一种晶圆扩片及解胶工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种晶圆扩片及解胶工艺，包括如下步骤：

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆扩片及解胶工艺


[0001]本专利技术涉及晶圆制造领域，具体为一种晶圆扩片及解胶工艺
。

技术介绍

[0002]为了将隐形切割后的晶圆按照切割路径进行分割及后续与基板进行粘连，常规工艺是将隐形切割后的晶圆粘贴到晶粒粘贴膜
(DieAttach Film
，以下简称
DAF
膜
)
上，
DAF
膜通过
UV
胶粘附在基膜上，通过冷扩使得
DAF
膜因其低温脆性的特性沿晶圆的切割路径分开，然后进行热缩，将因晶圆冷扩而延展的基膜进行收缩，随后进行清洗和
UV
解胶，使得
DAF
膜易与基膜分离
。
通过以上工艺处理，晶粒便可吸取并通过
DAF
膜与基板粘连
。
但是热塑后解胶的工艺，热塑后基膜收缩平直，晶圆区域基膜因晶圆周围基膜收缩而被拉直，薄芯片因翘曲严重，芯片边缘
UV
胶与基膜分离产生间隙，解胶过程中因空隙间的氧气对
UV
光吸收产生化学活性物质，影响
UV
胶固化，从而减弱解胶效果
。
[0003]例如公开号为
CN114334722A
的中国专利，公开了基于划片机的晶圆解胶方法
、
设备及系统，属于微电子封装
，其中方法包括：获取对放置台的检测数据，所述检测数据中携带有用于判断所述放置台上是否放有待处理的晶圆的信息；对所述检测数据进行处理，若所述检测数据为所述放置台上没有所述待处理的晶圆，则发送告警信号；若所述检测数据为所述放置台上放有所述待处理的晶圆，则向预设的
UV
灯发送打开指令对待处理的晶圆边缘进行解胶；在向
UV
灯发送打开指令后，实时获取
UV
灯的能量值，当所述能量值达到预设的边缘解胶阈值时，向所述
UV
灯发送关闭指令
。
上述的基于划片机的晶圆解胶方法
、
设备及系统在对晶圆进行划片时，存在解胶后晶片容易翘曲的问题
。
[0004]鉴于此，有必要提供一种晶圆扩片及解胶工艺
。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供的一种晶圆扩片及解胶工艺，有效的解决了现有晶圆扩片及解胶工艺解胶效果不佳的问题
。
[0006]本专利技术所采用的技术方案是
[0007]一种晶圆扩片及解胶工艺，包括如下步骤：
[0008]S1、
上料；将隐切后的晶圆粘附到与基膜相粘连的
DAF
膜上，形成产品
。
[0009]S2、
冷扩：对产品进行降温，并从基膜下方对降温后的产品进行顶升，使得基膜延展，
DAF
膜降温沿晶圆的切割路径断裂，从而使得晶圆分离
。
[0010]S3、
清洗干燥：对晶圆进行清洗和干燥
。
[0011]S4、UV
解胶：进行
UV
解胶，使得
DAF
膜与基膜间的
UV
胶固化，粘性降低，方便后续晶粒被芯片贴装机吸取
。
[0012]S5、
热塑：对基膜进行顶升并对晶圆外围基膜加热，使得晶圆外围基膜收缩，确保分离的晶粒间留有一定的空隙从而避免相互碰撞
。
[0013]进一步的是：所述冷扩的温度为
‑
20℃
～
‑
5℃
，冷扩的上顶量为
3mm
～
20mm。
[0014]进一步的是：所述冷扩的上顶速度为
50mm/s
～
400mm/s。
[0015]进一步的是：所述基膜在旋转状态下进行清洗，所述清洗时间为
10s
～
120s
，所述清洗转速为
500r/min
～
1500r/min。
[0016]进一步的是：所述基膜在旋转状态下进行干燥，所述干燥时间为
10s
～
120s
，所述干燥转速为
500r/min
～
1500r/min。
[0017]进一步的是：所述
UV
解胶的能量为
30mJ/cm2～
300mJ/cm2。
[0018]进一步的是：所述热塑的温度为
150℃
～
250℃。
[0019]进一步的是：所述热塑的上顶量为
3mm
～
20mm
，所述热塑的上顶量为
5mm/s
～
50mm/s。
[0020]专利技术的有益效果：对清洗后的产品进行
UV
解胶，由于此时基膜还保持着冷扩后的松弛状态，芯片即使有一定的翘曲，也不会与基膜产生分离
。
从而避免了氧气的侵入影响了
UV
解胶的效果
。
附图说明
[0021]图1为本申请的实施例所提供的晶圆扩片及解胶工艺的流程图
。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术的上述目的
、
特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明
。
[0023]一种晶圆扩片及解胶工艺，包括如下步骤：
[0024]S1、
上料；将隐切后的晶圆粘附到与基膜相粘连的
DAF
膜上，形成产品
。
[0025]S2、
冷扩：对产品进行降温，并从基膜下方对降温后的产品进行顶升，使得基膜延展，
DAF
膜降温沿晶圆的切割路径断裂，从而使得晶圆分离
。
[0026]DAF
膜具有优异的低温脆性，在零下温度时容易发生脆裂
。
将钢环固定在冷扩装置中，其中，冷扩装置是一个可开闭的容器，容器闭合后形成相对密闭的环境，在容器内设置有载台和制冷机构，制冷机构可以实施检测容器内的整体温度
。
载台可以通过夹持或吸附的方式直接与钢环接触并对钢环固定，在载台下方设置有用于对基膜进行顶升的顶升组件，顶升组件一般采用气浮或丝杆驱动，利用受气浮台或丝杆驱动的顶升板直接与基膜的下端面进行接触实现对基膜的顶升，顶升板的上端面需要保证光滑无毛刺，以防止对基膜造成损伤
。
顶升时基膜由于自身可延展的特性，顶升板在将基板顶升出原有高度的同时，基膜会水平延展相应的长度
。
在基膜水平延展的过程中，
DAF
膜由于与隐切后的晶圆粘接，被粘接部分不容易发生断裂，低温引发脆性增强会使得
DAF
膜沿晶圆的切割路径断裂，带动晶圆分离
。
与此同时，隐切后的晶圆受基膜延展产生的拉应力本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶圆扩片及解胶工艺，其特征在于：包括如下步骤：
S1、
上料；将隐切后的晶圆粘附到与基膜相粘连的
DAF
膜上，形成产品；
S2、
冷扩：对产品进行降温，并从基膜下方对降温后的产品进行顶升，使得基膜延展，
DAF
膜降温沿晶圆的切割路径断裂，从而使得晶圆分离；
S3、
清洗干燥：对晶圆进行清洗和干燥；
S4、UV
解胶：进行
UV
解胶，使得
DAF
膜与基膜间的
UV
胶固化，粘性降低，方便后续晶粒被芯片贴装机吸取；
S5、
热塑：对基膜进行升温并顶升并对晶圆外围基膜加热，使得晶圆外围基膜收缩，确保分离的晶粒间留有一定的空隙从而避免相互碰撞
。2.
根据权利要求1所述的晶圆扩片及解胶工艺，其特征在于：所述冷扩的温度为
‑
20℃
～
‑
5℃
，冷扩的上顶量为
3mm
～
20mm。3.
根据权利要求1所述的晶圆扩片及解胶工艺，其特征在于：所述冷扩的上顶速度为
50mm...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶为银，闫兴，
申请(专利权)人：河南通用智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：