【技术实现步骤摘要】
一种导电银浆及其制备方法和应用
[0001]本专利技术涉及电子材料
,尤其涉及一种导电银浆及其制备方法和应用
。
技术介绍
[0002]现有的按封装基板材料不同来区分
MniLED
的技术路径,包括
PCB
方案和玻璃基方案
。
其中,
PCB
虽然是常用的
LED
基板,具有技术成熟,但是
PCB
热导率低,散热性能差,在大尺寸方面容易翘曲变形,
miniLED
在
PCB
材料热膨胀系数不同,有可能产生胶裂的问题灯长期点亮发热产生纵裂,影响寿命
。
[0003]玻璃基板是
miniLED
的关键物料之一,玻璃基板具有平整度好
、
胀缩系数低等特点,可以更好地支持
Mini LED
芯片的
COB
封装
。
而用于玻璃基
LED or miniLED
背光线路使用的银浆则要求符合欧盟
RoHS
的环保要求,同时要求具有良好的导电性和附着力
。
但目前的银浆要么环保达不到要求,要么不具有优良的导电性和附着力,基于目前的银浆存在的缺陷,有必要提供一种适用于玻璃基
LED
或
miniLED
背光线路的导电银浆
。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本专利技术提供了一种导电银浆及其制 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种导电银浆,其特征在于,包括以下原料:银粉
、
无铅玻璃粉
、
溶剂
、
有机载体
、
分散剂;其中,所述银粉包括球形银粉和片状银粉混合物
。2.
如权利要求1所述的导电银浆,其特征在于,所述球形银粉包括第一球形银粉
、
第二球形银粉
、
第三球形银粉中的至少一种;所述第一球形银粉的平均粒径为
1.2
~
1.8
μ
m
;所述第二球形银粉的平均粒径为
2.9
~
3.5
μ
m
;所述第三球形银粉的平均粒径为
2.7
~
3.5
μ
m。3.
如权利要求1所述的导电银浆,其特征在于,所述片状银粉的平均粒径为
4.5
~
5.5
μ
m
;和
/
或,所述球形银粉和片状银粉的质量比为
(55
~
70):(10
~
20)。4.
如权利要求2所述的导电银浆,其特征在于,所述第一球形银粉的振实密度为
2.17
~
2.3g/cm3;所述第二球形银粉的振实密度为
3.8
~
4.0g/cm3;所述第三球形银粉的振实密度为
3.48
~
3.95g/cm3;所述片状银粉的振实密度为
1.5
~
2.9g/cm3。5.
如权利要求2所述的导电银浆,其特征在于,所述球形银粉包括第一球形银粉
、
第二球形银粉
、
第三球形银粉,所述第一球形银粉
、
第二球形银粉
、
第三球形银粉的质量比为
(20
~
50):(5
~
20):(5
~
30)
;或,所述球形银粉包括第一球形银粉
、
第二球形银粉,所述第一球形银粉
、
第二球形银粉的质量比为
(40
~
60):(10
~
30)。6.
如权利要求1所述的导电银浆,其特征在于,所述无铅玻璃粉包括以...
【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名,
申请(专利权)人:苏州思尔维纳米科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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