一种金属电子线路的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种金属电子线路的制备方法，属于磁传感技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种金属电子线路的制备方法


[0001]本专利技术属于电子制造
，涉及一种金属电子线路的制备方法
。

技术介绍

[0002]在集成电路制备中，相较于传统的减成法，加成法工艺展现出诸多特点和优势
。
加成法可显著减少镀层原材料的使用量
、
金属镀层的蚀刻步数
、
加工工序和时间
、
加工废液的排放量等，具有经济和环保双重效益
。
半加成法
(semi
‑
additive process)
是在绝缘基板表面首先以化学镀方式沉积一薄层基铜，然后在其上覆盖光阻剂并选择性遮盖非目标区域，之后再进行电镀厚层金属，最后去除光阻剂和闪蚀掉薄层金属来完成金属电子图案的加工路线
。
半加成法因闪蚀掉薄层基铜的时间通常非常短，故而电子线路的侧蚀问题较为缓和，线路尺寸
(
如线宽
、
线距等
)
能较好保持，适用于制备精细电子线路
。
但半加成法通常需要粗化基板表面来制造凹凸结构以增强化学沉铜在基板的附着力
。
而粗化后的表面粗糙度甚至达到微米级别，在某些情况下构建叠层精细电子线路可能会失效
。
因此，粗化处理也并非适用于所有基板，亦可能对基板造成损伤，特别是挠性板
。
此外，半加成法在完成厚层金属线路构建之后，需要用闪蚀工艺除去基板表面非线路区域的薄层基铜
。
但闪蚀依然属于减成法工艺，很难对其完美精确控制，也会对金属线路产生影响
。
[0003]因此，亟待研究一种新的金属电子线路的制备方法，可以避免采用表面粗化手段来解决半加成法制备的电子线路在基板的附着力问题，或者可以避免闪蚀工艺，以解决现有半加成法制备电子线路存在的技术问题
。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的是解决现有半加成法制备电子线路存在的技术问题，提供一种金属电子线路的制备方法，避免采用表面粗化手段来解决半加成法制备的电子线路在基板的附着力问题，避免闪蚀工艺
。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种金属电子线路的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
[0006]提供绝缘胶膜作为基材；
[0007]在所述绝缘胶膜表面以化学共价键嫁接一层功能聚合物层；其中，所述功能聚合物的一端带有可与所述绝缘胶膜的表面形成化学共价键的成键基团，另一端带有可强力吸附化学镀催化剂的电荷基团；
[0008]通过微纳加工技术在所述功能聚合物层上实现图案化；
[0009]在图案化的功能聚合物层上吸附化学镀催化剂；
[0010]在吸附有化学镀催化剂的图案化功能聚合物层上进行水相金属化学镀；
[0011]再在化学镀金属层的表面进行金属电镀，得到所述金属电子线路
。
[0012]优选地，所述功能聚合物中的电荷基团包括正性电荷基团
、
负性电荷基团和中性孤对电子基团中的至少一种
。
[0013]优选地，所述功能聚合物为
[2
‑
(
甲基丙烯酰氧基
)
乙基
]三甲基氯化铵
‑3‑
(
三甲氧基甲硅基
)
甲基丙烯酸丙酯共聚物
、[2
‑
(
甲基丙烯酰氧基
)
乙基
]三甲基氯化铵
‑4‑
甲基丙烯酰二苯甲酮共聚物
、
聚丙烯酸和4‑
乙烯基吡啶
‑
丙烯酰胺共聚物中的任意一种
。
[0014]优选地，还包括对所述绝缘胶膜的清洁处理
。
[0015]优选地，还包括在清洁后对所述绝缘胶膜进行表面活化处理
。
[0016]优选地，所述微纳加工技术包括紫外光刻
、
电子束光刻和无掩膜激光直写光刻中的至少一种
。
[0017]优选地，在所述微纳加工技术中采用光刻胶制备掩膜图案，在完成水相金属化学镀之后金属电镀之前，还包括去除掩膜光刻胶工艺
。
[0018]优选地，所述金属电子线路中，金属为金
、
银
、
铜和镍中的任意一种
。
[0019]优选地，所述绝缘胶膜为树脂经固化剂固化而成，或者，所述绝缘胶膜为添加有填充粒子的树脂经固化剂固化而成
。
[0020]优选地，所述树脂为环氧树脂
、
酚醛树脂
、
聚酯树脂
、
聚酰胺树脂
、
脲醛树脂
、
三聚氰胺甲醛树脂
、
呋喃树脂
、
有机硅树脂
、
丙烯酸树脂
、
聚氨酯
、
乙烯基树脂
、
烃类树脂
、
聚醚类树脂中的至少一种；
[0021]所述填充粒子为无机粒子，所述无机粒子包括二氧化硅
、
氧化铝
、
氮化硼
、
钛酸钡
、
二氧化钛
、
氧化锌
、
氧化锆
、
氧化镁和碳酸钙中的至少一种；
[0022]所述固化剂为脂肪多元胺型
、
脂环多元胺型
、
芳香胺类
、
酸酐类
、
聚酰胺
、
潜伏型和合成树脂类固化剂中的至少一种
。
[0023]本专利技术采用上述技术方案的优点是：
[0024]本专利技术的金属电子线路的制备方法，采用一端带有可与绝缘胶膜表面形成化学共价键的成键基团且另一端带有可强力吸附化学镀催化剂的电荷基团的功能聚合物，通过在基材绝缘胶膜上嫁接功能聚合物层来增强水相化学镀金属线路与基材之间力学结合力，并借助微纳加工技术对功能聚合物层进行图案化，以促进水相化学镀时金属在绝缘胶膜基材表面的选择性生长，避免了闪蚀工艺
。
本专利技术的制备方法，无须对基材表面进行预粗化处理，能够在常温常压条件下
、
在环保友好型溶剂中，以高通量制备大尺寸
、
微米甚至纳米尺度且与基材结合力强的化学镀金属电子线路，具有应用于印制电路板的潜力，同时完全避免了蚀刻减成法工艺，有利于高精度金属电子线路的制备
。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图
。
[0026]图1为本专利技术的金属电子线路的制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种金属电子线路的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供绝缘胶膜作为基材；在所述绝缘胶膜表面以化学共价键嫁接一层功能聚合物层；其中，所述功能聚合物的一端带有可与所述绝缘胶膜的表面形成化学共价键的成键基团，另一端带有可强力吸附化学镀催化剂的电荷基团；通过微纳加工技术在所述功能聚合物层上实现图案化；在图案化的功能聚合物层上吸附化学镀催化剂；在吸附有化学镀催化剂的图案化功能聚合物层上进行水相金属化学镀；再在化学镀金属层的表面进行金属电镀，得到所述金属电子线路
。2.
根据权利要求1所述的金属电子线路的制备方法，其特征在于，所述功能聚合物中的电荷基团包括正性电荷基团
、
负性电荷基团和中性孤对电子基团中的至少一种
。3.
根据权利要求1所述的金属电子线路的制备方法，其特征在于，所述功能聚合物为
[2
‑
(
甲基丙烯酰氧基
)
乙基
]
三甲基氯化铵
‑3‑
(
三甲氧基甲硅基
)
甲基丙烯酸丙酯共聚物
、[2
‑
(
甲基丙烯酰氧基
)
乙基
]
三甲基氯化铵
‑4‑
甲基丙烯酰二苯甲酮共聚物
、
聚丙烯酸和4‑
乙烯基吡啶
‑
丙烯酰胺共聚物中的任意一种
。4.
根据权利要求1所述的金属电子线路的制备方法，其特征在于，还包括对所述绝缘胶膜的清洁处理
。5.
根据权利要求4所述的金属电子线路的制备方法，其特征在于，还包括在清洁后对所述绝缘胶膜进行表面活化处理
。6.
根据权利要求1所述的金属电子线路的制备方法，其特征在于，所述微纳加工技术包括紫外光刻
、
电子束光...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏，于淑会，于均益，罗遂斌，孙蓉，
申请(专利权)人：深圳先进电子材料国际创新研究院，
类型：发明
国别省市：