一种晶硅料冷碎加热设备的物料传动结构制造技术

本发明专利技术涉及晶硅材料的加热冷碎处理技术领域，涉及一种晶硅料冷碎加热设备的物料传动结构，包括：上料部，用以提升晶硅料并转送至传输部；传输部，用以承接晶硅料并输送进入炉体，传输部包括用以支承晶硅料的支承台，支承台上设置有用以保持晶硅料位置稳定的凹凸结构，支承台由水平输送机构带动并在水平面上形成循环输送；下料部，设置于传输部的末端并用以承接晶硅料；浸冷部，与下料部配合并用以承接晶硅料，并将晶硅料浸入冷浸池中进行冷却，完成冷却后将晶硅料提升并外输

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅料冷碎加热设备的物料传动结构


[0001]本专利技术涉及晶硅材料的加热冷碎处理
，涉及一种晶硅料冷碎加热设备的物料传动结构
。

技术介绍

[0002]晶硅料是太阳能光伏产业的重要原材料，其加工处理需要有严格的环境控制，在晶硅块料的破碎工序中，要严格防止杂质离子的引入并尽量减少破碎过程中细小晶硅料及粉体的产生
。
[0003]当前采用的晶硅料加热冷碎工艺设备实现了有固定形状规格的晶硅料的连续加热
、
冷却处理
。
但由于加热炉输送机构的限制只能适用于有一定长度的圆棒
、
方棒料的处理，而晶硅生产过程中要产生大量的饼状，锥状
、
月牙状的头尾料，边皮料
。
由于没有合适的高温炉内运载方式，晶硅生产中约有
30
％的晶硅料无法采用连续冷碎工艺处理，只能采用传统的人工破碎方式
。
劳动强度大
、
工作环境差，低价质小料粉料多，晶硅料易被污染
。
[0004]可见，当前的晶硅料加热冷碎处理方式还存在亟待改进的空间，以增大对晶硅料处理的适用范围，进一步提高晶硅行业晶硅料的破碎自动化程度，进一步提高高品质晶硅料的收率，降低原料消耗
。
故需要提出更为合理的技术方案，解决现有技术中存在的技术问题
。

技术实现思路

[0005]至少为克服其中一种上述内容提到的缺陷，本专利技术提出一种晶硅料冷碎加热设备的物料传动结构，通过对支承台结构的改进可对多种尺寸的晶硅料进行输送和处理，提高了材料的利用率，减少了损耗，从而可降低整体运行成本
。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术公开的物料传动结构可采用如下提出的技术方案：
[0007]一种晶硅料冷碎加热设备的物料传动结构，包括：
[0008]上料部，用以提升晶硅料并将晶硅料转送至传输部：
[0009]传输部，用以承接晶硅料并将晶硅料连续输送进入炉体，传输部包括用以支承晶硅料的支承台，支承台上设置有用以保持晶硅料位置稳定的凹凸结构，支承台由水平输送机构带动并在水平面上形成循环输送；
[0010]下料部，设置于传输部的末端并用以承接晶硅料；
[0011]浸冷部，与下料部配合并用以承接晶硅料，并将晶硅料浸入冷浸池中进行冷却，完成冷却后将晶硅料提升并外输
。
[0012]上述公开的物料传动结构，通过上料部将常温的晶硅料输送至炉体的进料口并转送至传输部，传输部将晶硅料送入炉体中并加热至既定的温度且从炉体的尾部送出，送出时由下料部转送至浸冷部以实现晶硅料的冷却处理，冷却处理后晶硅料内部产生巨大的结构应力，经过后续简单处理即可得到粒径适中分布小的优质晶硅料
。
支承台成对组合使用，其上设置有凹凸限位结构，且炉内输送过程中晶硅料与支承台无相对运动，可实现棒料
、
块
状料，边皮料等各类结构形状的晶硅料输送，从而大大提高了水碎工艺的适用范围
。
[0013]进一步的，本专利技术中，上料部
、
下料部均与传输部配合以实现晶硅料的输送，配合结构可采用多种形式，其并不被唯一限定，此处进行优化并提出其中一种可行的选择：所述的上料部与下料部均包括第一升降机构，第一升降机构上设置有运载部，运载部设置有用以放置晶硅料的放置部；第一升降机构用以带动运载部上升或下降，并由第一旋转机构带动运载部进行旋转以实现旋转换位，运载部旋转换位后使晶硅料与支承台对正，并通过第一升降机构下降以将晶硅料放置到支承台或冷浸部
。
采用如此方案时，第一升降机构可采用升降杆
、
升降架等结构，第一旋转机构可设置在第一升降机构的下方并带动整个第一升降机构转动，同时运载部随同第一升降机构转动并实现
180
°
的位置切换；在其他一些方案中，也可将第一旋转机构设置在第一升降机构的顶部，并用于驱动运载部转动实现换位
。
第一旋转机构可采用电机配合传动齿轮进行驱动，并采用套筒结构或转盘结构作为转动座，用以带动第一升降机构或运载部转动
。
[0014]进一步的，在本专利技术中，上料部在将晶硅料放置到传输部时，物料需要平稳交接以避免发生滚落，具体可通过多种结构实现，此处进行优化并提出其中一种可行的选择：所述的上料部还包括用以放置晶硅料的载物台，所述的运载部上设置有开口槽，载物台的宽度小于开口槽的宽度且载物台位于开口槽内侧，当运载部从载物台下方上升时将载物台上的晶硅料拾起并继续抬升；支承台的宽度小于开口槽的宽度，当运载部对正支承台下降并降低至支撑台下方时完成晶硅料放置，或运载部对正冷浸部下降至冷浸部下方时完成晶硅料放置
。
采用如此方案时，支承台上也可设置便于晶硅料定位的结构，例如定位槽结构等；同时开口槽上设置对应的定位圆弧或定位凸起等结构以使晶硅料在运载转运的过程中保持平稳
。
[0015]进一步的，水平输送机构从单一方向将晶硅料输送进入炉体和送出炉体，但水平输送机构形成循环输送的结构，具体可通过多种结构实现，其并不被唯一限定，此处进行优化并提出其中一种可行的选择：所述的水平输送机构包括循环轨道，循环轨道上配合设置有若干用以连接支承台的支承架；还包括驱动组件，驱动组件带动支承架沿循环轨道循环输送
。
采用如此方案时，支承架通过行走轮与循环轨道配合并沿循环轨道行进；驱动组件在水平方向形成闭合的循环牵引，则支承架也形成闭合的循环行进轨迹
。
[0016]再进一步，驱动组件的结构并不被唯一限定，此处进行优化并提出其中一种可行的选择：所述的驱动组件包括至少两根驱动轴，驱动轴上设置有转轮且至少一根驱动轴上设置驱动轮，另一根驱动轴上设置从动轮，驱动轮与从动轮之间连接有传动件，所述的支承架与传动件连接并随传动件同步移动
。
采用如此方案时，传动件可采用传动链或传动带，并且驱动轴纵向设置，可在驱动轴上沿纵向设置多个转轮并同步进行传动，可提高传动的平稳性
。
[0017]进一步的，在一些方案中，水平输送机构的设置方式并不被唯一限定，在本专利技术中进行优化并提出其中一种可行的选择：所述的水平输送机构在晶硅料行进方向的两侧镜像对称设置
。
采用如此方案时，两侧的水平输送机构同步运行并使支承台一一成对同步行进，从而可更加平稳的输送晶硅料并提升运送效率，且适用于更多规格尺寸晶硅料的处理
。
[0018]进一步的，在本专利技术中，支承台的结构可被优化并提出其中一种可行的选择：所述的支承台包括一用以放置晶硅料的支承面，所述的凹凸结构位于支承面上，且凹凸结构包
括
V
形凹凸槽
。
采用如此方案时，
V
形凹凸槽的宽度小于支承面的宽度，在放置圆盘料时更加稳定，同时在放置残余料或细碎料时也能实现兼容，尤其是在放置细碎料时，可通过设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶硅料冷碎加热设备的物料传动结构，其特征在于，包括：上料部，用以提升晶硅料
(3)
并将晶硅料
(3)
转送至传输部：传输部，用以承接晶硅料
(3)
并将晶硅料
(3)
连续输送进入炉体
(1)
，传输部包括用以支承晶硅料
(3)
的支承台
(2)
，支承台
(2)
上设置有用以保持晶硅料
(3)
位置稳定的凹凸结构，支承台
(2)
由水平输送机构带动并在水平面上形成循环输送；下料部，设置于传输部的末端并用以承接晶硅料
(3)
；浸冷部，与下料部配合并用以承接晶硅料
(3)
，并将晶硅料
(3)
浸入冷浸池
(16)
中进行冷却，完成冷却后将晶硅料
(3)
提升并外输
。2.
根据权利要求1所述的晶硅料冷碎加热设备的物料传动结构，其特征在于：所述的上料部与下料部均包括第一升降机构
(11)
，第一升降机构
(11)
上设置有运载部
(12)
，运载部
(12)
设置有用以放置晶硅料
(3)
的放置部
(1201)
；第一升降机构
(11)
用以带动运载部
(12)
上升或下降，并由第一旋转机构带动运载部
(12)
进行旋转以实现旋转换位，运载部
(12)
旋转换位后使晶硅料
(3)
与支承台
(2)
对正，并通过第一升降机构
(11)
下降以将晶硅料
(3)
放置到支承台
(2)
或冷浸部
。3.
根据权利要求2所述的晶硅料冷碎加热设备的物料传动结构，其特征在于：所述的上料部还包括用以放置晶硅料
(3)
的载物台
(13)
，所述的运载部
(12)
上设置有开口槽，载物台
(13)
的宽度小于开口槽的宽度且载物台
(13)
位于开口槽内侧，当运载部
(12)
从载物台
(13)
下方上升时将载物台
(13)
上的晶硅料
(3)
拾起并继续抬升；支承台
(2)
的宽度小于开口槽的宽度，当运载部
(12)
对正支承台
(2)
下降并降低至支撑台下方时完成晶硅料
(3)
放置，或运载部
(12)
对正冷浸部下降至冷浸部下方时完成晶硅料
(3)
放置
。4.
根据权利要求1所述的晶硅料冷碎加热设备的物料传动结构，其特征在于：所述的水平输送机构包括循环轨道
(10)
，循环轨道
(10)
...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜茂松，付张硕，
申请(专利权)人：自贡佳源炉业有限公司，
类型：发明
国别省市：