沉积腔室部件及维护方法技术

本申请公开一种沉积腔室部件及维护方法

【技术实现步骤摘要】
沉积腔室部件及维护方法、腔室使用方法、沉积设备


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种沉积腔室部件及维护方法
、
腔室使用方法
、
沉积设备
。

技术介绍

[0002]当前的半导体及平板制造中，
PEALD(
等离子体增强原子层沉积
)
以其低温
、
重复性好以及可得到更致密可靠的
、
更均匀的
、
台阶覆盖率更高的薄膜等特点，成为新兴的半导体薄膜沉积技术最广泛的方法之一
。
通常，等离子体产生方法可分为电容耦合等离子体法
CCP
和电感耦合等离子法
ICP。
一般的
CCP/ICP
方法是在上下电极板之间加载射频电源，保持一定的低真空度，同时通入相应反应气体后，上下电极板之间就会产生等离子体
。
[0003]由于等离子体是一种内部含有大量活性基元
、
正离子
、
负离子的物质的第四种形态
。
而原子层沉积腔体的材料一般是由铝
、
钢或它们的合金体材料，因此在腔室内充满等离子体的状态下，等离子体中的离子很容易积聚到金属内部或尖端，造成放电现象，会损伤腔室的部件，也会造成腔室内等离子体分布不均匀而使成膜不均匀
。
针对放电问题，一般的解决办法是在腔室壁上再安装一套表面不导电的，围住腔室壁及可能有金属裸露在外面的保护部件，部件材料可以是铝材及其经过阳极氧化后具有表面致密的氧化膜的铝材，也可以是陶瓷部件等
。
[0004]而腔室内形成的反应等离子体及反应气体是充满整个腔室的
。
因此，膜层材料除了会沉积到的目标衬底上，还会沉积到围住腔室壁及可能有金属裸露在外面的保护部件上
。
当膜层在这些保护部件上沉积的膜层越来越厚，就会容易脱落下来，变成异物飘落至衬底上的薄膜，形成薄膜上的
particle(
杂质
、
异物
)
，最终会造成薄膜整体性能的下降
。
[0005]因此，常规的保护部件虽然能够避免放电现象和一定程度上避免在成膜过程中引入杂质或异物
(particle)
，但需要定期对保护部件进行打磨抛光，或者对部件表面的阳极氧化涂层进行腐蚀后重新阳极氧化等维护处理
。
维护程序复杂，且由于需要对部件进行腐蚀后重新阳极氧化，随着维护次数的增加，部件本体会慢慢被消耗，一些需要保持精密尺寸的部位会因尺寸不再适用而无法继续使用维护后的部件
。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本申请提供一种原子层沉积腔室部件及维护方法
、
原子层沉积设备，旨在降低保护部件的维护难度
。
[0007]本申请实施例是这样实现的，提供一种原子层沉积腔室部件，所述原子层沉积腔室部件在原子层沉积腔室中使用，所述原子层沉积腔室用于对目标材料进行沉积；所述原子层沉积腔室部件包括主体以及设置在所述主体的表面的绝缘层；其中，所述绝缘层被配置为对预设波长范围的光的吸收率大于所述目标材料对所述预设波长范围的光的吸收率
。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，所述预设波长范围的光为紫外光，所述绝缘层对所述紫外光的吸收率大于等于
50
％
。
[0009]所述绝缘层被配置为对预设波长范围的光的吸收率与所述目标材料对所述预设波长范围的光的吸收率之差在
40
％
‑
100
％的范围
。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘层的厚度为5～
50
μ
m。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述主体的材料为金属或金属合金；和
/
或所述绝缘层的材料为绝缘的高分子聚合物涂层材料
。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘层的材料选自聚酰亚胺
、
聚亚胺
、
环氧树脂中的至少一种
。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述沉积腔室部件为气体扩散器
、
衬底承载台
、
保护套
、
成膜区域限定框
、
掩膜板
、
观察窗开关阀门
、
腔室壁和腔室盖中的至少一种
。
[0014]相应的，本申请实施例还提供一种原子层沉积腔室部件的维护方法，所述原子层沉积腔室部件在原子层沉积腔室中使用，所述原子层沉积腔室用于对目标材料进行沉积；所述维护方法包括：使用预设波长范围的光对原子层沉积腔室部件进行照射；将沉积在所述原子层沉积腔室部件上的目标材料进行剥离；其中，原子层沉积腔室部件包括在原子层沉积腔室中使用的主体，以及设置在所述主体表面的绝缘层；所述绝缘层被配置为对所述预设波长范围的光的吸收率大于所述目标材料对所述预设波长范围的光的吸收率
。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述将沉积在所述原子层沉积腔室部件上的目标材料进行剥离之后，还包括：判断剥离后的所述原子层沉积腔室部件是否满足预设条件，以继续在所述原子层沉积腔室中使用
。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述判断剥离后的所述原子层沉积腔室部件是否满足预设条件，包括：判断所述原子层沉积腔室部件的表面形态是否满足预设形态条件；或剥离后的所述原子层沉积腔室部件中所述绝缘层的厚度大于等于所述绝缘层的初始厚度的
30
％，则为满足所述预设条件；或剥离后的所述原子层沉积腔室部件的表面硬度与所述绝缘层的初始硬度相当，则为满足所述预设条件
。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述判断剥离后的所述原子层沉积腔室部件是否满足预设条件，包括：若剥离后的所述原子层沉积腔室部件不满足预设条件，去除所述原子层沉积腔室部件中所述主体表面剩余的所述绝缘层；以及在所述主体的表面重新形成绝缘层
。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，所述使用预设波长范围的光对原子层沉积腔室部件进行照射，包括：使用预设波长范围的激光对原子层沉积腔室部件进行照射，控制所述激光的聚焦点位于所述绝缘层远离所述主体一侧
。
[0019]可选的，在本申请的一些实施例中，所述使用预设波长范围的光对原子层沉积腔室部件进行照射之前，还包括：从所述原子层沉积腔室中取出所述原子层沉积腔室部件；其中，所述原子层沉积腔室部件表面沉积有目标材料
。
[0020]可选的，在本申请的一些实施例中，所述目标材料为透明金属氧化物材料；和
/
或所述绝缘层的材料包括聚酰亚胺
、
聚亚胺
、
环氧树脂中的至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述原子层沉积腔室部件在原子层沉积腔室中使用，所述原子层沉积腔室用于对目标材料进行沉积；所述原子层沉积腔室部件包括主体以及设置在所述主体的表面的绝缘层；其中，所述绝缘层被配置为对预设波长范围的光的吸收率大于所述目标材料对所述预设波长范围的光的吸收率
。2.
根据权利要求1所述的原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述预设波长范围的光为紫外光，所述绝缘层对所述紫外光的吸收率大于等于
50
％
。3.
根据权利要求1所述的原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述绝缘层被配置为对预设波长范围的光的吸收率与所述目标材料对所述预设波长范围的光的吸收率之差在
40
％
‑
100
％的范围
。4.
根据权利要求1所述的原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述绝缘层的厚度为5～
50
μ
m。5.
根据权利要求1所述的原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述主体的材料为金属或金属合金；和
/
或所述绝缘层的材料为绝缘的高分子聚合物涂层材料
。6.
根据权利要求5所述的原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述绝缘层的材料选自聚酰亚胺
、
聚亚胺
、
环氧树脂中的至少一种
。7.
根据权利要求1‑6任一项所述的原子层沉积腔室部件，其特征在于，所述沉积腔室部件为气体扩散器
、
衬底承载台
、
保护套
、
成膜区域限定框
、
掩膜板
、
观察窗开关阀门
、
腔室壁和腔室盖中的至少一种
。8.
一种原子层沉积腔室部件的维护方法，其特征在于，所述原子层沉积腔室部件在原子层沉积腔室中使用，所述原子层沉积腔室用于对目标材料进行沉积；所述维护方法包括：使用预设波长范围的光对原子层沉积腔室部件进行照射；将沉积在所述原子层沉积腔室部件上的目标材料进行剥离；其中，原子层沉积腔室部件包括在原子层沉积腔室中使用的主体，以及设置在所述主体表面的绝缘层；所述绝缘层被配置为对所述预设波长范围的光的吸收率大于所述目标材料对所述预设波长范围的光的吸收率
。9.
根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松举，孙贤文，付东，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：