微元件转移方法技术

本申请提供了一种微元件转移方法，转移方法包括：控制相变拾取机构靠近供体基板，相变拾取机构包括有相变结构，相变结构至少具有第一状态和第二状态，相变结构在第二状态下呈橡胶态，且自身弹性高于第一状态下的相变结构，供体基板上设有待转移元件；调节相变拾取机构所处的环境特征，以使相变结构由第一状态转变为第二状态，且第二状态上的相变结构附着于待转移元件的表面；调节相变拾取机构所处的环境特征，以使相变结构转变为第一状态；控制相变拾取机构带动待转移元件脱离供体基板；控制相变拾取机构靠近目标基板；调节相变拾取机构所处的环境特征，以使相变结构转变为第二状态；将待转移元件释放至目标基板上

【技术实现步骤摘要】
微元件转移方法


[0001]本申请涉及元件转移
，尤其涉及一种微元件转移方法
。

技术介绍

[0002]随着科学技术水平的发展，电子设备的复杂程度也逐渐增大，并且设备内部的电器元件也逐渐向微型化发展
。
通过减少电器元件的尺寸大小从而能够在有限空间内集成更多电器元件，以此提高使用体验
。
[0003]而微型化的电器元件通常需要进行转移，但是在转移过程中容易对微型化的电器元件产生损伤等问题
。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种微元件转移方法，能够提高转移可靠性
。
[0005]本申请实施例提供了一种微元件转移方法，转移方法包括：
[0006]控制相变拾取机构靠近供体基板，相变拾取机构包括有相变结构，相变结构至少具有第一状态和第二状态，相变结构在第二状态下呈橡胶态，且自身弹性高于第一状态下的相变结构，供体基板上设有待转移元件；
[0007]调节相变拾取机构所处的环境特征，以使相变结构由第一状态转变为第二状态，且第二状态上的相变结构附着于待转移元件的表面；
[0008]调节相变拾取机构所处的环境特征，以使相变结构转变为第一状态；
[0009]控制相变拾取机构带动待转移元件脱离供体基板；
[0010]控制相变拾取机构靠近目标基板；
[0011]调节相变拾取机构所处的环境特征，以使相变结构转变为第二状态；
[0012]将待转移元件释放至目标基板上
。
[0013]在一些实施例中，环境特征包括温度特征
、
电场特征
、
磁场特征以及光照特征中的至少一者
。
[0014]在一些实施例中，环境特征包括温度特征，相变结构包括形状记忆聚合物材料
。
[0015]在一些实施例中，在平行于第一面方向上，支撑结构至少部分超出衬底设置，以使控制机构中的至少部分设置于支撑结构上
。
[0016]在一些实施例中，形状记忆聚合物材料包括骨架材料
、
交联剂以及光引发剂，骨架材料包括聚氨酯二丙烯酸和丙烯酸十八酯中的至少一者；光引发剂包括2，2‑
二甲氧基
‑
苯基苯乙酮
(DMPA)
和二苯甲酮中的至少一者；交联剂包括丙烯酸
(AA)
和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯
(TMPTA)
中的至少一者
。
[0017]在一些实施例中，控制相变拾取机构带动待转移元件脱离供体基板中，相变拾取机构对于待转移元件的拾取速率为
V1
；
[0018]将待转移元件释放至目标基板上中，相变拾取机构对于待转移元件的释放速率为
V2
；
[0019]其中，
V1
＞
V2。
[0020]在一些实施例中，调节相变拾取机构所处的环境特征，以使相变结构转变为第一状态中，相变结构与待转移元件之间的表面能，大于供体基板与待转移元件之间的表面能
。
[0021]在一些实施例中，控制相变拾取机构靠近供体基板之前，还包括：
[0022]对于供体基板朝向待转移元件的表面进行表面化处理，以减少供体基板与待转移元件之间的结合力
。
[0023]在一些实施例中，控制相变拾取机构靠近目标基板之前，还包括：
[0024]对目标基板进行表面化处理，以提高目标基板的表面能
。
[0025]在一些实施例中，调节相变拾取机构所处的环境特征，以使相变结构由第一状态转变为第二状态，且第二状态上的相变结构附着于待转移元件的表面之后，还包括：
[0026]对相变结构与待转移元件接触区域进行气泡移除处理
。
[0027]在一些实施例中，控制相变拾取机构带动待转移元件脱离供体基板中，包括：
[0028]将供体基板浸入至刻蚀液中，以使供体基板在刻蚀液的作用下刻蚀去除
。
[0029]本申请实施例提供一种微元件转移方法，通过利用相变结构能够在环境特征改变的情况下下实现第一状态与第二状态之间转换，以及相变结构在不同状态下所表现出的刚性和弹性能力差异较大的特性
。
从而实现对相变结构表面粘附力的把控
。
这种高度可控的相变特性使得微元件转移过程更加精确和稳定，可以实现对微元件的选择性转移
。
并且这种转移方法还省略了传统高分子旋涂和有机溶剂溶解高分子材料的步骤，降低了化学试剂对于元件的侵害，还为易水解稀释的二维材料的转移提供了可能
。
[0030]此外，本方案中相变结构通常在橡胶态下与待转移元件进行初步接触，这样可以降低相变结构与待转移元件发生刚性碰撞的风险，降低相变结构引发待转移元件出现损伤的风险
。
并且这种转移方法消除了传统方法中基板表面平整度以及接触压力大小对于转移成功率的影响，降低了对于基板表面处理和压力控制的要求，简化了转移过程，减少了转移失败的风险和重复操作的需要，提高了生产效率以及成本效益
。
此外，转移过程是借助范德华力实现相变结构与待转移元件之间的粘接，无需使用昂贵的试剂以及复杂的制备工艺，使得转移过程中的材料不受毛细作用力的影响，减少元件出现褶皱
、
裂纹以及微泡的概率，使得转移过程简单方便，快捷高效，有望降低元件巨量或大面积转移所需的成本
。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0032]图1是本申请实施例提供的一种微元件转移方法的流程图；
[0033]图
2a
至图
2g
是本申请实施例提供的一种微元件转移方法的过程结构示意图
。
[0034]标记说明：
[0035]100、
相变拾取机构；
10、
相变结构；
[0036]200、
待转移元件；
[0037]300、
供体基板；
[0038]400、
目标基板
。
具体实施方式
[0039]下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的
、
技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述
。
应理解，此处所描述的具体实施例仅意在解释本申请，而不是限定本申请
。
对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施
。
下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解
。
[0040]需要说明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种微元件转移方法，其特征在于，包括：控制相变拾取机构靠近供体基板，所述相变拾取机构包括有相变结构，所述相变结构至少具有第一状态和第二状态，所述相变结构在所述第二状态下呈橡胶态，且自身弹性高于所述第一状态下的相变结构，所述供体基板上设有待转移元件；调节所述相变拾取机构所处的环境特征，以使所述相变结构由所述第一状态转变为所述第二状态，且所述第二状态上的所述相变结构附着于所述待转移元件的表面；调节所述相变拾取机构所处的环境特征，以使所述相变结构转变为所述第一状态；控制所述相变拾取机构带动所述待转移元件脱离所述供体基板；控制所述相变拾取机构靠近目标基板；调节所述相变拾取机构所处的环境特征，以使所述相变结构转变为所述第二状态；将所述待转移元件释放至所述目标基板上
。2.
根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述环境特征包括温度特征
、
电场特征
、
磁场特征以及光照特征中的至少一者
。3.
根据权利要求2所述的转移方法，其特征在于，所述环境特征包括温度特征，所述相变结构包括形状记忆聚合物材料
。4.
根据权利要求3所述的转移方法，其特征在于，所述形状记忆聚合物材料包括骨架材料
、
交联剂以及光引发剂，所述骨架材料包括聚氨酯二丙烯酸和丙烯酸十八酯中的至少一者；所述光引发剂包括2，2‑
二甲氧基
‑
苯基苯乙酮和二苯甲酮中的至少一者；所述交联剂包括丙烯酸和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的至少一者
。5.
根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述控制所述相变...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蕴达，张静洋，
申请(专利权)人：香港科技大学广州，
类型：发明
国别省市：