含胺的化合物制造技术

本申请涉及由式1表示的含胺的化合物

【技术实现步骤摘要】
含胺的化合物、发光装置、电子装置及电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年6月3日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2022
‑
0068502号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。


[0003]实施方案涉及含胺的化合物、包含含胺的化合物的发光装置、包括所述发光装置的电子装置以及包括所述电子装置的电子设备。

技术介绍

[0004]与无机发光装置相比，有机发光装置可以具有更广的视角、更高的对比度和更短的响应时间。有机发光装置可以包括第一电极、空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极，它们按这种规定的顺序布置。由第一电极注入的空穴可以通过空穴传输区移动到发射层。由第二电极注入的电子可以通过电子传输区移动到发射层。诸如空穴和电子的载流子可以在发射层中复合。载流子可以复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态以产生光。
[0005]应理解，该
技术介绍
部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该
技术介绍
部分也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的构思、概念或认知。

技术实现思路

[0006]实施方案包括具有改善的空穴传输特性的含胺的化合物和通过使用所述含胺的化合物而具有低驱动电压、高亮度、高发光效率和长使用寿命的发光装置。实施方案可以包括包含所述发光装置的电子装置和高质量的包括所述电子装置的电子设备。
[0007]其它的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的实施方案的实践而获悉。
[0008]实施方案提供了可以由式1表示的含胺的化合物：
[0009][式1][0010][0011]在式1中，
[0012]L1至L3可以各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团，Ar1至Ar4可以各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，
[0013]a1至a3可以各自独立地是0至5的整数，
[0014]当a1是0时，由*
‑
(L1)
a1
‑
*'表示的基团可以是单键，
[0015]当a2是0时，由*
‑
(L2)
a2
‑
*'表示的基团可以是单键，
[0016]当a3是0时，由*
‑
(L3)
a3
‑
*'表示的基团可以是单键，
[0017]当a1是2至5时，多个L1可以彼此相同或不同，
[0018]当a2是2至5时，多个L2可以彼此相同或不同，
[0019]当a3是2至5时，多个L3可以彼此相同或不同，
[0020]R1至R4可以各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C7‑
C
60
芳基烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
杂芳基烷基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，
[0021]b3可以是0至2的整数，
[0022]当b3是2时，两个R3可以彼此相同或不同，
[0023]b4可以是0至3的整数，
[0024]当b4是2或3时，多个R4可以彼此相同或不同，
[0025]R1至R4中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，
[0026]R
10a
可以是：
[0027]氘(
‑
D)、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0028]各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团、C2‑
C
60
杂芳基烷基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及由式1表示的含胺的化合物：[式1]其中在式1中，L1至L3各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团，Ar1至Ar4各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，a1至a3各自独立地是0至5的整数，当a1是0时，由*
‑
(L1)
a1
‑
*'表示的基团是单键，当a2是0时，由*
‑
(L2)
a2
‑
*'表示的基团是单键，当a3是0时，由*
‑
(L3)
a3
‑
*'表示的基团是单键，当a1是2至5时，多个L1彼此相同或不同，当a2是2至5时，多个L2彼此相同或不同，当a3是2至5时，多个L3彼此相同或不同，R1至R4各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C7‑
C
60
芳基烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
杂芳基烷基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，b3是0至2的整数，当b3是2时，两个R3彼此相同或不同，b4是0至3的整数，当b4是2或3时，多个R4彼此相同或不同，R1至R4中的两个或多于两个任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的
C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团、C2‑
C
60
杂芳基烷基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团、C2‑
C
60
杂芳基烷基基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或其组合取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团或C2‑
C
60
杂芳基烷基基团；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)或
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地是：氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、
‑
F、氰基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其组合取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C7‑
C
60
芳基烷基基团或C2‑
C
60
杂芳基烷基基团，以及*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。2.电子装置，包括权利要求1所述的发光装置。3.由式1表示的含胺的化合物：[式1]其中在式1中，L1至L3各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团，Ar1至Ar4各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，
a1至a3各自独立地是0至5的整数，当a1是0时，由*
‑
(L1)
a1
‑
*'表示的基团是单键，当a2是0时，由*
‑
(L2)
a2
‑
*'表示的基团是单键，当a3是0时，由*
‑
(L3)
a3
‑
*'表示的基团是单键，当a1是2至5时，多个L1彼此相同或不同，当a2是2至5时，多个L2彼此相同或不同，当a3是2至5时，多个L3彼此相同或不同，R1至R4各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R

【专利技术属性】
技术研发人员：郑恩在，金珉知，朴炫彬，李政珉，崔志镕，韩相铉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：