清洁装置及清洁方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种清洁装置及清洁方法

【技术实现步骤摘要】
清洁装置及清洁方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件制备
，特别涉及一种清洁装置及清洁方法
。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造过程中，每一制备环节几乎都需要执行半导体清洗工艺，以去除制程中形成的污染颗粒
。
而随着半导体器件集成度不断提高
、
芯片工艺节点不断缩小以及半导体结构越来越复杂化，现有工艺对于清洗要求越来越高，尤其是对微米级以下的小粒径污染物的清洗需求越来越大
。
由于小粒径污染物的尺寸小且半导体器件的集成度高，则导致清洗难度大，一般的清洗工艺难以达到所需的清洁要求
。
对此，现有技术是采用激光清洁工艺去除制程中形成的小粒径污染物
。
即，利用激光击穿空气形成的等离子体冲击波来实现清洁效果
。
[0003]然而，激光清洁工艺所使用的设备价格高昂，导致制备成本高；且每次激光清洁均需要消耗大量的能量，造成较高的运行成本
。
因此，亟需一种新的清洁方法及装置，以解决上述技术问题
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种清洁装置及清洁方法，以解决如何降低清洁成本和清洁设备能耗的问题
。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种清洁装置，包括第一清洁模块和第二清洁模块；
[0006]所述第一清洁模块用于采用湿法清洗工艺清洁半导体器件；
[0007]所述第二清洁模块包括静电放电单元，用于产生静电放电并电离气体介质形成冲击波，以经所述冲击波清洁所述半导体器件
。
[0008]可选的，在所述的清洁装置中，所述静电放电单元包括电源
、
电容器
、
第一电极和第二电极；其中，所述电源与所述电容器相接，以能够向所述电容器充电，并使所述电容器达到预设电压；所述第一电极与所述电容器的正极端相接，所述第二电极与所述电容器的负极端均接地
。
[0009]可选的，在所述的清洁装置中，所述第一电极与所述第二电极相对设置且间隔一预设距离，以能够在所述电容器放电过程中产生静电放电并电离气体介质形成所述冲击波
。
[0010]可选的，在所述的清洁装置中，所述预设距离的范围为：
0.5mm
～
1mm。
[0011]可选的，在所述的清洁装置中，所述第一电极与所述第二电极设置于所述半导体器件的上方，且与所述半导体器件的待清洁表面的垂向间距范围为：
0.25mm
～
0.6mm。
[0012]可选的，在所述的清洁装置中，所述电容器的容值范围为：
1nF
～
10nF
；所述电容器的预设电压范围为：
12kV
～
20kV
；以及，所述电容器的单次放电时间范围为
0.1
μ
s
～
10
μ
s。
[0013]可选的，在所述的清洁装置中，所述第二清洁模块还包括电压传感器
、
电流传感
器
、
压力传感器和示波器；其中，所述电源
、
所述电压传感器
、
所述电流传感器和所述压力传感器均与所述示波器相接，且所述电压传感器的两端还与所述第一电极和第二电极相接，以测量所述第一电极和第二电极之间的电压；所述电流传感器与所述第一电极和所述电容器的正极端相接，以测量所述电容器的放电电流；以及，所述压力传感器位于所述第一电极和所述第二电极的上方，以测量所述冲击波的压力
。
[0014]可选的，在所述的清洁装置中，所述电压传感器与所述第一电极或所述第二电极之间还连接有分压电阻，且所述分压电阻的阻值范围为：
900k
Ω
～
1100k
Ω
。
[0015]可选的，在所述的清洁装置中，所述清洁装置还包括可移动基台，所述可移动基台用于承载所述半导体器件，并将所述半导体器件移动至所述第一清洁模块或所述第二清洁模块内
。
[0016]基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种清洁方法，包括：
[0017]采用第一清洁模块湿法清洗半导体器件；
[0018]干燥所述半导体器件；
[0019]采用第二清洁模块清洁所述半导体器件；其中，所述第二清洁模块中的静电放电单元用于产生静电放电并电离气体介质形成冲击波，以经所述冲击波清洁所述半导体器件
。
[0020]综上所述，本专利技术提供一种清洁装置及清洁方法
。
其中，所述清洁装置包括第一清洁模块和第二清洁模块；所述第一清洁模块用于采用湿法清洗工艺清洁半导体器件；所述第二清洁模块包括静电放电单元，用于产生静电放电并电离气体介质形成冲击波，以经所述冲击波清洁所述半导体器件
。
相较于现有技术，本专利技术提供的所述清洁装置采用湿法清洗和电离冲击波清洗相结合的清洁方式，以利用湿法清去除大粒径污染物，利用电离冲击波去除小粒径污染物，有效提高清洁效率和清洁效果
。
且相较于激光形成冲击波的清洁方式，本专利技术采用的静电放电形成冲击波的清洁方式不但运行能耗低，清洁效果好，而且形成静电放电的设备成本非常低，能够大幅度降低半导体器件的制备成本
。
附图说明
[0021]本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本专利技术，而不对本专利技术的范围构成任何限定
。
[0022]图1是本专利技术实施例中清洁装置的结构示意图
。
[0023]图2是本专利技术实施例中第二清洁模块的结构示意图
。
[0024]图3是本专利技术实施例中第一电极和第二电极的位置示意图
。
[0025]图4是本专利技术实施例中清洁方法的流程图
。
[0026]附图中：
[0027]10
‑
第一清洁模块；
[0028]20
‑
第二清洁模块；
201
‑
静电放电单元；
2011
‑
电源；
2012
‑
电容器；
2013
‑
第一电极；
2014
‑
第二电极；
202
‑
监测单元；
2021
‑
电压传感器；
2022
‑
电流传感器；
2023
‑
压力传感器；
2024
‑
示波器；
[0029]30
‑
可移动基台；
[0030]W
‑
半导体器件；
K
‑
开关；
R
‑
分压电阻；
d1
‑
预设距离；
d2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种清洁装置，其特征在于，包括第一清洁模块和第二清洁模块；所述第一清洁模块用于采用湿法清洗工艺清洁半导体器件；所述第二清洁模块包括静电放电单元，用于产生静电放电并电离气体介质形成冲击波，以经所述冲击波清洁所述半导体器件
。2.
根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述静电放电单元包括电源
、
电容器
、
第一电极和第二电极；其中，所述电源与所述电容器相接，以能够向所述电容器充电，并使所述电容器达到预设电压；所述第一电极与所述电容器的正极端相接，所述第二电极与所述电容器的负极端均接地
。3.
根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极相对设置且间隔一预设距离，以能够在所述电容器放电过程中产生静电放电并电离气体介质形成所述冲击波
。4.
根据权利要求3所述的清洁装置，其特征在于，所述预设距离的范围为：
0.5mm
～
1mm。5.
根据权利要求2～4中任意一项所述的清洁装置，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极设置于所述半导体器件的上方，且与所述半导体器件的待清洁表面的垂向间距范围为：
0.25mm
～
0.6mm。6.
根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述电容器的容值范围为：
1nF
～
10nF
；所述电容器的预设电压范围为：
12kV
～
20kV
；以及，所述电容器的单次放电时间范围为
0.1...

【专利技术属性】
技术研发人员：任雨萌，林岳明，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：