一种制造技术

本申请公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种NOR FLASH存储器测试方法、装置、设备及介质


[0001]本申请涉及存储器测试的
，特别是涉及一种
NOR FLASH
存储器测试方法
、
装置
、
设备及介质
。

技术介绍

[0002]随着现代技术的发展，存储器作为数据载体被广泛使用，
NOR FLASH
存储器不仅具备可重复性擦写的能力，而且还具有体积小功耗低的特点，被使用在不同应用场景的微型数字设备中
。
由于
NOR FLASH
存储器在生产过程中可能会存在各种缺陷，从而导致存储器失效，成品率降低
。
因此，需要
NOR FLASH
存储器进行测试，从而发现存在的缺陷问题，减少使用过程中的隐患
。
[0003]目前，对
NOR FLASH
存储器的测试中基本采用棋盘格测试方法进行存储器测试，但是在实际运用时，发现目前的测试方法所花费的测试时间较长，导致测试效率较低
。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种
NOR FLASH
存储器测试方法
、
装置
、
设备及介质，通过工作模式寄存器的配置信息实现
NOR FLASH
存储器测试，从而提高测试效率
。
[0005]第一方面，本申请提供了一种
NOR FLASH
存储器测试方法，该方法包括：
[0006]获取存储器的待测区域的测试工作模式，所述测试工作模式包含第一工作模式和第二工作模式，所述第一工作模式所对应的模式和所述第二工作模式所对应的模式相反，所述模式包括正棋盘格模式和反棋盘格模式；
[0007]根据第一工作模式，在待测区域中写入第一数据，以使写入第一数据后的存储器形成正棋盘格存储结构或反棋盘格存储结构；
[0008]若第一数据读取检查通过，则根据第二工作模式，在待测区域中写入第二数据，以使写入第二数据后的存储器形成正棋盘格存储结构或反棋盘格存储结构；
[0009]若第二数据读取检查通过，则结束待测区域的测试
。
[0010]可选地，第一工作模式为正棋盘格模式，第二工作模式为反棋盘格模式，根据第一工作模式，在待测区域中写入第一数据，包括：
[0011]根据第一工作模式，配置工作模式寄存器为正棋盘格工作模式；
[0012]配置使能寄存器为使能状态，以使根据正棋盘格工作模式在待测区域的偶数页奇地址以及奇数页偶地址写入第一数据；
[0013]根据第二工作模式，在待测区域中写入第二数据，包括：
[0014]配置工作模式寄存器为反棋盘格工作模式；
[0015]配置使能寄存器为使能状态，以使根据反棋盘格工作模式在待测区域的偶数页偶地址以及奇数页奇地址写入第二数据
。
[0016]可选地，第一工作模式为反棋盘格式模式，第二工作模式为正棋盘格式模式，根据第一工作模式，在待测区域中写入第一数据，包括：
[0017]配置工作模式寄存器为反棋盘格工作模式；
[0018]配置使能寄存器为使能状态，以使根据反棋盘格工作模式在待测区域的偶数页偶地址以及奇数页奇地址写入第一数据；
[0019]根据第二工作模式，在待测区域中写入第二数据，包括：
[0020]配置工作模式寄存器为正棋盘格工作模式；
[0021]配置使能寄存器为使能状态，以使根据正棋盘格工作模式在待测区域的偶数页奇地址以及奇数页偶地址写入第二数据
。
[0022]可选地，写入数据包括第一数据和第二数据，对写入数据进行读取检查的过程，包括：
[0023]读取存储器中的待测区域内的存储空间中的数据，并将数据与预设数据进行对比检查；
[0024]若对比检查通过，则通过测试；
[0025]若对比检查失败，则生成错误警告
。
[0026]可选地，根据第一工作模式，在待测区域中写入第一数据之前，还包括：
[0027]擦除存储器中的待测区域内的存储空间中的数据，以使待测区域内的存储空间中的数据恢复为数字
1。
[0028]可选地，根据第二工作模式，在待测区域中写入第二数据之前，还包括：
[0029]擦除存储器中的待测区域内的存储空间中的数据，以使待测区域内的存储空间中的数据恢复为数字
1。
[0030]可选地，结束待测区域的测试之后，还包括：
[0031]根据存储器的空间大小，判断是否完成存储器的遍历测试；
[0032]若完成存储器的遍历测试，则向工作寄存器发送测试结束请求，以使存储器测试结束；
[0033]若未完成存储器的遍历测试，则对存储器剩余的待测区域进行测试，直至完成存储器的遍历测试
。
[0034]第二方面，本申请提供了一种
NOR FLASH
存储器测试装置，该装置包括：
[0035]获取单元，用于获取存储器的待测区域的测试工作模式，测试工作模式包含第一工作模式和第二工作模式，第一工作模式所对应的模式和第二工作模式所对应的模式相反，模式包括正棋盘格模式和反棋盘格模式；
[0036]写入单元，用于根据第一工作模式，在待测区域中写入第一数据，写入第一数据后的存储器形成正棋盘格存储结构或反棋盘格存储结构；
[0037]处理单元，用于若第一数据读取检查通过，则根据第二工作模式，在待测区域中写入第二数据，写入第二数据后的存储器形成正棋盘格存储结构或反棋盘格存储结构；
[0038]处理单元，还用于若第二数据读取检查通过，则结束待测区域的测试
。
[0039]可选地，写入单元包括：
[0040]配置子单元，用于根据第一工作模式，配置工作模式寄存器；
[0041]地址生成子单元，用于根据工作模式寄存器的配置信息，生成写入第一数据的地址信息；
[0042]数据生成子单元，用于生成棋盘格写入第一数据；
[0043]写入子单元，用于将第一数据按照写入第一数据的地址信息写入存储器
。
[0044]可选地，处理单元
303
包括：
[0045]读取子单元，用于读取存储器中的待测区域内的存储空间中的数据；
[0046]检查子单元，用于将数据与预设数据进行对比检查；
[0047]配置子单元，还用于若第一数据读取检查通过，则根据第二工作模式，配置工作模式寄存器；
[0048]地址生成子单元，用于根据工作模式寄存器的配置信息，生成写入第二数据的地址信息；
[0049]数据生成子单元，用于生成棋盘格写入第二数据；
[0050]写入子单元，用于将第二数据按照写入第二数据的地址信息写入存储器
。
[0051]可选地，该装置还包括：
[0052]判断单元，用于根据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
NOR FLASH
存储器测试方法，其特征在于，所述方法包括：获取存储器的待测区域的测试工作模式，所述测试工作模式包含第一工作模式和第二工作模式，所述第一工作模式所对应的模式和所述第二工作模式所对应的模式相反，所述模式包括正棋盘格模式和反棋盘格模式；根据所述第一工作模式，在所述待测区域中写入第一数据，以使写入所述第一数据后的存储器形成正棋盘格存储结构或反棋盘格存储结构；若所述第一数据读取检查通过，则根据所述第二工作模式，在所述待测区域中写入第二数据，以使写入所述第二数据后的存储器形成正棋盘格存储结构或反棋盘格存储结构；若所述第二数据读取检查通过，则结束所述待测区域的测试
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一工作模式为正棋盘格模式，所述第二工作模式为反棋盘格模式，所述根据所述第一工作模式，在所述待测区域中写入第一数据，包括：根据所述第一工作模式，配置工作模式寄存器为正棋盘格工作模式；配置使能寄存器为使能状态，以使根据所述正棋盘格工作模式在所述待测区域的偶数页奇地址以及奇数页偶地址写入所述第一数据；所述根据所述第二工作模式，在所述待测区域中写入第二数据，包括：配置所述工作模式寄存器为反棋盘格工作模式；配置使能寄存器为使能状态，以使根据所述反棋盘格工作模式在所述待测区域的偶数页偶地址以及奇数页奇地址写入所述第二数据
。3.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一工作模式为反棋盘格式模式，所述第二工作模式为正棋盘格式模式，所述根据所述第一工作模式，在所述待测区域中写入第一数据，包括：配置工作模式寄存器为反棋盘格工作模式；配置使能寄存器为使能状态，以使根据所述反棋盘格工作模式在所述待测区域的偶数页偶地址以及奇数页奇地址写入所述第一数据；所述根据所述第二工作模式，在所述待测区域中写入第二数据，包括：配置所述工作模式寄存器为正棋盘格工作模式；配置使能寄存器为使能状态，以使根据所述正棋盘格工作模式在所述待测区域的偶数页奇地址以及奇数页偶地址写入所述第二数据
。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，写入数据包括所述第一数据和所述第二数据，对所述写入数据进行读取检查的过程，包括：读取所述存储器中的待测区域内的存储空间中的数据，并将所述数...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昆，李慧，
申请(专利权)人：紫光同芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：