【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用ChemFET传感器阵列进行细胞分析的系统、装置和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于
2020
年
12
月
21
日提交的美国临时申请第
63/128,751
号的权益,该美国临时申请以全文引用的方式并入本文
。
[0003]概述
[0004]细胞行为的电生理学和代谢表型仍然是现代细胞生物学研究的重要途径,并且研究人员在例如工程化组织
、
原代细胞类型和肿瘤学发现的领域中的大量需求未得到满足
。
当前,对细胞兴奋性的成功测量被繁琐的膜片钳和微电极伏安法所阻碍,而对代谢功能进行的询问仍然受到大规模人群和生化工作流程的技术局限性的阻碍,无法有效用来获取单个细胞行为的关键度量
。
[0005]越来越明显的是,在单个细胞水平上对模型系统进行的研究将会在病理病状
(
如癌症
、
糖尿病和神经退行性疾病
)
期间提供对正常细胞生理学和改变的更深入了解
。
突出显示单个细胞研究相对于细胞群研究的优点的最新应用包含例如对转录组学和衰老的研究
、
对细胞内的信号传导途径的研究以及对代谢的生物能量学测量
。
[0006]因此,本公开的系统
、
装置和方法可向终端用户提供细胞群中单个细胞的实时细胞分析和成像
。
本公开的细胞分析系统可以在单次分析中针对例如约
10 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种分析系统,包括:用于将接口装置可逆地耦合到传感器装置的设备,其中所述接口装置包括在将所述接口装置耦合到所述传感器装置时形成的流体源与流动池之间的流体接口;用于对所述传感器装置进行热调节的热控制组件;与所述传感器装置流体连通的参考电极,其中所述参考电极向传感器阵列装置的传感器阵列提供稳定的参考电位;和被配置为用于通过所述流动池进行可控液体递送的流体系统
。2.
根据权利要求1所述的分析系统,其中所述热控制组件在
4℃
至
60℃+/
‑
0.1℃
的温度范围内提供所述传感器装置的热调节
。3.
根据权利要求1所述的分析系统,其中所述分析系统还包括阵列控制器,所述阵列控制器被配置为向所述传感器装置提供电源电压和偏置电压以及控制信号和定时信号,并且向系统处理器提供从所述传感器阵列装置获取的数据
。4.
根据权利要求1所述的分析系统,其中所述分析系统还包括显微镜组件
。5.
根据权利要求4所述的分析系统,其中所述接口装置还在所述显微镜组件和所述传感器装置之间提供光学接口
。6.
根据权利要求1所述的分析系统,还包括:容纳所述设备和所述热控制组件的分析隔室;试剂和溶液隔室;和用于所述分析隔室以及所述试剂和溶液隔室的热调节的环境控制系统
。7.
根据权利要求6所述的分析系统,其中所述环境控制系统在
32℃
至
60℃+/
‑
0.5℃
的温度范围内提供所述分析隔室的热调节
。8.
根据权利要求6所述的分析系统,其中所述环境控制系统在
20℃
至
37℃+/
‑
0.3℃
的温度范围内提供所述试剂和溶液隔室的热调节
。9.
根据权利要求1所述的分析系统,其中所述传感器装置包括
ChemfET
传感器阵列
。10.
根据权利要求9所述的分析系统,其中所述传感器阵列中的每个
ChemfET
传感器具有
1fF
至约
10fF
之间的输入电容
。11.
根据权利要求9所述的分析系统,其中所述传感器阵列具有
850nm
至
3.3
μ
m
之间的间距
。12.
根据权利要求9所述的分析系统,其中所述
ChemfET
传感器是离子选择性场效应晶体管
(ISFET)
传感器
。13.
根据权利要求
12
所述的分析系统,其中所述
ISFET
传感器对氢离子具有选择性
。14.
一种传感器装置,包括:安装在衬底上的
ChemFET
传感器阵列,其中所述
ChemfET
传感器具有
850nm
至
3.3
μ
m
之间的间距和
1fF
至
10fF
之间的输入电容;和安装在所述衬底上的框架;所述框架具有内壁面,所述内壁面是使得能够可逆地形成流动池的密封面
。15.
根据权利要求
14
所述的传感器装置,其中所述传感器装置具有约
15fps
至约
120fps
之间的帧速率
。16.
根据权利要求
14
所述的传感器装置,其中所述
ChemFET
传感器阵列是
ISFET
传感器
阵列
。17.
根据权利要求
16
所述的传感器装置,其中所述
ISFET
传感器对氢离子具有选择性
。18.
根据权利要求
14
所述的传感器装置,其中所述传感器装置还包括电容性地耦合到所述传感器阵列的微孔阵列
。19.
根据权利要求
14
所述的传感器阵列,还包括装配在所述框架上的可拆卸盖
。20.
根据权利要求
14
所述的传感器装置,还包括样品分隔件,用于提供所述传感器阵列的隔离区域,以对每个空间上划分的细胞样品进行平板接种
。21.
根据权利要求
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