光刻设备制造技术

一种光刻设备包括，照射系统

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻设备、温度传感器、和光纤布拉格光栅传感器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于
2021
年4月8日递交的美国临时专利申请第
63/172,312
号的优先权，该美国临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中
。


[0003]本公开涉及光刻设备及其方法
。
例如，可以用于在光刻过程中引导
EUV
辐射以制造半导体器件的投影光学元件可以经受热管理过程
。

技术介绍

[0004]光刻设备是将期望的图案涂覆到衬底上
(
通常涂覆到衬底的目标部分上
)
的机器
。
光刻设备可以用于制造例如集成电路
(IC)。
在这种情况下，图案形成装置
(
所述图案形成装置可替代地被称为掩模或掩模版
)
可以用于产生待形成于
IC
的单独的层上的电路图案
。
该图案可以转移到衬底
(
例如，硅晶片
)
上的目标部分
(
例如，包括管芯的一部分
、
一个或若干管芯
)
上
。
通常经由成像到设置于衬底上的辐射敏感材料
(
抗蚀剂
)
层上来进行图案的转移
。
总体而言，单个衬底将包含连续地经图案化的相邻的目标部分的网络
。
已知的光刻设备包括：所谓的步进器，在所谓的步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，在所谓的扫描仪中，通过在给定方向
(“扫描”方向
)
上通过辐射束扫描图案的同时平行或反向平行于该扫描方向同步地扫描目标部分来辐射每个目标部分
。
还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底
。
[0005]光刻设备通常包括照射系统，该照射系统在由辐射源产生的辐射入射于图案形成装置上之前调节该辐射
。
经图案化的
EUV
光束可以用于在衬底上产生极小的特征
。
极紫外光
(
有时也被称为软
x
射线
)
通常被定义为具有在约
5nm
至
100nm
的范围内的波长的电磁辐射
。
用于光学光刻的感兴趣的一种特定波长在
13.5nm
处出现
。
[0006]产生
EUV
光的方法包括但不一定限于将源材料转换为等离子体态，该等离子体态具有化学元素，该化学元素带有在
EUV
范围内的发射线
。
这些元素可以包括但不一定限于氙
、
锂和锡
。
[0007]在经常被称为激光产生等离子体
(“LPP”)
的一种这样的方法中，可以通过用激光束辐射例如呈液滴
、
流或线的形式的源材料来产生期望的等离子体
。
在经常被称为放电产生等离子体
(“DPP”)
的另一种方法中，可以通过将具有适当发射线的源材料定位于一对电极之间并且使所述电极之间发生放电来产生期望的等离子体
。
[0008]一种用于制造
IC
的技术涉及将经图案化的
EUV
辐射束投影到衬底上
。
投影光学器件可以使用反射器
。
由于
EUV
束就横截面强度而言可能是不完全均匀的，所以由反射器吸收的光学能量可能是不均匀的，从而使得反射器产生局部温差及后续变形
。
可能由于使用具有这些温度诱发变形的反射镜而引起反射光的畸变波前
。
这可能增加误差预算，从而减少受影响的热敏元件的可销售性及竞争优势
。
[0009]一种处理热敏物体的不均匀性的方法可以涉及使用靶向加热系统和温度传感器
。
温度传感器可以产生关于热敏物体中的温度不均匀性的信息，并且加热系统可以基于由温度传感器提供的信息而向热敏物体的相对较低温度区域供应加热能量
(
例如，激光
)。
尽管可以使用常规的温度传感器
(
例如，热敏电阻
)
，但这些常规温度可能存在各种问题
(
例如，结构实施困难
、
有限可扩展性
、
电噪声等
)。

技术实现思路

[0010]因此，需要改善温度感测技术以增加温度校正方法的准确度并且减小对例如在光刻设备的投影光学器件中的热敏物体的误差容限
。
[0011]在一些实施例中，一种光刻设备包括，照射系统
、
投影系统
、
温度敏感物体
、
和温度传感器
。
所述照射系统被配置为照射图案形成装置的图案
。
所述投影系统被配置为将所述图案的图像投影到衬底上
。
所述温度传感器热耦合到所述温度敏感物体
。
所述温度传感器包括波导装置和检测器
。
所述波导包括输入端
、
与所述输入端相反的下游端
、
以及第一散射特征和第二散射特征
。
所述第一散射特征被配置为基于所述第一散射特征处的温度而反射第一光谱
。
未被所述第一散射特征反射的辐射被允许向下游传播
。
所述第二散射特征被配置为基于所述第二散射特征处的温度而反射第二光谱
。
未被所述第二散射特征反射的辐射被允许向下游传播
。
所述检测器被布置为从所述输入端接收包括被反射的第一光谱及被反射的第二光谱的辐射，并且基于所接收的辐射而产生测量信号
。
[0012]在一些实施例中，一种系统包括温度敏感物体
、
温度传感器
、
和控制器
。
所述温度传感器包括波导装置和检测器
。
所述温度传感器热耦合到温度敏感物体
。
所述波导装置包括输入端
、
与所述输入端相反的下游端
、
以及第一散射特征和第二散射特征
。
所述第一散射特征被配置为基于所述第一散射特征处的温度而反射第一光谱
。
未被所述第一散射特征反射的辐射被允许向下游传播
。
所述第二散射特征被配置为基于所述第二散射特征处的温度而反射第二光谱
。
未被所述第二散射特征反射的辐射被允许向下游传播
。
所述检测器被布置为从所述输入端接收包括被反射的第一光谱及被反射的第二光谱的辐射，并且基于所接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种光刻设备，包括：照射系统，所述照射系统被配置为照射图案形成装置的图案；投影系统，所述投影系统被配置为将所述图案的图像投影到衬底上；温度敏感物体；以及温度传感器，所述温度传感器热耦合到所述温度敏感物体，其中，所述温度传感器包括：波导装置，所述波导装置包括：输入端，所述输入端被配置为接收输入辐射；下游端，所述下游端与所述输入端相反；第一散射特征，所述第一散射特征被配置为基于所述第一散射特征处的温度而反射第一光谱，其中，未被所述第一散射特征反射的辐射被允许向下游传播；和第二散射特征，所述第二散射特征被配置为基于所述第二散射特征处的温度而反射第二光谱，其中，未被所述第二散射特征反射的辐射被允许向下游传播；以及检测器，所述检测器被布置为从所述输入端接收包括被反射的第一光谱和被反射的第二光谱的辐射，并且被配置为基于所接收的辐射而产生测量信号
。2.
如权利要求1所述的光刻设备，其中：所述第一散射特征进一步被配置为使得被反射的第一光谱基于所述第一散射特征处的温度改变而改变；并且所述第二散射特征进一步被配置为使得被反射的第二光谱基于所述第二散射特征处的温度改变而改变
。3.
如权利要求1所述的光刻设备，其中：所述温度传感器还包括被配置为产生所述输入辐射的辐射源；并且所述输入辐射包括所述第一光谱和所述第二光谱
。4.
如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述波导装置被围封于所述温度敏感物体中，并且所述波导装置的长度沿着与所述温度敏感物体的温度敏感表面垂直的方向布置
。5.
如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述温度敏感物体是所述光刻设备中的光学元件或支撑结构
。6.
如权利要求5所述的光刻设备，其中，所述波导装置被围封于所述光学元件中并且布置成靠近所述光学元件的光学表面，使得所述第一散射特征及所述第二散射特征与所述光学表面的不同的区域热连通
。7.
如权利要求5所述的光刻设备，还包括控制器，所述控制器被配置为接收所述测量信号并且基于所述测量信号而产生控制信号，其中，所述光学元件包括可变形反射镜，所述可变形反射镜被配置为接收所述控制信号并且基于所接收的控制信号而调整形状

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：ASML，
类型：发明
国别省市：