电极结构及量子点电致发光元件制造技术

本发明专利技术主要揭示一种电极结构及量子点电致发光元件，电极结构包括：一种子层

【技术实现步骤摘要】
电极结构及量子点电致发光元件


[0001]本专利技术为量子点电致发光元件
(QD electroluminescent(EL)device)
，尤指由应用于量子点电致发光元件之中的一种电极结构
。

技术介绍

[0002]近年来，使用量子点发光层
(EML)
的量子点电致发光元件
(QD EL device)
因具有可调的电致发光波长及高色彩饱和度等出色的光学特性，故被视为下一代固态照明和显示器最有潜力的发光元件
。
举例而言
。
中国台湾专利公开号
TW202139482A1
即揭示一种量子点电致发光元件
。
[0003]图1显示习知的一种量子点电致发光元件极体元件的侧剖视图
。
如图1所示，习知的量子点电致发光元件
1a(
亦称为量子点发光二极管元件
)
包括：一阳极层
1Aa、
一空穴注入层
1HIa、
一量子点发光层
1EMa、
一电子传输层
1ETa、
以及一阴极层
1Ca。
依据中国台湾专利公开号
TW202139482A1
的揭示内容，可知该量子点发光层
1EMa
包括：多颗黄光量子点
1YQa
和多颗蓝光量子点
1BQa
，其中该多颗黄光量子点
1YQa
和该多颗蓝光量子点
>1BQa
具有范围介于
1:4
至
1:8
之间的一混合比例
。
在一驱动电压被施加至该量子点电致发光元件极体元件
1a
的情况下，该量子点发光层
1EMa
所发出的一白光是经由该阳极层
1Aa(
例如：
ITO)
出光
。
[0004]一般而言，该阴极层
1Ca
可利用铝
、
银
、
或氟化锂与铝的复合物等材料制成
。
值得说明的是，银薄膜具有低电阻率，且在可见光波长范围内具有优秀的光学性能
。
此外，银薄膜只需利用简单的热沉积技术即可形成
。
因此，银薄膜于是成为所述阴极层
1Ca
的最佳方案
。
更详细地说明，在热沉积过程中，银薄膜的生长机制将遵循岛状生长模式
(Volmer
‑
Weber growth mode)。
在岛状生长模式中，银原子相互之间的束缚力强于基板对银原子的束缚力，导致银原子在基板表面发生成核，接着成长为更大的岛，最终这些岛互连而成为银薄膜
。
因此，遵循岛状生长模式所形成的银薄膜可能会有不连续的形貌
(morphology)
，从而影响其表面粗糙度
(Rq)
以及光学特性
(
如：透光率
)。
最终，银制的阴极层
1Ca
和
ITO
制的阳极层
1Aa
之间因透光率差异过大而发生透光率不平衡
(transmittance imbalance)
，影响该量子点发光层
1EMa
的出光方向
。
[0005]由上述说明可知，习知的量子点电致发光元件的阴极仍存在需要加以改善之处
。
有鉴于此，本案的专利技术人是极力加以研究专利技术，而终于研发完成本专利技术的一种电极结构及具有该电极结构的量子点电致发光元件
。

技术实现思路

[0006]本专利技术的主要目的在于提供一种电极结构，应用于一量子点电致发光元件之中，从而作为该量子点电致发光元件所具有的两种电极
(
即，阳极与阴极
)
的其中之一
。
实验数据显示，在包含本专利技术的电极结构的情况下，该量子点电致发光元件的阳极与阴极不会因为透光率差异过大而发生透光率不平衡现象，从而总亮度
、
电流效率和
EQE
是同时提高
。
[0007]为达成上述目的，本专利技术提出所述电极结构的一实施例，其包括：
[0008]一种子层，用以与一电子元件之中的一功能材料层接触；
[0009]一电极层，形成于该种子层之上，且为一铜掺杂的银层；其中，在所述电极层之中，铜的掺杂量是介于
0.1
％至
20
％之间；以及
[0010]一覆盖层，形成于该电极层之上
。
[0011]在一可行实施例中，该电子元件为一常规型式的量子点电致发光元件
(Regular QD electroluminescent device)
，且所述功能材料层为一电子传输层
。
[0012]在另一可行实施例中，该电子元件为一反向型式的量子点电致发光元件
(Inverted QD electroluminescent device)
，且所述功能材料层为一空穴传输层
。
[0013]并且，本专利技术同时提出一种量子点电致发光元件的一第一实施例，其包括：
[0014]一阳极层；
[0015]一空穴注入层，形成于该阳极层之上；
[0016]一空穴传输层，形成于该空穴注入层之上；
[0017]一发光层，形成于该空穴传输层之上；
[0018]一电子传输层，形成于该发光层之上；以及
[0019]一电极结构，包括：
[0020]一种子层，形成于该电子传输层之上；
[0021]一电极层，形成于该种子层之上，且为一铜掺杂的银层；其中，在所述电极层之中，铜的掺杂量是介于
0.1
％至
20
％之间；及
[0022]一覆盖层，形成于该电极层之上
。
[0023]进一步地，本专利技术还提出一种量子点电致发光元件的一第二实施例，其包括：
[0024]一阴极层；
[0025]一电子注入层，形成于该阴极层之上；
[0026]一电子传输层，形成于该电子注入层之上；
[0027]一发光层，形成于该电子传输层之上；
[0028]一空穴传输层，形成于该发光层之上；以及
[0029]一电极结构，包括：
[0030]一种子层，形成于该空穴传输层之上；
[0031]一电极层，形成于该种子层之上，且为一铜掺杂的银层；其中，在所述电极层之中，铜的掺杂量是介于
0.1
％至
20
％之间；及
[0032]一覆盖层，形成于该电极层之上
。
[0033]在一实施例中，该种子层由氧化钼制成
。
[0034]在一实施例中，该覆盖层由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电极结构，其特征在于，应用于一电子元件之中，且包括：一种子层，用以和该电子元件之中的一功能材料层接触；一电极层，形成于该种子层之上，且为一铜掺杂的银膜；其中，在所述电极层之中，铜的掺杂量是介于
0.1
％至
20
％之间；及一覆盖层，形成于该电极层之上
。2.
如权利要求1所述的电极结构，其特征在于，该电子元件为一常规型式的电致发光元件
(Regular electroluminescent device)
，且所述功能材料层为一电子传输层
。3.
如权利要求1所述的电极结构，其特征在于，该电子元件为一反向型式的电致发光元件
(Inverted electroluminescent device)
，且所述功能材料层为一空穴传输层
。4.
如权利要求1所述的电极结构，其特征在于，该种子层由金属氧化物制成
。5.
如权利要求1所述的电极结构，其特征在于，该覆盖层由金属氧化物制成，从而和该种子层以及该电极层一同构成一电介质
/
金属
/
电介质结构
。6.
如权利要求1所述的电极结构，其特征在于，该电极层的厚度介于
15nm
至
25nm
之间，该种子层的厚度介于
2nm
至
5nm
之间，且该覆盖层的厚度介于
30nm
至
50nm
之间
。7.
一种量子点电致发光元件，其特征在于，包括：一阳极层；一空穴注入层，形成于该阳极层之上；一空穴传输层，形成于该空穴注入层之上；一发光层，形成于该空穴传输层之上；一电子传输层，形成于该发光层之上；以及一电极结构，包括：一种子层，形成于该电子传输层之上；一电极层，形成于该种子层之上，且为一铜掺杂的银层；其中，在所述电极层之中，铜的掺杂量是介于1％至8％之间；及一覆盖层，形成于该电极层之上
。8.
如权利要求7所述的量子点电致发光元件，其特征在于，该种子层由氧化钼制成
。9.
如权利要求7所述的量子点电致发光元件，其特征在于，该覆盖层由氧化钼制成，从而和该种子层以及该电极层一同构成一电介质
/
金属
/
电介质结构
。10.
如权利要求7所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈学仕，杨璇，
申请(专利权)人：陈学仕，
类型：发明
国别省市：