显示设备制造技术

一种显示设备包括：设置在基板上的第一阻挡层；设置在所述第一阻挡层上的第二阻挡层；设置在所述第二阻挡层上的第一缓冲层；设置在所述第一缓冲层上的第三阻挡层；设置在所述第三阻挡层上的第二缓冲层；以及设置在所述第二缓冲层上并与所述第一阻挡层、所述第二阻挡层和所述第三阻挡层交叠的薄膜晶体管(TFT)，其中所述第二阻挡层的下表面比所述第一阻挡层的上表面大。的上表面大。的上表面大。

【技术实现步骤摘要】
显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2022年6月10日提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0070894的权益，在此通过引用将其并入本文，如同在本文完全阐述一样。


[0003]本专利技术涉及一种显示设备。

技术介绍

[0004]随着面向信息的社会的发展，对于显示图像的显示设备的各种需求日益增加。因此，近来正在使用诸如液晶显示(LCD)设备、等离子体显示面板(PDP)以及电致发光显示(ELD)设备之类的各种显示设备。此外，ELD设备可包括诸如有机发光显示设备和量子点发光显示(QLED)设备之类的显示设备。
[0005]在显示设备中，ELD设备是自发光显示设备，其不需要单独的背光。因此，与LCD设备相比，有机发光显示设备可被实现为轻且薄并具有低功耗。此外，ELD设备以直流(DC)低压进行驱动、具有快速响应时间并且具有较低制造成本。
[0006]在相关技术中，阻挡层可形成在薄膜晶体管(TFT)的下方，由此可采用通过阻挡入射在TFT上的光来防止漏电流的结构。在这种情形下，随着阻挡层包括金属材料，可采用阻挡层作为附加栅极，由此可采用双栅极结构。因此，相比包括单栅极的TFT，工作电流增加。
[0007]在这种情形下，为了防止在数据线和用作栅极的阻挡层之间的接触缺陷并且为了平坦地形成基板，可设置覆盖阻挡层和数据线的绝缘层。但是，在阻挡层和数据线之间出现寄生电容，导致出现串扰问题。

技术实现思路

[0008]因此，本专利技术旨在提供一种显示设备，其基本上克服了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。
[0009]本专利技术的一个方面旨在提供一种防止出现串扰的显示设备。
[0010]在下面的描述中将部分列出本专利技术的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分在研究以下内容之后对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本专利技术的实践领会到。本专利技术的这些目的和其他优点可通过书面说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
[0011]为了实现这些和其他优点，根据本专利技术的意图，如在此具体化和广义描述的，提供一种显示设备，包括：设置在基板上的第一阻挡层；设置在所述第一阻挡层上的第二阻挡层；设置在所述第二阻挡层上的第一缓冲层；设置在所述第一缓冲层上的第三阻挡层；设置在所述第三阻挡层上的第二缓冲层；以及设置在所述第二缓冲层上并与所述第一阻挡层、所述第二阻挡层和所述第三阻挡层交叠的薄膜晶体管(TFT)，其中所述第二阻挡层的下表面比所述第一阻挡层的上表面大。
[0012]根据本专利技术，缓冲层的一些部分可彼此分离地形成，因而可防止在信号线和阻挡层之间出现串扰，由此增加存储电容器的电容。
附图说明
[0013]给本专利技术提供进一步理解并且并入本申请组成本申请一部分的附图图解了本专利技术的实施方式，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中：
[0014]图1是图解根据本专利技术实施方式的显示设备的子像素的平面图；
[0015]图2是在根据本专利技术实施方式的显示设备中，沿图1的线I
‑
I
’
截取的剖视图；
[0016]图3是在根据本专利技术实施方式的显示设备中，沿图1的线II
‑
II
’
截取的剖视图；
[0017]图4是在根据本专利技术实施方式的显示设备中，沿图1的线III
‑
III
’
截取的剖视图；
[0018]图5A至图5F是图解根据沿图1的线I
‑
I
’
截取的实施方式的显示设备的制造工艺的图；
[0019]图6是相关技术的显示设备的剖视图。
具体实施方式
[0020]现在详细参考本专利技术的示例性实施方式进行描述，附图中示出了其中的一些示例。尽可能地将在整个附图中使用相同的参考标记来指代相同或相似的部分。
[0021]将通过参照附图描述的以下实施方式阐明本专利技术的优点和特点以及其实现方法。然而，本专利技术可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开内容透彻和完整，并且将本专利技术的范围充分地传递给所属领域技术人员。此外，本专利技术仅由权利要求书的范围限定。
[0022]为了描述本专利技术的多个实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本专利技术不限于示出的细节。相似的参考标记通篇指代相似的要素。在下文描述中，当确定对相关已知功能或构造的详细描述会不必要地模糊本专利技术的重点时，将省略详细描述。在本说明书中使用“包括”、“具有”和“包含”描述的情形下，可添加其他部分，除非使用了“仅”。单数形式的术语可包含复数形式，除非有相反指明。
[0023]在解释一要素时，尽管没有关于明确说明，但该要素应解释为包含误差范围。
[0024]在描述位置关系时，例如，当两部分之间的位置关系被描述为“在
……
上”、“在
……
上方”、“在
……
下方”、“在
……
之后”时，可在这两个部分之间设置一个或多个其他部分，除非使用了“正好”或“直接”。
[0025]在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在
……
之后”、“随后”、“接下来”和“在
……
之前”时，可包括不连续的情形下，除非使用了“正好”或“直接”。
[0026]将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但这些要素不应受这些术语限制。这些术语仅仅是用来将一要素与另一要素区分开。例如，在不脱离本专利技术的范围的条件下，第一要素可被称为第二要素，类似地，第二要素可被称为第一要素。
[0027]本专利技术各实施方式的特点可彼此部分或整体地结合或组合，并且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动，如所属领域技术人员能够充分理解的那样。本专利技术的多个实施方式可彼此独立实施，或者可以以相互依赖的关系共同实施。
[0028]下文中，将参照附图详细描述本专利技术的实施方式。
[0029]图1是图解根据本专利技术实施方式的显示设备的子像素的平面图。
[0030]参照图1，根据本专利技术实施方式的显示设备可包括：基板100(见图2)；电源线VL；栅极线GL；数据线DL；驱动薄膜晶体管(TFT)DT；开关TFT ST；多个阻挡层200；以及像素电极800。
[0031]基板100可包括玻璃或塑料，但本专利技术的实施方式不限于此。
[0032]多个子像素区可设置在基板100上，其中通过在一个方向上布置的栅极线GL、与栅极线GL垂直布置的数据线DL和与数据线DL平行布置的电源线VL来限定子像素区。在图1中，示出了子像素的一部分。
[0033]多个阻挡层200可形成在基板100上，并且可设置在由栅极线GL、数据线DL和电源线VL围绕的区域中。多个阻挡层200可不与诸如栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，包括：设置在基板上的第一阻挡层；设置在所述第一阻挡层上的第二阻挡层；设置在所述第二阻挡层上的第一缓冲层；设置在所述第一缓冲层上的第三阻挡层；设置在所述第三阻挡层上的第二缓冲层；以及设置在所述第二缓冲层上并与所述第一阻挡层、所述第二阻挡层和所述第三阻挡层交叠的薄膜晶体管(TFT)，其中所述第二阻挡层的下表面比所述第一阻挡层的上表面大。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一阻挡层、所述第二阻挡层和所述第三阻挡层包括用于阻挡光的导电材料。3.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述第三阻挡层包括与所述第二阻挡层的材料相同的材料。所述第三阻挡层包括与所述第一阻挡层的材料不同的材料。4.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二阻挡层的下表面的边缘不接触所述第一阻挡层。5.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一缓冲层的下表面和所述第三阻挡层的下表面均小于所述第二阻挡层的上表面。6.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二缓冲层包括彼此分离的第一区和第二区，所述第一区被形成为与所述第三阻挡层交叠，所述第二区与所述第三阻挡层分离并且与所述第一阻挡层设置在相同层上。7.根据权利要求6所述的显示设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔浩源，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：