一种双制造技术

本发明专利技术提供了一种双

【技术实现步骤摘要】
一种双T并联组合构型匹配网络和射频功率放大电路


[0001]本专利技术涉及射频通信领域，尤其涉及一种双
T
并联组合构型匹配网络和射频功率放大电路
。

技术介绍

[0002]目前，在现代无线通信应用中，多模多频通常是系统的标准配置
。
在可配置无线电
、
捷变频设备以及多频带载波聚合等场景中，传统的射频功率放大电路为了支持多频带工作，通常是基于多个分别支持不同频段的电路
、
元件的选择
、
切换实现，存在系统规模大
、
体积大的缺点
。
因此，亟需提供一种射频功率放大电路能够在支持双频率或多频率工作的同时，提高电路元件紧凑度和集成度
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种双
T
并联组合构型匹配网络和射频功率放大电路，用以在支持不同频段工作的同时，提高电路元件紧凑度和集成度
。
[0004]本专利技术提供了一种双
T
并联组合构型匹配网络，包括：并联的
T
型低频频带匹配网络和
T
型高频频带匹配网络，其中，
T
型低频频带匹配网络用于在射频功率放大器工作在低频频带下进行阻抗变换和匹配，在射频功率放大器工作在高频频带下进行隔离；
T
型高频频带匹配网络用于在射频功率放大器工作在高频频带下进行阻抗变换和匹配，在射频功率放大器工作在高频频带下进行隔离
。
[0005]一种可能的实施例中，所述
T
型高频频带匹配网络包括第一电容
C1、
第二电容
C2
以及第一电感
L1
；所述第一电容
C1
与第二电容
C2
串联，所述第一电容
C1
和第二电容
C2
之间连接点处连接有第一电感
L1
，所述第一电感
L1
的另一端接地
。
或者，所述
T
型高频频带匹配网络包括第一电容
C1、
第二电容
C2
以及第一短路短截线
TL1
；所述第一电容
C1
与第二电容
C2
串联，所述第一电容
C1
和第二电容
C2
之间连接点连接有第一短路短截线
TL1
，所述第一短路短截线
TL1
的另一端接地
。
[0006]另一种可能的实施例中，所述
T
型低频频带匹配网络包括第二电感
L2、
第三电感
L3
以及第三电容
C3
；所述第二电感
L2
与第三电感
L3
串联，所述第二电感
L2
与第三电感
L3
之间连接点处连接有第三电容
C3
，所述第三电容
C3
的另一端接地
。
[0007]再一种可能的实施例中，所述
T
型低频频带匹配网络包括第二短路短截线
TL2、
第三短路短截线
TL3
以及第四电容
C4
；所述第二短路短截线
TL2
与第三短路短截线
TL3
串联，所述第二短路短截线
TL2
与第三短路短截线
TL3
之间连接点连接有第四电容
C4
，所述第四电容
C4
的另一端接地
。
[0008]其它可能的实施例中，所述低频频带包括
Sub
‑
6G
频段，所述高频频带包括毫米波频段
。
[0009]第二方面，本专利技术提供一种射频功率放大电路，包括：功放晶体管
、
所述功放晶体管的输入端连接输入匹配网络，以及所述功放晶体管的输出端连接输出匹配网络；所述输
入匹配网络和输出匹配网络采用第一方面任一实施例所述的双
T
并联组合构型匹配网络
。
[0010]第三方面，本专利技术提供一种射频功率放大电路，包括第一有源放大器件和第二有源放大器件，所述第一有源放大器件的输入端连接输入匹配网络，所述第一有源放大器件的输出端连接级间匹配网络的第一端，所述级间匹配网络的第二端连接第二有源放大器件的输入端，所述第二有源放大器件的输出端连接输出匹配网络，其中，所述输入匹配网络
、
级间匹配网络和输出匹配网络均采用第一方面任一实施例所述的双
T
并联组合构型匹配网络
。
[0011]有益效果在于：上述设计的双
T
并联组合构型匹配网络，能够实现在低频频带和高频频带两个频带工作，基于双
T
并联组合构型匹配网络的射频功率放大电路，在支持不同频段工作的同时，电路结构紧凑
、
集成度高
、
设计难度小
、
容易实施
。
附图说明
[0012]图1为现有技术提供的一种基于双
T
并联组合构型匹配网络的射频功率放大电路的架构示意图；
[0013]图2为本专利技术实施例提供的两种双
T
并联组合构型的匹配网络示意图；
[0014]图3为本专利技术实施例提供的两种
T
HB
网络结构示意图；
[0015]图4为本专利技术实施例提供的两种
T
LB
网络结构示意图；
[0016]图5为本专利技术实施例提供的一种基于双
T
并联组合构型匹配网络的射频放大电路示意图；
[0017]图6为本专利技术实施例提供的另一种基于双
T
并联组合构型匹配网络的射频放大电路示意图
。
[0018]图例说明：
[0019]功放晶体管
10
；输入匹配网络
20
；输出匹配网络
30
；级间匹配网络
40
；第一功放晶体管
01
；第二功放晶体管
02
；
[0020]第一电容
C1
；第二电容
C2
；第三电容
C3
；第四电容
C4
；第一电感
L1
；第二电感
L2
；第三电感
L3
；第一短路短截线
TL1
；第二短路短截线
TL2
；第三短路短截线
TL3
；
[0021]低频频带输入匹配通道
101
；高频频带输入匹配通道
102
；低频频带本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种双
T
并联组合构型匹配网络，其特征在于，包括：并联的
T
型低频频带匹配网络和
T
型高频频带匹配网络，其中，
T
型低频频带匹配网络用于在射频功率放大器工作在低频频带下进行阻抗变换和匹配，在射频功率放大器工作在高频频带下进行隔离；
T
型高频频带匹配网络用于在射频功率放大器工作在高频频带下进行阻抗变换和匹配，在射频功率放大器工作在高频频带下进行隔离
。2.
根据权利要求1所述的双
T
并联组合构型匹配网络，其特征在于，所述
T
型高频频带匹配网络包括第一电容
C1、
第二电容
C2
以及第一电感
L1
；所述第一电容
C1
与第二电容
C2
串联，所述第一电容
C1
和第二电容
C2
之间连接点处连接有第一电感
L1
，所述第一电感
L1
的另一端接地
。3.
根据权利要求1所述的双
T
并联组合构型匹配网络，其特征在于，所述
T
型高频频带匹配网络包括第一电容
C1、
第二电容
C2
以及第一短路短截线
TL1
；所述第一电容
C1
与第二电容
C2
串联，所述第一电容
C1
和第二电容
C2
之间连接点连接有第一短路短截线
TL1
，所述第一短路短截线
TL1
的另一端接地
。4.
根据权利要求1至3任一项所述的双
T
并联组合构型匹配网络，其特征在于，所述
T
型低频频带匹配网络包括第二电感
L2、
第三电感
L3
以及第三电容
C3<...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩克锋，韩科锋，闫娜，
申请(专利权)人：嘉善复旦研究院，
类型：发明
国别省市：