本发明专利技术属于射频无线接收机集成电路技术领域,具体为一种单端输入差分输出的单转双CMOS低噪声放大器(LNA),该低噪声放大器可以应用3.1~4.8GHz、3.1~10.6GHz的超宽带(UWB)射频前端中。它由输入寄生参数等效级、输入级、负载级三部分组成。其中输入寄生参数等效级由串联电感和并联电容组成,输入级由共栅管、输入电感和共源管组成,负载级由串联电阻和串联电感组成。本发明专利技术结构简单,功耗低,使用频带宽,除了实现一般宽带LNA的低噪声、高增益功能外,还实现了单端输入差分输出的功能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于射频无线接收机集成电路
,具体涉及一种应用于UWB 3.1 10. 6G标准的具有单端转双端功能的低噪声放大器(Single-to-differential LNA)。可用 于移动通信、无线宽带网络以及无线数据传输等技术标准的射频信号接收机芯片。
技术介绍
近年来,随着各种移动通信系统和无线数据传输技术如IEEE802. lla/b/g、WLAN、 UffB等的飞速发展,对高性能的射频信号接收机的需求也在加大。低噪声放大器是接收器 的第一级模块,它与接收机天线直接相连,将从天线接收到的微弱信号进行放大,然后再将 放大后的信号传输给后级的Mixer进行下一步的处理。一般从抑制来自电源、衬底的噪声 和其他干扰源的方面考虑LNA都会采用差分结构,但这样一方面在实际的系统中LNA不能 和天线直接相连,因为天线是单端输出的,另一方面在测试电路时也要在LNA前加入balim 以实现将信号单端转双端的功能。然而balim的引入将会带来较大的损耗,同时引入一定 的噪声,造成整机性能的下降。尤其是对于现在市场情况来说,有着较低损耗的高性能片外 balim通常都是应用于窄带的,用于宽带的balim通常都有着较高的输入损耗,同时也会增 加整个链路的噪声。因此,研究一个将balun和LNA的功能合二为一的电路将是一个不错 的选择。传统技术中单转双电路的实现通常采用图1所示的方式。但由于电路结构本身的 限制,要想实现超宽频如UWB的频段是非常困难的。首先是输入匹配方面,对于图1所示的传统结构,在共栅管的源端和共源管的栅 端通过一个电阻接地,这样输入匹配将由电阻Rb、共栅管跨导gm以及输入端寄生电容(包 括pad电容,MOS管寄生电容,连线寄生电容等)决定。由于输入端寄生电容一般较大,因 此当频段较高时,使得输入阻抗Zin(如表达式1所示)产生了一个极点,从而难以实现超宽 频的匹配。<formula>formula see original document page 3</formula>式(1)中Cin表示输入端寄生电容,包括pad电容,MOS管寄生电容,连线寄生电容 等,gm。g表示输入共栅管的跨导。其次是增益方面,对于图1所示的传统结构,其负载采用的是单纯的电阻负载。在 高频的情况下,由于负载端寄生电容产生的极点的作用,增益会有较大的下降,从而限制增 益的带宽,使之难以实现超宽频范围内的增益平坦。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题,本专利技术设计了 一种低噪声放大器,可应用于满足UffB(3. 1 10. 6GHz)标准的接收机中。该专利技术除了能够满足一般低噪声放大器的低噪声、高增益、增益平坦等的要求外还要能够实现balim的功能,即实现一个信号单端输入、双端 输出的功能。本专利技术设计的低噪声放大器,其结构图如图2所示。它由输入寄生参数等效级、输 入级、负载级三部分组成。其单端输入为Vin,差分输出为v。ut ;其中所述的输入寄生参数等效级由串联电感Lb。nding和并联电容Cpad组成,串联电感模 拟bonding线的寄生电感,并联电容模拟PAD的寄生电容和ESD电路的寄生电容;串联电感 和并联电容与芯片内的输入隔直电容Cca相连;所述的输入级由共栅管M。g、输入电感L。g和共源管M。s组成,其中共栅管和输入电 感在共栅支路,共源管在共源支路;共栅管和共源管既作为输入管,同时也作为放大管,起 到放大的作用;共栅管的源极和输入隔直电容Ccl以及另一隔直电容c。2相连,同时通过输 入电感接地,共源管的栅极和另一隔直电容(;2相连,源极直接接地;所述负载级包括串联电阻R。g、R。jn串联差分电感L,串联电感用来提高带宽;其中 串联电阻R。g在共栅支路,该串联电阻R。g的一端和共栅管的漏端相连,构成输出的正端,另 一端和串联差分电感相连;串联电阻R。s在共源支路,该串联电阻R。s的一端和共源管的漏 端相连,构成输出的负端,另一端和串联差分电感相连;串联差分电感的另外两端分别连接 衬底SUB和电源VDD。相对于传统的只能用于较低频带的结构,本专利技术主要做了如下改进首先,输入级采用了一个输入电感。如图2中所示,此时输入阻抗将由输入电感、 共栅管跨导gm以及输入端寄生电容(包括pad电容,MOS管寄生电容,连线寄生电容等)决 定。由于输入电感的引入,将在很大程度上抵消输入端寄生电容带来的影响,使输入匹配可 以在超宽频的频带内保持较好的结果。如表达式(1)所示<formula>formula see original document page 4</formula>(2)式(2)中Cin表示输入端寄生电容,包括pad电容,MOS管寄生电容,连线寄生电容 等,gm。g表示输入共栅管的跨导。当采用了输入电感来改善输入匹配后,共源管轧3和共栅支路之间就需要使用隔 直电容C。,对共源管M。s采取另外加偏置,这样虽然在版图时会由于电容C。而引入一定的额 外寄生电容,但这样消除了共栅支路对共源管的偏置电压的限制,使得对共源管M。s的工作 点的调整有了很大的自由度,而这一点在本结构中有着很重要的作用。如附图3的噪声抵 消原理图所示,当共栅支路和共源支路的增益相等时,共栅管的噪声在输出端可以被抵消。 根据表达式(3),共源管M。s的跨导越大,电路噪声越小,提高M。s的跨导可以通过提高共源 管M。s的宽长比或是增大M。s的过驱动电压来实现,然而共源管M。s的宽长比较大时,会引入 较大的栅源寄生电容,大大影响输入匹配。因此在确定共源管M。s的宽长比后,可以通过调 整M。s的偏置电压来调整M。s的跨导,从而改善电路的噪声性能。<formula>formula see original document page 4</formula> 其次,负载级采用串联差分电感的方式。在负载端串联电感后,经过仔细的电路调 整,可以在适当的频点产生一个零点,从而可以抵消一部分由输出端寄生电容所导致的极点的作用。当不考虑负载电感时,增益如表达式(4)所示<formula>formula see original document page 5</formula>式(4)中C。g和C。s分别表示共栅支路和共源支路的负载端寄生电容。可见C。g和c。s分别在其各自支路产生一个极点,限制了带宽。当加入电感后,增益将变为Sfm ;^^形式,经过合适的取值,可以在合适的频点产生一个零点,从而可以提高高频处增益,这样就 可以改善增益平坦度,进而扩展带宽,从而可以实现用于UWB全频段的单转双LNA。本专利技术LNA结构简单,功耗低。同时由于输入端及负载端采用电感,可以实现超宽 频范围的很好的匹配和增益平坦,在此基础上还实现了较低的噪声和较高的线性度。此外, 该电路还实现了单端转双端的功能,便于和天线直接相连,促进了芯片的进一步集成。附图说明图1普通单转双结构LNA的结构示意图。图2本专利技术单转双LNA电路结构示意图。图3噪声抵消原理示意图。图4输出测试buffer示意图。图5本设计具体实施实例的输入匹配仿真图。图6本设计具体实施实例的增益仿真图。图7本设计具体实施实例的噪声仿本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种应用于UWB系统的单端输入差分输出的低噪声放大器,其特征在于该低噪声放大器由输入寄生参数等效级、输入级、负载级三部分组成;其单端输入为V↓[in],差分输出为V↓[out];其中:所述的输入寄生参数等效级由串联电感(L↓[bonding])和并联电容(C↓[pad])组成,串联电感模拟bonding线的寄生电感,并联电容模拟PAD的寄生电容和ESD电路的寄生电容;串联电感和并联电容与芯片内的输入隔直电容(C↓[c1])相连;所述的输入级由共栅管(M↓[cg])、输入电感(L↓[cg])和共源管(M↓[cs])组成,其中共栅管和输入电感在共栅支路,共源管在共源支路;共栅管和共源管既作为输入管,同时也作为放大管,起到放大的作用;共栅管的源极和输入隔直电容(C↓[c1])以及另一隔直电容(C↓[c2])相连,同时通过输入电感接地,共源管的栅极和另一隔直电容(C↓[c2])相连,源极直接接地;所述负载级包括串联电阻(R↓[cg]、R↓[cs])和串联差分电感(L),串联电感用来提高带宽;其中串联电阻(R↓[cg])在共栅支路,该串联电阻(R↓[cg])的一端和共栅管的漏端相连,构成输出的正端,另一端和串联差分电感相连;串联电阻(R↓[cs])在共源支路,该串联电阻(R↓[cs])的一端和共源管的漏端相连,构成输出的负端,另一端和串联差分电感相连;串联差分电感的另外两端分别连接衬底SUB和电源VDD。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李宁,周锋,张楷晨,
申请(专利权)人:复旦大学,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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