频率元器件残留污染物的检测方法技术

本申请适用于频率元器件污染检测技术领域，提供了频率元器件残留污染物的检测方法

【技术实现步骤摘要】
频率元器件残留污染物的检测方法、系统和设备控制方法


[0001]本申请属于频率元器件污染检测
，尤其涉及频率元器件残留污染物的检测方法
、
系统和设备控制方法
。

技术介绍

[0002]在半导体行业中，对频率元器件封盖前工序一般都是无尘环境，但因为产品在工艺的流动过程中表面还是会有少量灰尘（包括微粒子和有机物残留）附着从而影响产品电气特性，因此为了去除晶片或晶圆表面的灰尘，一般关键工序会对材料或半成品进行表面的清洗
。
但目前对清洗后的材料或半成品并没有好的方式来检测清洗的效果，只能对后续测试良率来向前推断清洗的效果
。
但该方法较为滞后，无法及时检测清洗的效果
。

技术实现思路

[0003]为克服相关技术中存在的问题，本申请实施例提供了频率元器件残留污染物的检测方法
、
系统和设备控制方法
。
[0004]本申请是通过如下技术方案实现的：第一方面，本申请实施例提供了一种频率元器件残留污染物的检测方法，包括：取多个批次的清洗后频率元器件，每一批次的清洗后频率元器件对应一组清洗参数，不同批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数不同；采用点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况
。
[0005]结合第一方面，在一些实施例中，所述等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域，包括：从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第一预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第一图像，以及根据所述第一图像确定液体的第一扩散区域；从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第二预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第二图像，以及根据所述第二图像确定液体的第二扩散区域；从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第三预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第三图像，以及根据所述第三图像确定液体的第三扩散区域；其中，所述第三预设时间大于所述第二预设时间，所述第二预设时间大于所述第一预设时间
。
[0006]结合第一方面，在一些实施例中，所述根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，包括：若第一扩散区域的形状不满足预设形状要求，或在晶圆表面的所占比例大于第一预设范围，则将对应的清洗后功率记为残留污染物超标；否则，将对应的清洗后频率元器件
记为残留污染物未超标
。
[0007]结合第一方面，在一些实施例中，所述根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，还包括：对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，若第二扩散区域的形状满足预设形状要求，且在晶圆表面的所占比例位于第二预设范围内，则将对应的清洗后频率元器件为清洗预合格
。
[0008]结合第一方面，在一些实施例中，所述根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，还包括：对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，若从第二图像中识别出第二扩散区域中存在气泡，则将对应的清洗后频率元器件记为清洗过度
。
[0009]结合第一方面，在一些实施例中，所述方法还包括：对于清洗预合格的清洗后频率元器件，若第三扩散区域的形状满足预设形状要求，且在晶圆表面的所占比例位于第三预设范围内，则将对应的清洗后频率元器件为清洗合格
。
[0010]结合第一方面，在一些实施例中，所述液体可以为添加色素的纯水，所述第一预设时间为2分钟至4分钟，所述第一预设范围为
30%
‑
50%
，所述第二预设时间为5分钟至7分钟，所述第二预设范围为
60
‑
80%
，所述第三预设时间为8分钟至
10
分钟，所述第三预设范围为
95%
‑
100%。
[0011]上述频率元器件残留污染物的检测方法，首先对多个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体，等待一定时间后采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域以及对应的扩散时间
。
最后，根据液体的扩散区域和扩散时间可以确定各个批次的清洗后频率元器件的清洗程度
。
由此可见，本申请实施例能够对经频率元器件清洗设备清洗后的频率元器件直接且快速地检测其清洗程度，相对于相关技术中的推断检测方法，能够及时发现清洗不合格的产品，及时调整清洗设备的工作参数，提高产品良率
。
[0012]第二方面，本申请实施例提供了一种频率元器件清洗设备控制方法，包括：获取多个批次的清洗后频率元器件，每一批次的清洗后频率元器件对应一组清洗参数，不同批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数不同；采用点胶机向每个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；根据液体的扩散区域和液体的扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况；根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数，对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗
。
[0013]结合第二方面，在一些实施例中，所述根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数，对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗，包括：对于任一批次的清洗后频率元器件，若确定为清洗合格的清洗后频率元器件占比大于阈值，则获取该批次的清洗后频率元器件对应的清洗参数；根据获取的清洗参数对清洗设备进行控制，为待清洗的频率元器件进行清洗
。
[0014]上述频率元器件清洗设备控制方法，首先对不同清洗参数的多批次清洗后频率元
器件的晶圆表面滴下预设体积的液体，等待一定时间后采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域以及对应的扩散时间
。
之后，根据液体的扩散区域和扩散时间可以确定各个批次的清洗后频率元器件的清洗程度
。
最后，根据清洗程度满足预设条件的清洗后频率元器件对应的清洗参数为之后的频率元器件进行清洗
。
本申请根据多个批次清洗后频率元器件的清洗程度，选取清洗程度较佳对应的清洗参数对频率元器件清洗设备进行控制，能够提高对频率元器件的清洗效果
。
[0015]第三方面，本申请实施例提供了一种频率元器件残留污染物的检测系统，包括：检测平台，所述检测平台用于放置清洗后频率元器件；点胶机，所述点胶机中装有纯水，用于为放置于所述检测平台上的清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；图像采集设备，所述图像采集设备用于在多个预设时间点采集晶圆表面的图像；计算设备，所述计算设备用于根据晶圆表面的图像本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种频率元器件残留污染物的检测方法，其特征在于，包括：采用点胶机向多个清洗后频率元器件的晶圆表面滴下预设体积的液体；等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域；根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，所述清洗程度表征清洗后频率元器件的晶圆表面的污染物残留情况
。2.
如权利要求1所述的频率元器件残留污染物的检测方法，其特征在于，所述等待预设时间，采集晶圆表面的图像，根据晶圆表面的图像确定液体的扩散区域，包括：从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第一预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第一图像，以及根据所述第一图像确定液体的第一扩散区域；从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第二预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第二图像，以及根据所述第二图像确定液体的第二扩散区域；从向晶圆表面滴下预设体积的液体开始，间隔第三预设时间，采集各个清洗后频率元器件的晶圆表面的第三图像，以及根据所述第三图像确定液体的第三扩散区域；其中，所述第三预设时间大于所述第二预设时间，所述第二预设时间大于所述第一预设时间
。3.
如权利要求2所述的频率元器件残留污染物的检测方法，其特征在于，所述根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，包括：若第一扩散区域的形状不满足预设形状要求，或在晶圆表面的所占比例大于第一预设范围，则将对应的清洗后功率记为残留污染物超标；否则，将对应的清洗后频率元器件记为残留污染物未超标
。4.
如权利要求3所述的频率元器件残留污染物的检测方法，其特征在于，所述根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，还包括：对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，若第二扩散区域的形状满足预设形状要求，且在晶圆表面的所占比例位于第二预设范围内，则将对应的清洗后频率元器件记为清洗预合格
。5.
如权利要求3所述的频率元器件残留污染物的检测方法，其特征在于，所述根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，还包括：对于残留污染物未超标的清洗后频率元器件，若从第二图像中识别出第二扩散区域中存在气泡，则将对应的清洗后频率元器件记为清洗过度
。6.
如权利要求4所述的频率元器件残留污染物的检测方法，其特征在于，根据液体的扩散区域和扩散时间，确定清洗后频率元器件的清洗程度，还包括：对于清洗预合格...

【专利技术属性】
技术研发人员：王倩，王晓颖，
申请(专利权)人：江苏惠达电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：