滤波器制造技术

滤波器

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】滤波器


[0001]本专利技术涉及滤波器
。

技术介绍

[0002]在日本特表
2011
‑
507312
号公报中，公开了在2个谐振器之间设有耦合调整用过孔的谐振器设备
。
依据日本特表
2011
‑
507312
号公报，2个谐振器之间的电感耦合
(
耦合度
)
能够通过耦合调整用过孔来调整
。
[0003]在日本特开
2020
‑
198482
号公报中，提出了能够解决日本特表
2011
‑
507312
号公报所记载的谐振器设备的课题的特性良好的小型的滤波器
。
即，在日本特开
2020
‑
198482
号公报中，提出了能够解决在增大了谐振器之间的距离的情况下滤波器的大小变大这一课题的滤波器
。
[0004]另外，在日本特开
2020
‑
198482
号公报中，提出了如下的构造：通过适合地确保谐振器之间的距离和与屏蔽导体的距离，与以往相比，能够使
Q
值提高
。
通过适用该构造，能够研究出与以往相比而插入损失更小的滤波器或衰减量更大的滤波器
。

技术实现思路

[0005]在日本特开
2020
‑
198482
号公报中，通过适用上述的构造，能够研究出性能更高的滤波器，但在适用于滤波器的情况下，由于制造偏差，不能充分地确保衰减量，不能确保期望的滤波器特性
。
即使在实现高
Q
值的谐振器配置中，根据配置方法，也存在耦合度的偏差变大的情况
。
[0006]本专利技术的目的在于，提供特性良好的小型的滤波器
。
[0007]依据本专利技术的一个方案的滤波器具有：电介质基板；多个谐振器，其形成于电介质基板内且周围被屏蔽导体包围；以及第一输入输出端子和第二输入输出端子，其形成于未形成屏蔽导体的部分，多个谐振器中的最接近前述第一输入输出端子的谐振器即第一谐振器和前述多个谐振器中的最接近前述第二输入输出端子的谐振器即第二谐振器，以俯视下的前述电介质基板的中心为对称中心而处于点对称的位置关系，前述多个谐振器中的第三谐振器和前述多个谐振器中的第四谐振器，以俯视下的前述电介质基板的前述中心为对称中心而处于点对称的位置关系，前述第三谐振器在前述电介质基板的长度方向即第一方向上的位置，是前述第一谐振器在前述第一方向上的位置与前述电介质基板的前述中心在前述第一方向上的位置之间，前述第四谐振器在前述第一方向上的位置，是前述第二谐振器在前述第一方向上的位置与前述电介质基板的前述中心在前述第一方向上的位置之间
。
[0008]依据本专利技术，能够提供特性良好的小型的滤波器
。
附图说明
[0009][
图
1]图1是示出依据第一实施方式的滤波器的立体图
。[
图
2]图2是示出依据第一实施方式的滤波器的俯视图
。
[
图
3]图
3A
是示出理想的滤波器波形的图，图
3B
是示出包括偏差的滤波器波形的图
。[
图
4]图
4A
是示出将多个谐振器线对称地配置的示例的说明图，图
4B
是示出将多个谐振器点对称地配置的示例的说明图
。[
图
5]图
5A
和图
5B
是示出比较例1所涉及的滤波器波形相对于理想的滤波器波形的变动的图表
。[
图
6]图
6A
和图
6B
是示出实施例1所涉及的滤波器波形相对于理想的滤波器波形的变动的图表
。[
图
7]图
7A
是示出比较例2所涉及的滤波器中的通孔电极之间的电容耦合构造的侧视图，图
7B
是电容耦合构造的顶视图，图
7C
是电容耦合构造的侧视图
。[
图
8]图8是示出比较例2所涉及的滤波器的频率特性的图表
。[
图
9]图
9A
是示出实施例2所涉及的滤波器中的通孔电极之间的电容耦合构造的侧视图，图
9B
是电容耦合构造的顶视图，图
9C
是电容耦合构造的侧视图
。[
图
10]图
10
是示出实施例2所涉及的滤波器的频率特性的图表
。[
图
11]图
11A
是示出串联连接的通孔电极部之间的电容耦合构造的等效电路图，图
11B
是示出在串联连接的情况下的多个平板电极的配置示例的示意图，图
11C
是概略性地示出平板电极的位置校正的一个示例的俯视图
。[
图
12]图
12A
是示出并联连接的通孔电极部之间的电容耦合构造的等效电路图，图
12B
是示出在并联连接的情况下的多个平板电极的配置示例的示意图
。[
图
13]图
13A
是示出串联连接的通孔电极部之间的电容耦合构造的等效电路图，图
13B
是示出在串联连接的情况下的多个平板电极的另一配置示例的示意图，图
13C
是示出并联连接的通孔电极部之间的电容耦合构造的等效电路图，图
13D
是示出在并联连接的情况下的多个平板电极的另一配置示例的示意图
。[
图
14]图
14
是示出比较例3中的电容电极的配置关系的俯视图
。[
图
15]图
15
是示出比较例3的频率特性的波形图
。[
图
16]图
16
是示出实施例3中的电容电极的配置关系的俯视图
。[
图
17]图
17
是示出实施例3的频率特性的波形图
。[
图
18]图
18
是示出依据第二实施方式的滤波器的立体图
。[
图
19]图
19
是示出依据第二实施方式的滤波器的俯视图
。[
图
20A]图
20A
是示出依据第二实施方式的滤波器的一部分的截面图
。[
图
20B]图
20B
是示出依据第二实施方式的滤波器的一部分的截面图
。[
图
21]图
21
是示出依据第二实施方式的滤波器的立体图
。[
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种滤波器
(10)
，其具有：电介质基板
(14)
；多个谐振器
(11A
至
11E)
，其形成于所述电介质基板内且周围被屏蔽导体
(12A、12B、12Ca、12Cb)
包围；以及第一输入输出端子
(22A)
和第二输入输出端子
(22B)
，其形成于未形成所述屏蔽导体的部分，多个所述谐振器中的最接近所述第一输入输出端子的谐振器即第一谐振器
(11A)
和多个所述谐振器中的最接近所述第二输入输出端子的谐振器即第二谐振器
(11E)
，以俯视下的所述电介质基板的中心
(C)
为对称中心而处于点对称的位置关系，多个所述谐振器中的第三谐振器
(11B)
和多个所述谐振器中的第四谐振器
(11D)
，以俯视下的所述电介质基板的所述中心为对称中心而处于点对称的位置关系，所述第三谐振器在所述电介质基板的长度方向即第一方向上的位置，是所述第一谐振器在所述第一方向上的位置与所述电介质基板的所述中心在所述第一方向上的位置之间，所述第四谐振器在所述第一方向上的位置，是所述第二谐振器在所述第一方向上的位置与所述电介质基板的所述中心在所述第一方向上的位置之间
。2.
根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述滤波器还具有在所述谐振器之间所具备的电容耦合构造
(54)
，所述电容耦合构造具有：第一电极
(50A)
，其从一个所述谐振器延伸；第二电极
(50B)
，其从另一个所述谐振器朝向所述第一电极延伸，且前端部在侧视下从所述第一电极远离；以及第三电极
(50C)
，其一端在俯视下与所述第一电极重合，并且另一端在俯视下与所述第二电极重合
。3.
根据权利要求2所述的滤波器，其中，所述电容耦合构造还具有：第四电极
(50Ab)
，其从所述一个谐振器延伸，并且与所述第一电极
(50Aa)
在俯视下重合；以及第五电极
(50Bb)
，其从所述另一个谐振器朝向所述第四电极延伸，并且与所述第二电极
(50Ba)
在俯视下重合，且前端部从所述第四电极远离，所述第三电极的所述一端
(50Ca)
在侧视下位于所述第一电极与所述第四电极之间，所述第三电极的所述另一端
(50Cb)
在侧视下位于所述第二电极与所述第五电极之间
。4.
根据权利要求3所述的滤波器，其中，所述第三电极的所述一端与所述第一电极的至少1个角部在俯视下重合，所述第三电极的所述另一端与所述第二电极的至少1个角部在俯视下重合
。5.
根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述滤波器具有：第一电极
(50A)
，其从一个所述谐振器延伸；第二电极
(50B)
，其从另一个所述谐振器朝向所述第一电极延伸，且前端部在俯视下与所述第一电极重合；第三电极
(50C)
，其从所述一个谐振器延伸；以及
第四电极
(50D)
，其从所述另一个谐振器朝向所述第三电极延伸，且前端部在俯视下与所述第三电极重合
。6.
根据权利要求5所述的滤波器，其中，所述第一电极，与所述第二电极的至少1个角部在俯视下重合，所述第四电极，与所述第三电极的至少1个角部在俯视下重合
。7.
根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述滤波器具有在多个所述谐振器之间分别具备的电容耦合构造
(61A
至
61F)
，所述电容耦合构造具有从一个所述谐振器延伸的电容电极
(60ac、60ab)
和从另一个所述谐振器延伸的电容电极
(60ca、60ba)
，从所述一个谐振器延伸的所述电容电极的一部分和从所述另一个谐振器延伸的所述电容电极的一部分彼此接近
。8.
根据权利要求7所述的滤波器，其中，多个所述电容耦合构造中的第一电容耦合构造
(61A)
中的所述电容电极
(60ac、60ca)
之间的距离
(g2)
，比多个所述电容耦合构造中的第二电容耦合构造
(61C)
中的所述电容电极
(60ab、60ba)
之间的距离
(g1)
更大
。...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井嘉治，宫田祐一，西尾元太，铃木瞬，足立和哉，矶野浩之，小坂一马，
申请(专利权)人：双信电机株式会社，
类型：发明
国别省市：