一种三维集成电路的器件结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种三维集成电路的器件结构，包括硅板，硅板的上表面设置有第一信号层，第一信号层的上表面设置有单晶硅膜，单晶硅膜的上表面设置有第二信号层，硅板的下表面设置有加强层，加强层包括加强板，加强板的内部穿插有若干个横拉筋和纵拉筋，加强层的下表面设置有下散热层，加强层的内部竖向插接有若干个导热柱，导热柱的侧壁套接有绝缘套，第二信号层的上表面设置有上散热层

【技术实现步骤摘要】
一种三维集成电路的器件结构


[0001]本技术涉及半导体
，具体涉及一种三维集成电路的器件结构
。

技术介绍

[0002]三维集成电路即具有多层器件结构的集成电路
。
又称立体集成电路
。
现有的各种商品集成电路都是平面结构，即集成电路的各种单元器件一个挨一个地分布在一个平面上，称二维集成电路
。
随着集成度不断提高，每片上的器件单元数量急剧增加，芯片面积增大，单元间连线的增长既影响电路工作速度又占用很多面积，严重影响集成电路进一步提高集成度和工作速度
。
于是产生三维集成的新技术思路
。
[0003]如公告号为
CN204155924U
的一种三维集成电路组件，包括塑胶层
、
金属层及设于所述金属层上的抗氧化层，所述金属层上成型有集成线路，所述金属层通过真空溅射
、
打印或者化学镀成型于所述塑胶层上
。
[0004]由于三维集成电路板上具有多个通孔，导致三维集成电路板的强度不够，容易折断，且由于三维集成电路系统拥有了更高的集成度，热功耗也随之提升
、
表面积体积比随之下降，导致传统三维集成电路板的散热效果差
。
因此，亟需设计一种三维集成电路的器件结构来解决上述问题
。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种三维集成电路的器件结构，以解决现有技术中的上述不足之处
。
[0006]为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0007]一种三维集成电路的器件结构，包括硅板，所述硅板的上表面设置有第一信号层，所述第一信号层的上表面设置有单晶硅膜，所述单晶硅膜的上表面设置有第二信号层，所述硅板的下表面设置有加强层，所述加强层包括加强板，所述加强板的内部穿插有若干个横拉筋和纵拉筋，所述加强层的下表面设置有下散热层，所述加强层的内部竖向插接有若干个导热柱，所述导热柱的侧壁套接有绝缘套，所述第二信号层的上表面设置有上散热层
。
[0008]进一步的，所述第一信号层包括第一电路层和第一绝缘层，且第一绝缘层设置在第一电路层的上表面
。
[0009]进一步的，所述第二信号层包括第二电路层和第二绝缘层，且第二绝缘层设置在第二电路层的上表面
。
[0010]进一步的，所述上散热层的上表面设置有阻燃层，所述下散热层的下表面设置有第三绝缘层
。
[0011]进一步的，所述阻燃层的上表面设置有上防水层，所述第三绝缘层的下表面设置有下防水层
。
[0012]进一步的，所述上防水层的上表面设置有防蚀层，所述下防水层的下表面设置有耐磨层
。
[0013]在上述技术方案中，本技术提供的一种三维集成电路的器件结构，通过设置的加强板提高三维集成电路板的强度，以提高三维集成电路板的抗折能力，横拉筋与纵拉筋形成格栅结构，提高三维集成电路板的抗拉能力，使得加强板配合横拉筋与纵拉筋使得三维集成电路板的抗变形能力大大提高；通过设置的上散热层直接对第二信号层进行快速散热，及导热柱将第一信号层产生的热量传递到下散热层，再由下散热层进行快速散热，提高了三维集成电路板的散热效果；通过设置的阻燃层起到阻燃效果，避免三维集成电路板起火，减少安全隐患，上防水层和下防水层起到防水防潮作用，避免出现因受潮导致漏电
、
短路等现象；通过设置的防蚀层提高了三维集成电路板的防腐蚀性能，耐磨层提高三维集成电路板的耐磨性能
。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0015]图1为本技术一种三维集成电路的器件结构的分层结构示意图
。
[0016]图2为本技术一种三维集成电路的器件结构的加强层结构示意图
。
[0017]图3为本技术一种三维集成电路的器件结构的加强层顶面结构示意图
。
[0018]附图标记说明：
[0019]1硅板
、2
第一信号层
、3
单晶硅膜
、4
第二信号层
、5
加强层
、6
加强板
、7
横拉筋
、8
纵拉筋
、9
下散热层
、10
导热柱
、11
绝缘套
、12
上散热层
、13
第一电路层
、14
第一绝缘层
、15
第二电路层
、16
第二绝缘层
、17
阻燃层
、18
第三绝缘层
、19
上防水层
、20
下防水层
、21
防蚀层
、22
耐磨层
。
具体实施方式
[0020]为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面将结合附图对本技术作进一步的详细介绍
。
[0021]如图1‑3所示，本技术实施例提供的一种三维集成电路的器件结构，包括硅板1，硅板1的上表面设置有第一信号层2，第一信号层2的上表面设置有单晶硅膜3，单晶硅膜3的上表面设置有第二信号层4，硅板1的下表面设置有加强层5，加强层5包括加强板6，加强板6的内部穿插有若干个横拉筋7和纵拉筋8，加强层5的下表面设置有下散热层9，加强层5的内部竖向插接有若干个导热柱
10
，导热柱
10
的侧壁套接有绝缘套
11
，第二信号层4的上表面设置有上散热层
12。
[0022]具体的，本实施例中，包括硅板1，硅板1的上表面设置有第一信号层2，第一信号层2的上表面设置有单晶硅膜3，单晶硅膜3采用低温生长一层多晶硅，用再结晶技术使这层多晶硅变成单晶硅技术形成，单晶硅膜3的上表面设置有第二信号层4，硅板1的下表面设置有加强层5，加强层5包括加强板6，加强板6采用硬性材质，用于提高三维集成电路板的强度，提高三维集成电路板的抗折能力，加强板6的内部穿插有若干个横拉筋7和纵拉筋8，横拉筋7在横向方向呈等距离设置，纵拉筋8在纵向方向上呈等距离设置，纵拉筋8整体位于横拉筋7的下方，横拉筋7与纵拉筋8形成格栅结构，以提高三维集成电路板的抗拉能力，加强层5的
下表面设置有下散热层9，加强层5的内部竖向插接有若干个导热柱
10
，导热柱
10
采用铜柱材质，导热柱
10
呈等距离设置，导热柱
10
贯穿加强层5和硅板1，导热柱
10
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种三维集成电路的器件结构，包括硅板
(1)
，其特征在于，所述硅板
(1)
的上表面设置有第一信号层
(2)
，所述第一信号层
(2)
的上表面设置有单晶硅膜
(3)
，所述单晶硅膜
(3)
的上表面设置有第二信号层
(4)
，所述硅板
(1)
的下表面设置有加强层
(5)
，所述加强层
(5)
包括加强板
(6)
，所述加强板
(6)
的内部穿插有若干个横拉筋
(7)
和纵拉筋
(8)
，所述加强层
(5)
的下表面设置有下散热层
(9)
，所述加强层
(5)
的内部竖向插接有若干个导热柱
(10)
，所述导热柱
(10)
的侧壁套接有绝缘套
(11)
，所述第二信号层
(4)
的上表面设置有上散热层
(12)。2.
根据权利要求1所述的一种三维集成电路的器件结构，其特征在于，所述第一信号层
(2)
包括第一电路层
(13)
和第一绝缘层

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡逸宇，林泽滨，
申请(专利权)人：深圳市艾格林电子有限公司，
类型：新型
国别省市：