【技术实现步骤摘要】
存储电路及数据的写入方法
[0001]本专利技术主要涉及到数据存储的
,确切的说,涉及到了在数据存储中可以避免数据无法写入或写入错误的存储电路及数据的写入方法
。
技术介绍
[0002]静态随机存储器
(SRAM)
作为存储器中的一员,具有高速度
、
低功耗与标准工艺相兼容等优点,广泛应用于
PC、
个人通信
、
消费电子产品
、
智能卡
、
数码相机
、
多媒体播放器等领域
。
再如工业科学的很多子系统,汽车电子等都用到
SRAM。
现代设备中很多都嵌入了数千字节的
SRAM。
实际上几乎所有实现了电子用户界面的现代设备都可能用到了
SRAM
,如玩具
、
数码相机
、
手机
、
音响合成器等用到几兆字节
SRAM。
实时信号处理电路往往使用双口
(Dual
‑
ported)
的
SRAM。
[0003]和动态随机存储器
DRAM(Dynamic Random Access Memory)
相比较,静态随机存储器
SRAM
不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据
。DRAM
每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此
SRAM
具有较高的
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种数据的写入方法,其特征在于,包括:在对静态随机存储单元写入数据的阶段,通过第一电平的字线信号和第一位线信号选择待写的静态随机存储单元:由该第一电平的第一位线信号将控制位线电位的位线开关接通
、
将低侧电压通过位线而锁存进第一存储节点;以及由第二电平的第二位线信号将控制位线非电位的位线非开关关断
、
将高侧电压通过位线非而锁存进与第一存储节点互补的第二存储节点;藉此将预写数值替代之前保存的当前数值而写入待写的静态随机存储单元;第一位线信号从第一电平跳变至第二电平而关断位线开关的跳变时刻,瞬时将低于高侧电压的一个预置电压耦合到位线一次,以避免预写数值回弹至当前数值,其中所述预置电压为一个独立的参照电压或为所述低侧电压或为一个负电压
。2.
根据权利要求1所述的方法,其特征在于:在所述预置电压与位线之间设置一个开关和一个源漏短接的晶体管,晶体管的两端对应分别连接到位线和通过所述开关连接到预置电压;第一位线信号分成两个支路,其中一者耦合到一个或非门的一个输入端,另一者通过延时单元和反相器后再耦合到或非门的另一输入端,或非门的输出控制所述开关的关断或接通
、
并在所述跳变时刻通过将所述开关接通而将预置电压耦合到位线一次
。3.
根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述低侧电压为参考地电压
、
高侧电压为静态随机存储单元工作的电源电压,所述预置电压为负电压时则限制其低于参考地电压
。4.
根据权利要求1所述的方法,其特征在于:该第一电平为高电平而该第二电平为低电平,或者该第一电平为低电平而该第二电平为高电平
。5.
根据权利要求1所述的方法,其特征在于:静态随机存储单元完成数据写入之后,字线信号和第一位线信均从该第一电平跳变至该第二电平,以退出对待写的静态随机存储单元的数据写操作
。6.
根据权利要求2所述的方法,其特征在于:在所述跳变时刻由预置电压对位线的瞬时耦合,使第一存储节点趋于接近低侧电压但还未到低侧电压的振荡
、
第二存储节点趋于接近高侧电压但还未到高侧电压的振荡,向着在第一与第二存储节点之间建立正反馈的趋势发展
。7.
一种数据的写入方法,其特征在于,包括:在对静态随机存储单元写入数据的阶段,通过第一电平的字线信号和第二位线信号选择待写的静态随机存储单元:由该第一电平的第二位线信号将控制位线非电位的位线非开关接通
、
将低侧电压通过位线非而锁存进第二存储节点;以及由第二电平的第一位线信号将控制...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙楠楠,于梦蛟,万波,
申请(专利权)人:百代上海数据技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。