直写光刻数据处理方法与系统技术方案

本发明专利技术提供一种直写光刻数据处理方法与系统，其直写光刻数据处理方法主要将原始矢量图按照使用的存储单元数量做条形切片得到相应于并行处理通道数量的切片，按照预设分辨率以及倾斜因子

【技术实现步骤摘要】
直写光刻数据处理方法与系统


[0001]本专利技术涉及激光直写光刻
，具体涉及一种直写光刻数据处理方法与系统
。

技术介绍

[0002]基于
DMD(
数字微镜器件
)
开发的无掩模激光直写技术可以用于多种平板印刷领域，包括但不限于激光直写光刻
、
光敏
3D
打印等
。
无掩模激光直写设备因其免掩模成本
、
灵活性高等特点已经成为
PCB(
印制电路板
)
制板领域中的关键设备
。
[0003]应用倾斜扫描技术提高无掩模激光直写工艺的分辨率已经是本领域中的成熟技术，最早可追溯到
2003
年发表的相关论文
《
高分辨率无掩模光刻
》(Chan K F,Feng Z,Yang R,etal.High
‑
resolution maskless lithography[J].Journal of Micro/Nanolithography,MEMS and MOEMS,2003,2(4):331
‑
339.)。
相关作者为专利技术人的于
2002
年
10
月
29
日公开的公开号为
US06473237B2
的名为
《
点阵式无掩模光刻
》(Mei W.Point array maskless lithography:U.S.Patent 6,473,237[P].2002
‑
10
‑
29.)
同时公开了基于倾斜扫描技术提升光刻分辨率的数据处理方法
。
简而言之，使用倾斜扫描虽然可以提升分辨率，但是是以增加数据量为代价的，倾斜扫描技术所需的点阵数据量是原始点阵数据量的倍数，倍率为倾斜因子，是一个至少大于1的整数
。
希望的分辨率越高，倾斜因子越大，则点阵数据量越大
。
数据量的提升导致了激光直写光刻技术的生产效率降低
。
[0004]虽然微电子技术已经发生了巨大的发展，处理器与储存器的计算能力与存储容量有很大的提高，但是
DMD
的分辨率也发生了巨大的进步，从
848x600
提升到了
2048x1080。
与此同时，技术的飞速进步，尤其是便携设备的普及，也对
PCB
提出了更高的要求，要求其具有更精细的线宽
、
更紧密的排布，进而要求提高
PCB
制作工艺的分辨率与精度
。
因此，技术发展并没有解决倾斜扫描技术的生产效率问题，在新的背景下，倾斜扫描技术的效率问题仍然存在
。

技术实现思路

[0005]针对现有的应用倾斜扫描技术的激光直写光刻技术仍然存在的由于数据量大而带来的生产效率低的问题，本专利技术提供一种直写光刻数据处理方法与系统
。
[0006]本专利技术的技术方案提供一种直写光刻数据处理方法，包括如下步骤：
[0007]S1.
图形分片步骤，将原始矢量图按照使用的存储单元数量做条形切片得到相应于并行处理通道数量的切片；
[0008]S2.
栅格化步骤，在每一并行处理通道中，按照预设分辨率以及倾斜因子
N
对所述切片做栅格化处理，得到相应于该并行处理通道的分片栅格化数据，
[0009]S3.
倾斜处理步骤，在每一并行处理通道中，对相应的分片栅格化数据做倾斜处理，使相应的分片栅格化数据沿切片方向倾斜，并使得所有的分片栅格化数据依次拼接后分片栅格化数据各扫描列起点沿倾斜直线对齐，
[0010]其中
S3
倾斜处理步骤包括：
[0011]S31.
偏转步骤，在每一并行处理通道中，对相应的分片栅格化数据的每一扫描列起点做适当偏转，使得偏转后的所有扫描列起点连线为与未偏移前的数据基线呈角度的倾斜直线；
[0012]S32.
偏移步骤，在偏转后，在每一并行处理通道中，对相应的分片栅格化数据的起始位置可选地沿扫描方向偏移，使得偏移后所有分片栅格化数据的每一扫描列起点位于同一倾斜直线上
。
[0013]优选地，所述
S31
偏转步骤中，在每一并行处理通道中，所述倾斜直线与所述数据基线之间的角度为
θ
＝
arctan(1/N)
，所述分片栅格化数据中第
i
个扫描列的偏移量为
v
＝
i
·
d/N
，其中的
d
为栅格点的中心距
。
[0014]优选地，所述
S32
偏移步骤中，在每一并行处理通道中，获取对应的分片栅格化数据的首个扫描列在整幅数据中的列序数
j
，计算当前分片的栅格化数据的偏移量为
H
j
＝
j
·
d/N
，其中，
d
为栅格点的中心距
。
[0015]优选地，所述列序数
j
通过拼接时位于当前分片栅格化数据之前的其他分片栅格化数据计算：其中，
S
r
为每一个分片切分以后的扫描列数量信息
。k
为当前分片栅格化数据之前的分片栅格化数据数量
。
[0016]优选地，所述
S1
图形分片步骤中，保持切片的长度方向与原始图像的长度一致，根据预设规则在图像的宽度方向进行切分
。
[0017]优选地，所述分片栅格化数据长度方向分辨率为与曝光需要的长度方向分辨率相同，宽度方向上的分辨率为
K
＝
(W
·
N)
·
r/R
，其中，
W
为曝光所用的
DMD
器件
(1)
的宽度方向分辨率，
R
为原始矢量图宽度，
r
为分片栅格化数据的宽度
。
[0018]优选地，所述
S1
图形分片步骤中切片方式为等分切片，切片数量为
M
，所述
S32
偏移步骤中，依序排列的序数为
m
的分片栅格化数据的偏移量为
H
＝
(m
‑
1)
·
H
s
，其中，
H
s
为单位偏移量
H
s
＝
W/M
，
W
为曝光所用的
DMD
器件
(1)
的宽度方向分辨率
。
[0019]本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种直写光刻数据处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.
图形分片步骤，将原始矢量图按照使用的存储单元数量做条形切片得到相应于并行处理通道数量的切片，
S2.
栅格化步骤，在每一并行处理通道中，按照预设分辨率以及倾斜因子
N
对所述切片做栅格化处理，得到相应于该并行处理通道的分片栅格化数据，
S3.
倾斜处理步骤，在每一并行处理通道中，对相应的分片栅格化数据做倾斜处理，使相应的分片栅格化数据沿切片方向倾斜，并使得所有的分片栅格化数据依次拼接后分片栅格化数据各扫描列起点沿倾斜直线对齐，其中
S3
倾斜处理步骤包括：
S31.
偏转步骤，在每一并行处理通道中，对相应的分片栅格化数据的每一扫描列起点做适当偏转，使得偏转后的所有扫描列起点连线为与未偏移前的数据基线呈角度的倾斜直线，
S32.
偏移步骤，在偏转后，在每一并行处理通道中，对相应的分片栅格化数据的起始位置可选地沿扫描方向偏移，使得偏移后所有分片栅格化数据的每一扫描列起点位于同一倾斜直线上
。2.
如权利要求1所述的直写光刻数据处理方法，其特征在于，所述
S31
偏转步骤中，在每一并行处理通道中，所述倾斜直线与所述数据基线之间的角度为
θ
＝
arctan(1/N)
，所述分片栅格化数据中第
i
个扫描列的偏移量为
v
＝
i
·
d/N
，其中的
d
为栅格点的中心距
。3.
如权利要求1所述的直写光刻数据处理方法，其特征在于，所述
S32
偏移步骤中，在每一并行处理通道中，获取对应的分片栅格化数据的首个扫描列在整幅数据中的列序数
j
，计算当前分片的栅格化数据的偏移量为
H
j
＝
j
·
d/N
，其中，
d
为栅格点的中心距
。4.
如权利要求3所述的直写光刻数据处理方法，其特征在于，所述列序数
j
通过拼接时位于当前分片栅格化数据之前的其他分片栅格化数据计算：
j
＝
∑
rk
＝1(S
r
)+1
，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：周安萌，
申请(专利权)人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：