MOS组件、电池保护板以及锂电池制造技术

本实用新型专利技术提供了一种MOS组件、电池保护板以及锂电池，MOS组件包括：基体，基体的上表面设置有上S极焊盘，基体的下表面具有间隔设置的下S极焊盘、第一下G极焊盘以及第二下G极焊盘；第一MOS管，具有第一S极、第一G极以及第一D极，第一S极与上S极焊盘连接，第一G极与第一下G极焊盘连接；第二MOS管，具有第二S极、第二G极以及第二D极，第二S极与下S极焊盘连接，第二G极与第二下G极焊盘连接，第一D极和第二D极连接。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的电池保护板过流能力小的问题。相关技术中的电池保护板过流能力小的问题。相关技术中的电池保护板过流能力小的问题。

【技术实现步骤摘要】
MOS组件、电池保护板以及锂电池


[0001]本技术涉及电子产品
，具体而言，涉及一种MOS组件、电池保护板以及锂电池。

技术介绍

[0002]电子设备，例如手机或者笔记本电脑中都设置有锂电池为其供电。其中，锂电池中还设置有电池保护板，电池保护板主要对锂电池的充电和放电起到保护作用，以延长其使用寿命。
[0003]在相关技术中，电池保护板包括PCB板以及设置在PCB板上的MOS管，MOS管上设置有多个焊盘，通过焊盘与电芯连接，进而串联至充放电回路中，同时利用焊盘与PCB上的控制点进行连接。例如，专利CN203192900U提供了一种电池保护板，电池保护板的焊盘设置在板体的同一侧。
[0004]然而，由于相关技术中的焊盘均设置在MOS管的同一侧，存在内阻大，过流能力小的问题。

技术实现思路

[0005]本技术提供一种MOS组件、电池保护板以及锂电池，以解决相关技术中的电池保护板过流能力小的问题。
[0006]根据本技术的一个方面，提供了一种MOS组件，MOS组件包括：基体，基体的上表面设置有上S极焊盘，基体的下表面具有间隔设置的下S极焊盘、第一下G极焊盘以及第二下G极焊盘；第一MOS管，具有第一S极、第一G极以及第一D极，第一S极与上S极焊盘连接，第一G极与第一下G极焊盘连接；第二MOS管，具有第二S极、第二G极以及第二D极，第二S极与下S极焊盘连接，第二G极与第二下G极焊盘连接，第一D极和第二D极连接。
[0007]进一步地，上S极焊盘的面积大于第一下G极焊盘的面积和/或第二下G极焊盘的面积；下S极焊盘的面积大于第一下G极焊盘的面积和/或第二下G极焊盘的面积。
[0008]进一步地，第一下G极焊盘和第二下G极焊盘沿第一方向间隔设置，在与第一方向垂直的第二方向上，下S极焊盘位于第一下G极焊盘以及第二下G极焊盘的一侧。
[0009]进一步地，下S极焊盘包括多个相连接的分焊盘。
[0010]进一步地，多个分焊盘阵列设置在基体的下表面。
[0011]进一步地，下S极焊盘包括整焊盘，整焊盘的面积与基体的下表面的面积之比在0.5至0.8之间。
[0012]进一步地，基体的下表面还设置有检测焊盘，检测焊盘与上S极焊盘连接，检测焊盘分别与下S极焊盘、第一下G极焊盘以及第二下G极焊盘间隔设置。
[0013]根据本技术的另一方面，提供了一种电池保护板，电池保护板包括：PCB板，具有第一控制点和第二控制点；MOS组件，MOS组件的基体的下表面与PCB板相贴合，第一控制点与MOS组件的第一下G极焊盘连接，第二控制点与MOS组件的第二下G极焊盘连接，MOS组件
为上述提供的MOS组件。
[0014]进一步地，电池保护板还包括与负载连接的输出端引线，输出端引线包括正极引线和负极引线，负极引线与MOS组件的上S极焊盘连接，正极引线与PCB板连接。
[0015]根据本技术的再一方面，提供了一种锂电池，锂电池包括：电芯，具有正极极耳和负极极耳；电池保护板，负极极耳与电池保护板的下S极焊盘连接，正极极耳与电池保护板的正极引线连接，电池保护板为上述提供的电池保护板。
[0016]应用本技术的技术方案，MOS组件包括基体、第一MOS管以及第二MOS管，在应用该MOS组件时，通过上S极焊盘将第一MOS管的第一S极与基体连接，通过第一下G极焊盘将第一MOS管的第一G极与基体连接。通过下S极焊盘将第二MOS管的第二S极与基体连接，通过第二下G极焊盘将第二MOS管的第二G极与基体连接。并将第一D极和第二D极通过基体连接，即可实现第一MOS管和第二MOS管的串联。由于上S极焊盘设置在基体的上表面，下S极焊盘、第一下G极焊盘以及第二下G极焊盘设置在基体的下表面，相比于将所有焊盘设置在基体的同一侧，焊盘的面积可以做得更大，进而能够减小内阻，提升其过流能力。
附图说明
[0017]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0018]图1示出了根据本技术实施例提供的MOS组件的上表面的结构示意图；
[0019]图2示出了根据本技术实施例一提供的MOS组件的下表面的结构示意图；
[0020]图3示出了根据本技术实施例二提供的MOS组件的下表面的结构示意图；
[0021]图4示出了根据本技术实施例提供的锂电池的结构示意图。
[0022]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0023]10、基体；11、上S极焊盘；12、下S极焊盘；121、分焊盘；122、整焊盘；13、第一下G极焊盘；14、第二下G极焊盘；15、检测焊盘；
[0024]20、PCB板；
[0025]30、输出端引线；31、正极引线；32、负极引线；
[0026]40、电芯；41、正极极耳；42、负极极耳。
具体实施方式
[0027]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]如图1至图3所示，本技术实施例提供了一种MOS组件，MOS组件包括基体10、第一MOS管以及第二MOS管，基体10的上表面设置有上S极焊盘11，基体10的下表面具有间隔设置的下S极焊盘12、第一下G极焊盘13以及第二下G极焊盘14；第一MOS管具有第一S极、第一G极以及第一D极，第一S极与上S极焊盘11连接，第一G极与第一下G极焊盘13连接；第二MOS管
具有第二S极、第二G极以及第二D极，第二S极与下S极焊盘12连接，第二G极与第二下G极焊盘14连接，第一D极和第二D极连接。
[0029]应用本技术的技术方案，MOS组件包括基体10、第一MOS管以及第二MOS管，在应用该MOS组件时，通过上S极焊盘11将第一MOS管的第一S极与基体10连接，通过第一下G极焊盘13将第一MOS管的第一G极与基体10连接。通过下S极焊盘12将第二MOS管的第二S极与基体10连接，通过第二下G极焊盘14将第二MOS管的第二G极与基体10连接。并将第一D极和第二D极通过基体10连接，即可实现第一MOS管和第二MOS管的串联。由于上S极焊盘11设置在基体10的上表面，下S极焊盘12、第一下G极焊盘13以及第二下G极焊盘14设置在基体10的下表面，相比于将所有焊盘设置在基体10的同一侧，焊盘的面积可以做得更大，进而能够减小内阻，提升其过流能力。
[0030]其中，MOS管是电路中常用的功率开关器件，具有三个电极，分别为栅极G本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOS组件，其特征在于，所述MOS组件包括：基体(10)，所述基体(10)的上表面设置有上S极焊盘(11)，所述基体(10)的下表面具有间隔设置的下S极焊盘(12)、第一下G极焊盘(13)以及第二下G极焊盘(14)；第一MOS管，具有第一S极、第一G极以及第一D极，所述第一S极与所述上S极焊盘(11)连接，所述第一G极与所述第一下G极焊盘(13)连接；第二MOS管，具有第二S极、第二G极以及第二D极，所述第二S极与所述下S极焊盘(12)连接，所述第二G极与所述第二下G极焊盘(14)连接，所述第一D极和所述第二D极连接。2.根据权利要求1所述的MOS组件，其特征在于，所述上S极焊盘(11)的面积大于所述第一下G极焊盘(13)的面积和/或所述第二下G极焊盘(14)的面积；所述下S极焊盘(12)的面积大于所述第一下G极焊盘(13)的面积和/或所述第二下G极焊盘(14)的面积。3.根据权利要求1所述的MOS组件，其特征在于，所述第一下G极焊盘(13)和所述第二下G极焊盘(14)沿第一方向间隔设置，在与所述第一方向垂直的第二方向上，所述下S极焊盘(12)位于所述第一下G极焊盘(13)以及所述第二下G极焊盘(14)的一侧。4.根据权利要求3所述的MOS组件，其特征在于，所述下S极焊盘(12)包括多个相连接的分焊盘(121)。5.根据权利要求4所述的MOS组件，其特征在于，多个所述分焊盘(121)阵列设置在所述基体(10)的下表面。6.根据权利要求3所述的MOS组件，其特征在于，所述下S...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘玉华，赵常见，颜彩仙，肖颖，
申请(专利权)人：浙江欣旺达电子有限公司，
类型：新型
国别省市：