晶体硅太阳能电池及其制备方法技术

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
晶体硅太阳能电池及其制备方法


[0001]本申请涉及太阳能电池
，特别是涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法
。

技术介绍

[0002]随着电池结构的更新换代，除了异质结太阳能电池
(HJT)
，其他太阳能电池使用的电极浆料都是需要进行高温烧结的浆料
(
比如烧结温度为
850℃
～
900℃
的银浆
)
，即需要高温烧穿氮化硅
(SiNx)
钝化层，使电极浆料与硅基底形成欧姆接触，但是高温烧结过程会导致硅基底发生损伤和形变，使得其翘曲率较高，不利于硅基底薄晶化方向发展
。
而且银作为贵金属，价格昂贵，导致太阳能电池的制作成本较高
。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要提供一种能够避免高温烧结的晶体硅太阳能电池及其制备方法
。
[0004]第一方面，本申请提供一种晶体硅太阳能电池，包括硅基底
、
设置于所述硅基底的第一表面一侧的
p
型掺杂层，以及设置于所述
p
型掺杂层远离所述硅基底一侧，且与所述
p
型掺杂层电连接的第一电极图案；
[0005]所述第一表面为所述硅基底沿其厚度方向相背设置的两个表面中的任意一个表面
。
[0006]在一些实施方式中，晶体硅太阳能电池还包括：设置于所述
p
型掺杂层和所述第一电极图案之间的第一钝化层；
[0007]所述第一钝化层上设置有第一开槽，所述第一电极图案通过所述第一开槽与所述
p
型掺杂层形成欧姆接触实现电连接
。
[0008]在一些实施方式中，晶体硅太阳能电池还包括：设置于所述硅基底第二表面一侧的
n
型掺杂层，以及设置于所述
n
型掺杂层远离所述硅基底一侧，且与所述
n
型掺杂层电连接的第二电极图案；
[0009]所述第二表面为与所述第一表面相背的表面
。
[0010]在一些实施方式中，晶体硅太阳能电池还包括：设置于所述
n
型掺杂层和所述第二电极图案之间的第二钝化层；
[0011]所述第二钝化层上设置有第二开槽，所述第二电极图案通过所述第二开槽与所述
n
型掺杂层形成欧姆接触实现电连接
。
[0012]在一些实施方式中，晶体硅太阳能电池还包括：设置于所述硅基底的第一表面一侧的
n
型掺杂层，以及设置于所述
n
型掺杂层远离所述硅基底一侧，且与所述
n
型掺杂层电连接的第二电极图案；
[0013]其中，所述
p
型掺杂层和所述
n
型掺杂层位于所述硅基底的不同区域
。
[0014]在一些实施方式中，晶体硅太阳能电池还包括设置于所述第二电极图案和所述
n
型掺杂层之间的第三钝化层；
[0015]所述第三钝化层上开设有第三开槽，所述第二电极图案通过所述第三开槽与所述
n
型掺杂层欧姆接触实现电连接
。
[0016]在一些实施方式中，所述第一电极图案和所述第二电极图案的材料包括：银
、
铝及银包铜中的一种或多种
。
[0017]第二方面，本申请提供一种如第一方面所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
[0018]在所述硅基底的第一表面形成所述
p
型掺杂层，在所述
p
型掺杂层远离所述硅基底的一侧形成第一电极图案
。
[0019]在一些实施方式中，在所述
p
型掺杂层远离所述硅基底的一侧形成第一电极图案之前，还包括：
[0020]在所述
p
型掺杂层远离所述硅基底的表面上形成第一钝化层；以及
[0021]在所述第一钝化层上进行激光开槽，形成第一开槽，所述第一开槽贯穿所述第一钝化层
。
[0022]在一些实施方式中，所述在所述
p
型掺杂层远离所述硅基底的一侧形成第一电极图案，包括：
[0023]制备第一电极浆料；
[0024]采用丝网印刷在所述第一开槽内形成第一电极浆料，烧结，制备所述第一电极图案
。
[0025]在一些实施方式中，所述制备方法还包括：在所述硅基底第二表面形成
n
型掺杂层，以及在所述
n
型掺杂层远离所述硅基底一侧形成第二电极图案
。
[0026]在一些实施方式中，在所述
n
型掺杂层远离所述硅基底一侧形成第二电极图案之前，还包括：
[0027]在所述
n
型掺杂层远离所述硅基底的表面上形成第二钝化层；以及
[0028]在所述第二钝化层上进行激光开槽，形成第二开槽，所述第二开槽贯穿所述第二钝化层
。
[0029]在一些实施方式中，所述制备方法还包括：在所述硅基底的第一表面形成
n
型掺杂层，以及在所述
n
型掺杂层远离所述硅基底一侧形成第二电极图案；
[0030]其中，所述
p
型掺杂层和所述
n
型掺杂层位于所述硅基底的不同区域
。
[0031]在一些实施方式中，在所述
n
型掺杂层远离所述硅基底一侧形成第二电极图案之前，还包括：在所述
n
型掺杂层远离所述硅基底的表面上形成第三钝化层；以及
[0032]在所述第三钝化层上进行激光开槽，形成第三开槽，所述第三开槽贯穿所述第三钝化层
。
[0033]本申请提供的晶体硅太阳能电池，直接形成与
p
型掺杂层电连接的第一电极图案，实现了电极与硅基底的直接接触，避免了高温银浆的使用，不会导致硅基底变形，有利于硅基底薄晶化发展，节约了制作成本
。
而且不需高温烧结后，可以采用其他储量更为丰富及价格更为低廉的金属替换传统使用的高温银浆，丰富了制备材料且降低了制作成本
。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体
实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0035]图1为实施例1制得的
TOPCon
太阳能电池的结构示意图；
[0036]图2为实施例2制得的
IBC
太阳能电池的结构示意图
。
[0037]附图标记说明：
1、n
型硅基底；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括硅基底
、
设置于所述硅基底的第一表面一侧的
p
型掺杂层，以及设置于所述
p
型掺杂层远离所述硅基底一侧，且与所述
p
型掺杂层电连接的第一电极图案；所述第一表面为所述硅基底沿其厚度方向相背设置的两个表面中的任意一个表面
。2.
根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，还包括：设置于所述
p
型掺杂层和所述第一电极图案之间的第一钝化层；所述第一钝化层上设置有第一开槽，所述第一电极图案通过所述第一开槽与所述
p
型掺杂层形成欧姆接触实现电连接
。3.
根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，还包括：设置于所述硅基底第二表面一侧的
n
型掺杂层，以及设置于所述
n
型掺杂层远离所述硅基底一侧，且与所述
n
型掺杂层电连接的第二电极图案；所述第二表面为与所述第一表面相背的表面
。4.
根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，还包括：设置于所述
n
型掺杂层和所述第二电极图案之间的第二钝化层；所述第二钝化层上设置有第二开槽，所述第二电极图案通过所述第二开槽与所述
n
型掺杂层形成欧姆接触实现电连接
。5.
根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，还包括：设置于所述硅基底的第一表面一侧的
n
型掺杂层，以及设置于所述
n
型掺杂层远离所述硅基底一侧，且与所述
n
型掺杂层电连接的第二电极图案；其中，所述
p
型掺杂层和所述
n
型掺杂层位于所述硅基底的不同区域
。6.
根据权利要求5所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，还包括设置于所述第二电极图案和所述
n
型掺杂层之间的第三钝化层；所述第三钝化层上开设有第三开槽，所述第二电极图案通过所述第三开槽与所述
n
型掺杂层欧姆接触实现电连接
。7.
根据权利要求1～6任一项所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述第一电极图案和所述第二电极图案的材料包括：银
、
铝及银包铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：高纪凡，王昭，王子港，吴魁艺，陈达明，陈奕峰，
申请(专利权)人：天合光能常州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：