【技术实现步骤摘要】
光学临近修正模型的训练方法、光学临近修正方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造的
,尤其涉及一种光学临近修正模型的训练方法
。
技术介绍
[0002]为实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面,通常需要经过曝光步骤
、
曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤
。
在曝光步骤中,光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上,光刻胶在光线的照射下发生化学反应;在显影步骤中,利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同,形成光刻图案,实现图案从掩膜版到光刻胶上的转移;在刻蚀步骤中,基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀,将掩膜版的图案进一步转移至硅片上
。
[0003]在半导体制造中,随着设计尺寸的不断缩小,设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限,光的衍射效应变得越来越明显,导致最终对设计图形产生光学影像退化,实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变,最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同,这种现象称为光学邻近效应
(OPE
:
Optical Proximity Effect)。
[0004]为了修正光学邻近效应,便产生了光学邻近修正
(OPC
:
Optical Proximity Correction)。
光学邻近修正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近修正模型,根据光学邻近修正模型设计光掩模图形,这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种光学临近修正模型的训练方法,其特征在于,包括:对版图的主图形的边缘进行分段;对所得到的分段进行分类;将每个分段的类别
、
该分段的信息以及该分段的几何环境信息作为光学临近修正模型的输入参数,将每个分段的光学临近修正量作为光学临近修正模型的输出参数,对光学临近修正模型进行训练
。2.
如权利要求1所述的光学临近修正模型的训练方法,其特征在于,对版图的主图形的边缘进行分段包括:定义分段的最小长度范围和最大长度范围;遍历每一个边缘;对于当前边缘,通过外部边缘投影的方式产生当前边缘的断点,得到当前边缘的初始分段;若初始分段的长度大于最大长度范围的最大值,则对初始分段进行均分,使得均分后的每一个边缘分段的长度大于等于最小长度范围的最小值,且小于等于最大长度范围的最大值;若初始分段的长度小于最小长度范围的最小值,则将初始分段与其相邻且具有最小空间宽度的分段进行合并,使得合并后的边缘分段的长度大于等于最小长度范围的最小值,且小于等于最大长度范围的最大值
。3.
如权利要求1所述的光学临近修正模型的训练方法,其特征在于,根据分段在其所属的多边形内的位置对分段进行分类
。4.
如权利要求3所述的光学临近修正模型的训练方法,其特征在于,所述分段的类别包括凹角边
,
凸角边,线端,线端邻边以及普通边当中的至少一种
。5.
如权利要求1所述的光学临近修正模型的训练方法,其特征在于,所述分段的信息至少包括分段的长度
、
分段的线宽以及分段的空间宽度
。6.
如权利要求1所述的光学临近修正模型的训练方法,其特征在于,所述分段的几何环境信息至少包括该分段的前继分段的类别
、
分段信息,后继分段的类别以及分段信息
。7.
如权利要求6所述的光学临近修正模型的训练方法,其特征在于,所述分段的几何环境信息至少包括该分段的前继分段的类别
、
分段信息,后继分段的类别以及分段信息,内部正对分段的类别
、
分段信息
、
内部正对分段与该分段的投影长度,外部正对分段的类别
...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜杳隽,陈红,
申请(专利权)人:深圳国微福芯技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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