用于确定制造技术

一种用于确定第一类型的

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于确定MOSFET的漏极源极接触电阻的温度特性的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于确定
MOSFET
的漏极源极接触电阻
(Durchgangswiderstand)
的温度特性的方法以及一种用于执行该方法的组件
。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体场效应晶体管
(MOSFET
：
metal
‑
oxide
‑
semiconductor field
‑
effect transistor)
是具有绝缘栅极的场效应晶体管
。
在下文中，这也包括所谓的
MISFET(Metall
‑
Isolator
‑
Halbleiter
‑
Feldeffekttransistor
，金属绝缘体半导体场效应晶体管
)
，在该
MISFET
中，使用非氧化物的电介质
。
[0003]在
MOSFET
的情况下，通过控制电压
、
即栅极源极电压或通过在第三接头
、
即所谓的栅极上的控制电位，控制在两个接头之间的
、
即在漏极与源极之间的半导体区域中的电流流动
。MOSFET
的特性由一系列参量决定，在所述参量中，在此更详细地观察漏极源极导通电阻或漏极源极接触电阻，该漏极源极接触电阻又主要与温度相关
。
[0004]MOSFET
的漏极源极接触电阻的温度特性通常在定义的测试边缘条件下根据该漏极源极接触电阻的典型的温度性能来描述，在许多情况下归一化为该漏极源极接触电阻在
25℃
的情况下的典型的值，所述测试边缘条件尤其涉及栅极源极电压
。
该描述附加地通过对在
25℃
的温度下和在最大运行温度下典型的极限值和最大极限值的说明来补充
。
然而，这在不同温度下较少地进行
。
对漏极源极接触电阻的最小值的说明则更少，尤其是在多个温度下
。
在这种背景下，参考图
1。
[0005]目前没有对
MOSFET
的漏极源极接触电阻的温度特性的较准确的说明可供使用，该说明会允许能够将该
MOSFET
用作用于准确的电流测量的电流传感器
。
[0006]造成这种情况的主要原因在于，在批量生产中对每个单个的晶体管在不同温度下进行多次测量的费用不经济，并且在于，缺少一种方法，该方法允许基于少量的代表性样品的分析数据或表征数据来准确地描述或分析漏极源极接触电阻的温度特性
。

技术实现思路

[0007]在该背景下，提出一种具有权利要求1的特征的方法和一种根据权利要求9的组件
。
由从属权利要求和说明书得出实施方式
。
[0008]所提出的用于确定
MOSFET
的漏极源极接触电阻的温度特性的方法包括下述步骤：确定由漏极源极接触电阻在第一温度下的第一值和漏极源极接触电阻在为
MOSFET
类型表征所确定的参考温度下的第二值构成的差值的特定于温度的线性化系数，所述确定根据由漏极源极接触电阻在相同的参考温度下的第一值和漏极源极接触电阻在相同的参考温度下的平均值构成的差值进行，所述平均值来自于在生产
、
尤其是批量生产中针对一定数量的同一类型的
MOSFET
样品的测量，确定在第一步骤中求取出的特定于温度的线性化系数的温度相关性，以便确定特定于所表征的
MOSFET
类型的
、
与温度相关的德尔塔电阻
(TDDR)
，将特定于
MOSFET
类型的
TDDR
用于重建一个个体化的
MOSFET
的漏极源极接触电阻的温度相关
性或者同一
MOSFET
类型的多个
MOSFET
的电路的漏极源极接触电阻的温度相关性
。
[0009]在下文中，结合
MOSFET
来描述所描述的方法
。
应注意，在此，名称
MOSFET
也包括所谓的
MISFET(Metall
‑
Isolator
‑
Halbleiter
‑
Feldeffekttransistor
，金属绝缘体半导体场效应晶体管
)
，在该
MISFET
中，使用非氧化物的电介质
。
[0010]在此提出的分析方法能够实现，根据为该
MOSFET
类型所确定的特定的与温度相关的德尔塔电阻
(TDDR)
和个体化的
MOSFET
在在该分析方法中所确定的参考温度下的漏极源极接触电阻的值，准确地描述借助该方法表征的
MOSFET
类型的每个个体化的
MOSFET
的漏极源极接触电阻的温度相关性，然而，所述参考温度适宜地不一定等于在
MOSFET
批量生产中的漏极源极接触电阻的表征温度或者等于在控制器生产中能够用作电流传感器的
MOSFET
的或者
MOSFET
组的漏极源极接触电阻的校准温度
。
尤其是，当
MOSFET
或者由多个同一类型的
MOSFET
组成的电路用作精确的或准确的电流传感器时，这是重要的
。
对特定于
MOSFET
类型的
TDDR
的确定，适宜地基于小数量的代表性样品的表征数据或分析数据来进行
。
通过这种方式，可以丰富现有技术
。
[0011]将
MOSFET
的漏极源极接触电阻用作准确的电流传感器，能够实现，在实施冗余的电流测量时显著地降低成本，所述冗余的电流测量尤其是在安全关键型应用中是必需的，例如在自主驾驶或者自动化驾驶时
。
在此，不需要将特殊的部件用于电流测量，例如测量电阻或者基于霍尔效应
、
磁阻效应或者别的效应的其他电流传感器
。
此外，可以使用已经安装在系统中的部件的性能，所述部件例如是所使用的
MOSFET。
除此之外，不发生附加的功率损失
。
这简化控制器的热构型并且降低产品成本
。
此外，可以降低控制单元的运行温度，这在与高的运行温度同时出现的故障机制方面提高这些控制单元的可靠性
。
[0012]所描述的组件设立为用于执行所提出的方法，并且例如在硬件和
/
或软件中实现
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于确定第一类型的
MOSFET(502)
的漏极源极接触电阻
(510)
的温度特性的方法，所述方法具有下述步骤：确定由所述漏极源极接触电阻
(510)
在第一温度下的第一值和所述漏极源极接触电阻
(510)
在为
MOSFET
类型表征所确定的参考温度下的第二值构成的差值的特定于温度的线性化系数，所述确定根据由所述漏极源极接触电阻
(510)
在相同的参考温度下的第一值和所述漏极源极接触电阻
(510)
在相同的参考温度下的平均值构成的差值进行，所述平均值来自于在生产时针对一定数量的所述第一类型的
MOSFET
样品的测量，确定在第一步骤中求取出的特定于温度的线性化系数的温度相关性，以便确定特定于所表征的数量的
、
所述第一类型的
MOSFET
样品的与温度相关的德尔塔电阻
(TDDR)
，将特定于所述
MOSFET
类型的
TDDR
用于重建所述第一类型的至少一个个体化的
MOSFET(502)
的漏极源极接触电阻
(510)
的温度相关性
。2.
根据权利要求1所述的方法，其中，在多个所述第一类型的
MOSFET
的电路中使用所述特定的
TDDR。3.
根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述
TDDR
用于考虑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：罗伯特，
类型：发明
国别省市：