高压大功率运算放大器制造技术

技术编号:3972271 阅读:201 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种高压大功率运算放大器,包括管壳,其特征是:在管壳上通过粘结膜粘接有陶瓷基片,在陶瓷基片上印制有金导带和厚膜电阻,在陶瓷基片上通过焊膏焊接有运算放大器表贴元件,在陶瓷基片上还粘接有大功率晶体管,所述的大功率晶体管和厚膜电阻构成扩流电路,位于陶瓷基片上各元件之间通过互连引线连接。优点是:占用空间小,方便使用,并且能保证良好的散热效果,可适用于-40℃~+85℃的工作环境。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体混合集成电路器件,尤其涉及一种高压大功率运算放 大器。
技术介绍
由于运算放大器多为工作电压较低,输出功率较小。因而,无法直接应用于某些工 作电压较高,负载较重的环境。目前,大多数是通过普通运算放大器、扩流电路组合使用来 实现电路功能,且需要外加晶体管散热片,占用空间大,组装繁琐。尤其在一些恶劣环境下, 例如超高温、超低温、高湿度、强振动等,普通元件无法工作。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种将运算放大器、构成扩流电路的大功率 晶体管和电阻全部集成在一起,占用空间小,方便使用,并且能保证良好的散热效果,可适 用于-40°C +85°C的工作环境的高压大功率运算放大器。本技术涉及的高压大功率运算放大器,包括管壳,其特征是在管壳上通过粘 结膜粘接有陶瓷基片,在陶瓷基片上印制有金导带和厚膜电阻,在陶瓷基片上通过焊膏焊 接有运算放大器表贴元件,在陶瓷基片上还粘接有大功率晶体管,所述的大功率晶体管和 厚膜电阻构成扩流电路,位于陶瓷基片上各元件之间通过互连引线连接。上述的高压大功率运算放大器,所述的互连引线为金丝。本技术将运算放大器表贴元件、大功率晶体管和电阻全部集成在陶瓷基片 上,占用空间小,方便使用,并且能保证良好的散热效果,可适用于-40°C +85°C的工作环^Ml O附图说明图1是本技术的结构示意图;图2是图1 (去掉管帽)的俯视图。图中管壳1,陶瓷基片2,金导带201,厚膜电阻202,运算放大器表贴元件3,焊膏 4,大功率晶体管5,导电环氧胶6,互连引线7,粘结膜8。具体实施方式如图所示,本技术有一个由管帽和管座构成的管壳1,在管壳1上通过粘结膜 8粘接有厚度在0. 4 0. 8mm之间的陶瓷基片2,在陶瓷基片2表面采用丝网印刷技术印制 金导带201和厚膜电阻202 ;陶瓷基片2采用二氧化硅、氮化铝、氧化铝、氧化铍中的一种作 为基片材料。在陶瓷基片2上通过焊膏4焊接有运算放大器表贴元件3,在陶瓷基片2上采 用导电环氧胶6粘接有大功率晶体管5,位于陶瓷基片2上各元件(运算放大器表贴元件3、 大功率晶体管5和厚膜电阻202)之间通过互连引线7连接,所述的互连引线7采用金丝。权利要求一种高压大功率运算放大器,包括管壳,其特征是在管壳上通过粘结膜粘接有陶瓷基片,在陶瓷基片上印制有金导带和厚膜电阻,在陶瓷基片上通过焊膏焊接有运算放大器表贴元件,在陶瓷基片上还粘接有大功率晶体管,所述的大功率晶体管和厚膜电阻构成扩流电路,位于陶瓷基片上各元件之间通过互连引线连接。2.根据权利要求1所述的高压大功率运算放大器,其特征是所述的互连引线为金丝。专利摘要一种高压大功率运算放大器,包括管壳,其特征是在管壳上通过粘结膜粘接有陶瓷基片,在陶瓷基片上印制有金导带和厚膜电阻,在陶瓷基片上通过焊膏焊接有运算放大器表贴元件,在陶瓷基片上还粘接有大功率晶体管,所述的大功率晶体管和厚膜电阻构成扩流电路,位于陶瓷基片上各元件之间通过互连引线连接。优点是占用空间小,方便使用,并且能保证良好的散热效果,可适用于-40℃~+85℃的工作环境。文档编号H01L23/12GK201576682SQ201020150039公开日2010年9月8日 申请日期2010年4月1日 优先权日2010年4月1日专利技术者任志伟, 薛晓东, 邱晓华 申请人:锦州七七七微电子有限责任公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压大功率运算放大器,包括管壳,其特征是:在管壳上通过粘结膜粘接有陶瓷基片,在陶瓷基片上印制有金导带和厚膜电阻,在陶瓷基片上通过焊膏焊接有运算放大器表贴元件,在陶瓷基片上还粘接有大功率晶体管,所述的大功率晶体管和厚膜电阻构成扩流电路,位于陶瓷基片上各元件之间通过互连引线连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:薛晓东任志伟邱晓华
申请(专利权)人:锦州七七七微电子有限责任公司
类型:实用新型
国别省市:21[中国|辽宁]

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