盘
、
侧方供电管脚
、
下层焊盘；
[0006]所述基板主体由基板材料和金属层叠层设置而成；
[0007]所述上层凸点焊盘分布于所述基板主体的上表面，所述上层凸点焊盘能够通过回流焊的工艺方法将倒装芯片凸点与所述基板相互连接；
[0008]所述下层焊盘分布于所述基板主体的下表面，所述下层焊盘能够实现所述基板与系统板级的相互连接；
[0009]所述侧方供电管脚分布于所述基板主体的侧表面，所述侧方供电管脚与金属供电平面层连接，作为基板主体的主要供电管脚，所述金属供电平面层设置在所述基板主体的内部
。
[0010]在一些优选的实施方式中，所述基板主体由基板材料和金属层叠层设置而成，包括：
[0011]所述基板材料为陶瓷材料或塑封材料，所述金属层至少包括带状线信号层和金属供电平面层，所述带状线信号层和所述金属供电平面层通过打孔的方式相互连接，构成所述基板主体
。
[0012]在一些优选的实施方式中，所述上层凸点焊盘分布于所述基板主体的上表面，其分布方式为：
[0013]所述上层凸点焊盘通过打孔的方式与所述基板主体内部的第一平面层连接，多个所述上层凸点焊盘沿所述基板主体的上表面阵列分布
。
[0014]在一些优选的实施方式中，所述第一平面层为金属供电平面层
。
[0015]在一些优选的实施方式中，所述第一平面层为信号层
。
[0016]在一些优选的实施方式中，所述下层焊盘分布于所述基板主体的下表面，其分布方式为：
[0017]所述下层焊盘由所述基板主体的下表面分布的管脚焊盘组成，所述管脚焊盘通过打孔的方式与所述基板主体内部的所述金属层相互连接，多个所述管脚焊盘沿所述基板主体的下表面阵列分布
。
[0018]在一些优选的实施方式中，所述侧方供电管脚分布于所述基板主体的侧表面，其分布方式为：
[0019]将所述基板主体中的所述金属供电平面层向所述基板主体的四周侧方位置延伸，将延伸后的所述金属供电平面层与所述侧方供电管脚相互连接，多个所述侧方供电管脚沿所述金属供电平面层的四周均匀分布
。
[0020]在一些优选的实施方式中，所述侧方供电管脚的一端与所述金属供电平面层连接，所述侧方供电管脚的另一端作为基板的主体供电管脚
。
[0021]在一些优选的实施方式中，所述基板主体的下表面的所述管脚焊盘区域均匀分布有多个信号管脚，每一个所述信号管脚分别通过打孔的方式与金属信号线相连，所述金属信号线设置在所述基板主体的内部
。
[0022]在一些优选的实施方式中，在设定场景下，所述基板主体的下表面的所述信号管脚作为辅助供电管脚使用
。
[0023]在一些优选的实施方式中，在多压域应用环境下，所述基板的侧方供电管脚提供至少一种类型的电源供电和
/
或至少一种类型的地供电
。
[0024]本专利技术的有益效果：
[0025](1)
本专利技术的一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板，充分利用了基板侧方面积，有效提高基板管脚密度，在同等条件下能够减小基板尺寸，减轻器件重量
。
并且有效提高器件
EMC
能力
。
[0026](2)
本专利技术的一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板在封装工艺下最大化的利用基板的有效面积，实现增加基板封装密度
、
提高整体器件可靠性
。
附图说明
[0027]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征
、
目的和优点将会变得更明显：
[0028]图1是常规
flip
‑
chip
工艺基板示意图；
[0029]图2是一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板顶视示意图；
[0030]图3是一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板底视示意图；
[0031]图4是一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板侧方供电方案示意图；
[0032]图5是一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板信号连接方案示意图；
[0033]图6是一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板多电压域情况下供电方案示意图；
[0034]图7是一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板灵活供电应用方案示意图
。
具体实施方式
[0035]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明
。
可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释相关专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板，其特征在于：所述基板包括基板主体
、
上层凸点焊盘
、
侧方供电管脚
、
下层焊盘；所述基板主体由基板材料和金属层叠层设置而成；所述上层凸点焊盘分布于所述基板主体的上表面，所述上层凸点焊盘通过回流焊的工艺方法将倒装芯片凸点与所述基板相互连接；所述下层焊盘分布于所述基板主体的下表面，所述下层焊盘能够实现所述基板与系统板级的相互连接；所述侧方供电管脚分布于所述基板主体的侧表面，所述侧方供电管脚与金属供电平面层连接，作为基板主体的主要供电管脚，所述金属供电平面层设置在所述基板主体的内部
。2.
根据权利要求1所述的一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板，其特征在于，所述基板主体由基板材料和金属层叠层设置而成，包括：所述基板材料为陶瓷材料或塑封材料，所述金属层至少包括带状线信号层和金属供电平面层，所述带状线信号层和所述金属供电平面层通过打孔的方式相互连接，构成所述基板主体
。3.
根据权利要求2所述的一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板，其特征在于，所述上层凸点焊盘分布于所述基板主体的上表面，其分布方式为：所述上层凸点焊盘通过打孔的方式与所述基板主体内部的第一平面层连接，多个所述上层凸点焊盘沿所述基板主体的上表面阵列分布
。4.
根据权利要求3所述的一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板，其特征在于：所述第一平面层为金属供电平面层
。5.
根据权利要求3所述的一种高可靠性
flip
‑
chip
工艺基板，其特征在于：所述第一平面层为信号层
。6.
根据权利要求4或5所述的一种高可靠性
flip

【专利技术属性】
技术研发人员：王伊卜，乐立鹏，马城城，王兆辉，权晶，王小明，庞敏，王琰，行涛，
申请(专利权)人：北京时代民芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：