阵列基板及其制造方法技术

本公开提供了一种阵列基板及其制造方法

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板、显示设备


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法
、
显示面板
、
显示设备
。

技术介绍

[0002]具有透明阳极的有机发光半导体
(Organic Electroluminescence Display,OLED)
显示产品兼具透光性和显示性，在一些特定的场景下具有无可替代的优势
。
然而，该类显示产品在后端的点灯测试
(Cell Test,CT)
时，存在不同像素同时亮的情况，例如：红色子像素
R
和白色子像素
W
同时点亮，造成显示串色，影响产品的显示效果
。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本公开提供了一种阵列基板及其制造方法
、
显示面板
、
显示设备，能够有效的降低显示串色的产生几率，提高显示效果
。
[0004]第一方面，本公开通过一实施例提供如下的技术方案：
[0005]一种阵列基板的制造方法，包括：
[0006]提供衬底基板，所述衬底基板包括阳极区
、
位于所述阳极区至少一侧的辅助电极区以及所述阳极区与所述辅助电极区之间的间隔区；
[0007]在所述衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层
、
第二透明导电层和第一金属层；其中，所述第一透明导电层位于所述阳极区和所述辅助电极区，所述第二透明导电层位于所述阳极区
、
所述间隔区和所述辅助电极区，所述第一金属层位于所述辅助电极区；
[0008]刻蚀掉位于所述间隔区的所述第二透明导电层；
[0009]在所述间隔区
、
所述第一金属层和位于所述阳极区的所述第二透明导电层上形成依次层叠的第二金属层和第三透明导电层；
[0010]刻蚀掉位于所述间隔区的所述第三透明导电层和所述第二金属层，获得位于所述辅助电极区的辅助电极结构和位于所述阳极区的阳极结构
。
[0011]在一些实施例中，所述在所述衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层
、
第二透明导电层和第一金属层，包括：
[0012]采用分步沉积方法，在所述衬底基板形成所述第一透明导电层；
[0013]在所述第一透明导电层上形成依次层叠的所述第二透明导电层和所述第一金属层
。
[0014]在一些实施例中，所述采用分步沉积方法，在所述衬底基板形成所述第一透明导电层，包括：
[0015]采用透明导电材料，在所述衬底基板上进行第一步沉积，形成第一导电材料层，所述第一导电材料层的厚度为
650
埃～
750
埃；
[0016]对包括所述第一导电材料层的衬底基板进行清洗；
[0017]采用所述透明导电材料，在清洗后的所述第一导电材料层上进行第二步沉积，获
得所述第一透明导电层；所述第一透明导电层的厚度为
1300
埃～
1500
埃；
[0018]对包括所述第一透明导电层的所述衬底基板进行清洗
。
[0019]在一些实施例中，所述在所述衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层
、
第二透明导电层和第一金属层，包括：
[0020]在所述衬底基板上形成第一透明导电层，并对包括所述第一透明导电层的所述衬底基板进行清洗；
[0021]在清洗后的所述第一透明导电层上形成厚度为
250
埃～
350
埃的第二透明导电层；
[0022]对包括所述第二透明导电层的衬底基板进行清洗；
[0023]在清洗后的所述第二透明导电层上形成所述第一金属层
。
[0024]在一些实施例中，所述在所述间隔区
、
所述第一金属层和位于所述阳极区的所述第二透明导电层上形成依次层叠的第二金属层和第三透明导电层，包括：
[0025]在所述间隔区
、
所述第一金属层和位于所述阳极区的所述第二透明导电层上形成所述第二金属层；
[0026]采用分步沉积方法，在所述第二金属层上形成所述第三透明导电层
。
[0027]在一些实施例中，所述采用分步沉积方法，在所述第二金属层上形成所述第三透明导电层，包括：
[0028]采用透明导电材料，在所述第二金属层上进行第一步沉积，形成第二导电材料层，所述第二导电材料层的厚度为
400
埃～
500
埃；
[0029]对包括所述第二导电材料层的衬底基板进行清洗；
[0030]采用所述透明导电材料，在清洗后的所述第二导电材料层上进行第二步沉积，获得所述第三透明导电层，所述第三透明导电层的厚度为
800
埃～
1000
埃；
[0031]对包括所述第三透明导电层的所述衬底基板进行清洗
。
[0032]在一些实施例中，所述透明导电材料为氧化铟锡，所述第一金属层的材质为铜或铜合金，所述第二金属层为铜与钼铌合金的复合膜层
。
[0033]第二方面，基于同一专利技术构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：
[0034]一种阵列基板，采用第一方面实施例提供的所述制造方法获得
。
[0035]第三方面，基于同一专利技术构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：
[0036]一种显示面板，包括第二方面实施例提供的阵列基板
。
[0037]第四方面，基于同一专利技术构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：
[0038]一种显示设备，包括第三方面实施例提供的显示面板
。
[0039]通过本公开的一个或者多个技术方案，本公开具有以下有益效果或者优点：
[0040]本公开提供了一种阵列基板的制造方法，通过改变辅助电极结构中的透明导电层的刻蚀顺序，具体是将第二透明导电层和第三透明导电层的刻蚀分开进行，将第二透明导电层的刻蚀提前到形成第二金属层和第三透明导电层之前，与第三透明导电层制备完成后再依次刻蚀第三透明导电层和第二透明导电层的方案相比，本公开的方案对第三透明导电层的刻蚀仅有一次
(
原方案为两次
)
，从而减少了第三透明导电层的刻蚀损伤，有效避免了辅助电极结构中的第三透明导电层的端部因被刻蚀液过度浸泡而变薄，导致其在后续工艺如
Strip
和
PDL
工序容易被水流等冲击断裂，卡在子像素之间出现像素短路，造成像素同亮和显示串色的问题，进而提高了显示效果
。
[0041]上述说明仅是本公开技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开的上述和其它目的
、...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底基板，所述衬底基板包括阳极区
、
位于所述阳极区至少一侧的辅助电极区以及所述阳极区与所述辅助电极区之间的间隔区；在所述衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层
、
第二透明导电层和第一金属层；其中，所述第一透明导电层位于所述阳极区和所述辅助电极区，所述第二透明导电层位于所述阳极区
、
所述间隔区和所述辅助电极区，所述第一金属层位于所述辅助电极区；刻蚀掉位于所述间隔区的所述第二透明导电层；在所述间隔区
、
所述第一金属层和位于所述阳极区的所述第二透明导电层上形成依次层叠的第二金属层和第三透明导电层；刻蚀掉位于所述间隔区的所述第三透明导电层和所述第二金属层，获得位于所述辅助电极区的辅助电极结构和位于所述阳极区的阳极结构
。2.
如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层
、
第二透明导电层和第一金属层，包括：采用分步沉积方法，在所述衬底基板形成所述第一透明导电层；在所述第一透明导电层上形成依次层叠的所述第二透明导电层和所述第一金属层
。3.
如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述采用分步沉积方法，在所述衬底基板形成所述第一透明导电层，包括：采用透明导电材料，在所述衬底基板上进行第一步沉积，形成第一导电材料层，所述第一导电材料层的厚度为
650
埃～
750
埃；对包括所述第一导电材料层的衬底基板进行清洗；采用所述透明导电材料，在清洗后的所述第一导电材料层上进行第二步沉积，获得所述第一透明导电层；所述第一透明导电层的厚度为
1300
埃～
1500
埃；对包括所述第一透明导电层的所述衬底基板进行清洗
。4.
如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成依次层叠的第一透明导电层
、
第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王安君，赵策，王明，苏同上，宋嘉文，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：