采集芯片的采样数据的处理方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种采集芯片的采样数据的处理方法

【技术实现步骤摘要】
采集芯片的采样数据的处理方法、装置、设备及存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及数据采样
，尤其涉及一种采集芯片的采样数据的处理方法
、
装置
、
设备及存储介质
。

技术介绍

[0002]供电电压
、
基准电压和环境温度都会影响模拟信号转数字信号的采集芯片
(
简称
AD
芯片
)
采样的准确度及精度
。
如果供电电压
、
基准电压和环境温度中的至少一项不满足额定条件，
AD
芯片可能产生异常采样值，引起保护装置不正常动作，也有可能使得采样值的误差超范围，造成测量误差过大
。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种采集芯片的采样数据的处理方法
、
装置
、
设备及存储介质，基于采集芯片的工作状态调整滤波参数，提高滤波处理后的采样数据的准确度及精度
。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种采集芯片的采样数据的处理方法，包括：
[0005]获取采集芯片的实际电压信息；其中，所述实际电压信息包括实际供电电压及实际基准电压；
[0006]根据所述实际电压信息确定所述采集芯片的工作状态；其中，所述工作状态包括异常状态及正常状态；
[0007]根据所述工作状态确定滤波参数；其中，所述滤波参数包括窗长度及偏差系数；
[0008]根据所述滤波参数对所述采集芯片的采样数据进行滤波处理
。
[0009]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种采集芯片的采样数据的处理装置，该装置包括：
[0010]实际电压信息获取模块，用于获取采集芯片的实际电压信息；其中，所述实际电压信息包括实际供电电压及实际基准电压；
[0011]工作状态确定模块，用于根据所述实际电压信息确定所述采集芯片的工作状态；其中，所述工作状态包括异常状态及正常状态；
[0012]滤波参数确定模块，用于根据所述工作状态确定滤波参数；其中，所述滤波参数包括窗长度及偏差系数；
[0013]滤波处理模块，用于根据所述滤波参数对所述采集芯片的采样数据进行滤波处理
。
[0014]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
[0015]至少一个处理器；以及
[0016]与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
[0017]所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本专利技术实施例所述的采集芯片的采样数据的处理方法
。
[0018]第四方面，本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本专利技术实施例所述的采集芯片的采样数据的处理方法
。
[0019]本专利技术实施例公开了一种采集芯片的采样数据的处理方法
、
装置
、
设备及存储介质，包括：获取采集芯片的实际电压信息；其中，实际电压信息包括实际供电电压及实际基准电压；根据实际电压信息确定采集芯片的工作状态；其中，工作状态包括异常状态及正常状态；根据工作状态确定滤波参数；其中，滤波参数包括窗长度及偏差系数；根据滤波参数对采集芯片的采样数据进行滤波处理
。
本专利技术实施例提供的采集芯片的采样数据的处理方法，基于采集芯片的实际电压信息确定芯片所处的工作状态，根据采集芯片的工作状态调整滤波参数，基于该滤波参数对采集芯片的采样数据进行滤波处理，提高采样数据的准确度及精度，避免保护装置的不正确动作，提高装置采样值容错纠错能力
。
附图说明
[0020]图1是本专利技术实施例一中的一种采集芯片的采样数据的处理方法的流程图；
[0021]图2是本专利技术实施例中对采集芯片的实际电压信息进行采样的示例图；
[0022]图3是本专利技术实施例二中的一种采集芯片的采样数据的处理方法的流程图；
[0023]图4是本专利技术实施例三中的一种采集芯片的采样数据的处理方法的流程图
。
[0024]图5是本专利技术实施例四中的一种采集芯片的采样数据的处理装置的结构示意图；
[0025]图6是本专利技术实施例五中的一种电子设备的结构示意图
。
具体实施方式
[0026]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明
。
可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定
。
另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构
。
[0027]实施例一
[0028]图1为本专利技术实施例一提供的一种采集芯片的采样数据的处理方法的流程图，本实施例可适用于对采集芯片的采样数据进行处理的情况，该方法可以由采集芯片的采样数据的处理装置来执行，该装置可以通过软件和
/
或硬件的形式实现，可选的，通过电子设备来实现，该电子设备可以是移动终端
、PC
端或服务器等
。
具体包括如下步骤：
[0029]S110、
获取采集芯片的实际电压信息
。
[0030]其中，实际电压信息包括实际供电电压及实际基准电压
。
[0031]本实施例中，通过采集芯片的交叉采样设计，使用一片采集芯片对另一片采集芯片的实际供电电压和基准电压进行采样，获得采集芯片的实际电压信息
。
示例性的，图2是本专利技术实施例中对采集芯片的实际电压信息进行采样的示例图，如图2所示，
Vcc
表示供电电压，
Vref
表示基准电压，
In1
和
In2
表示
AD
芯片的模拟输入，
Out
表示
AD
芯片的数字输出
。
[0032]具体的，当采用
AD2
芯片对
AD1
芯片的实际供电电压和基准电压进行采样时，将
AD1
的
Vcc
引脚与
AD2
的模拟输入引脚
In2
进行连接，同时将
AD1
的
Vref
引脚与
AD2
的模拟输入引脚
In1
进行连接，最后通过
AD2
的输出引脚，输出
AD1
芯片的实际供电电压和基准电压
。
反之，当采用
AD1
芯片对
AD2
芯片的实际供电电压和基准电压进行采样时，将
AD2
的
Vcc
引脚与
AD1
的模拟输入引脚...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种采集芯片的采样数据的处理方法，其特征在于，包括：获取采集芯片的实际电压信息；其中，所述实际电压信息包括实际供电电压及实际基准电压；根据所述实际电压信息确定所述采集芯片的工作状态；其中，所述工作状态包括异常状态及正常状态；根据所述工作状态确定滤波参数；其中，所述滤波参数包括窗长度及偏差系数；根据所述滤波参数对所述采集芯片的采样数据进行滤波处理
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述实际电压信息确定所述采集芯片的工作状态，包括：若所述实际供电电压与额定供电电压间的偏差大于第一设定阈值，和
/
或，所述实际基准电压与额定基准电压间的偏差大于第二设定阈值，则所述采集芯片处于异常状态；若所述实际供电电压与额定供电电压间的偏差小于或等于所述第一设定阈值，且所述实际基准电压与额定基准电压间的偏差小于或等于所述第二设定阈值，则所述采集芯片处于正常状态
。3.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述工作状态确定滤波参数，包括：若所述采集芯片处于异常状态，则将所述窗长度调整为第一长度，将所述偏差系数调整为第一系数；若所述采集芯片处于正常状态，则将所述窗长度调整为第二长度，将所述偏差系数调整为第二系数；其中，所述第一长度大于所述第二长度，所述第一系数小于所述第二系数
。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述滤波参数对所述采集芯片的采样数据进行滤波处理之后，还包括：获取所述采集芯片的实际环境温度；确定所述实际环境温度与额定环境温度间的偏差；根据所述偏差确定调整比例；基于所述调整比例对滤波处理后的采样数据进行调整
。5.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述滤波参数对所述采集芯片的采样数据进行滤波处理，包括：提取所述窗长度的采样数据的中位值；确定各所述采样数据分别与所述中位值的差值；提取各差值的中位值，...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍凯鹏，苗文彬，刘龙，宋忠鹏，赵琦，孙启锐，
申请(专利权)人：上海思源弘瑞自动化有限公司，
类型：发明
国别省市：