【技术实现步骤摘要】
成像元件、堆叠式成像元件、成像装置和电子装置
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请要求于
2016
年
11
月
22
日提交的日本在先专利申请
JP 2016
‑
227291
的权益，其全部内容通过引用的方式并入本文
。
[0003]本申请是中国专利申请第
201780070351.1
号的分案申请，第
201780070351.1
号的专利申请其申请日是
2017
年
11
月
17
日，专利技术名称是“成像元件
、
堆叠式成像元件
、
成像装置和电子装置”。
[0004]本技术涉及一种成像元件
、
堆叠式成像元件
、
成像装置和电子装置
。
技术介绍
[0005]近年来，成像元件的应用越来越广泛并且正在受到很多的关注，其不仅应用在数码相机和便携摄像机中而且应用在智能手机相机
、
监控摄像机
、
汽车后置监视器
(automotive back monitor)
和防撞传感器等中
。
为了应对各种应用，正尝试改善成像元件的性能及功能多样化，并且在成像元件中继续取得进步
。
[0006]例如，提出了一种传感器，其包括有机光电转换元件和电压施加单元，该有机光电转换
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种光检测装置，包括：第一电极；第二电极；光电转换层，其设置在所述第二电极和所述第一电极之间；和第一有机半导体材料，其包含吲哚并咔唑衍生物并且设置在所述第二电极和所述第一电极之间，其中所述第一有机半导体材料设置在所述光电转换层和所述第一电极之间，和其中所述吲哚并咔唑衍生物选自以下通式
(8)
：其中在通式
(8)
中，
Ar
16
到
Ar
18
各自独立地表示芳基；
R
73
到
R
84
各自独立地表示氢基
、
烷基
、
芳基
、
芳基氨基
、
具有芳基氨基作为取代基的芳基或咔唑基
。
其中所述通式
(8)
进一步地选自下式
(145)
到
(150)
：
。2.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述光电转换层的最窄的最高占据分子轨道能级或功函数为
‑
5.6eV
到
‑
5.7eV。3.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述第一有机半导体材料的最高占据分子轨道能级和所述光电转换层的最窄的最高占据分子轨道能级或功函数之间的差在
±
0.2eV
的范围内
。4.
根据权利要求2所述的光检测装置，其中所述第一有机半导体材料的最高占据分子轨道能级和所述光电转换层的所述最窄的最高占据分子轨道能级或所述功函数之间的差在
±
0.2eV
的范围内
。5.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述吲哚并咔唑衍生物的吲哚并咔唑骨架具有分子内对称性和5元吡咯环
。6.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述吲哚并咔唑衍生物的母骨架具有大尺
寸并且当向所述母骨架施加热
、
光和电压时所述吲哚并咔唑衍生物的母骨架无分子旋转
。7.
根据权利要求5所述的光检测装置，其中当向所述吲哚并咔唑衍生物的母骨架同时施加热
、
光和电压时所述母骨架无分子旋转
。8.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述第一有机半导体材料是电子阻挡层
。9.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述第二电极包含铟锌氧化物
。10.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述第一电极包含铟锡氧化物
。11.
根据权利要求1所述的光检测装置，其中所述光电转换层包含选自以下的至少两种材料：萘衍生物，蒽衍生物，菲衍生物，芘衍生物，苝衍生物，并四苯衍生物，并五苯衍生物，喹吖啶酮衍生物，苉衍生物，衍生物，荧蒽衍生物，酞菁衍生物，亚酞菁衍生物，具有杂环化合物作为配体的金属络合物，以苯并噻吩并噻吩衍生物
、
二萘并噻吩并噻吩衍生物
、
二蒽噻吩并噻吩衍生物
、
苯并二苯并噻吩衍生物
、
噻吩并苯并噻吩衍生物
、
二苯并噻吩并二苯并噻吩衍生物
、
二噻吩并苯并二噻吩衍生物
、
二苯并噻吩并二噻吩衍生物
、
苯并二噻吩衍生物
、
萘二噻吩衍生物
、
蒽二噻吩衍生物
、
并四苯并二噻吩衍生物
、
并五苯并二噻吩衍生物为代表的根据权利要求1～5中任一项材料，
HOMO
能级和
LUMO
能级比
p
型有机半导体的
HOMO
能级和
LUMO
能级更高的有机半导体，透明无机金属氧化物，包含氮原子和氧原子以及硫原子的杂环化合物，具有吡啶
、
吡嗪
、
嘧啶
、
三嗪
、
喹啉
、
喹喔啉
、
异喹啉
、
吖啶
、
吩嗪
、
菲咯啉
、
四唑
、
吡唑
、
咪唑
、
噻唑
、
噁唑
、
苯并咪唑
、
苯并三唑
、
苯并噁唑
、
咔唑
、
苯并呋喃
、
二苯并呋喃的有机分...
【专利技术属性】
技术研发人员：氏家康晴，室山雅和，坂东雅史，村田昌树，汲田英之，境川佐知子，平田晋太郎，熊谷裕也，加藤裕，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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