一种１．５５μｍＩｎＮ量子点单光子源制造技术

量子密码通信是近年来发展起来的一种绝对安全的密钥分发技术，目前阻碍量子密码通信走向实用的主要问题是缺少高效的信息载体——单光子源。本发明专利技术是一种新的长波长ＩｎＮ量子点单光子源，在蓝宝石衬底生长ＩｎＮ量子点，发射波长可达到１．５５μｍ。利用ＭＢＥ生长低密度的ＩｎＮ量子点以满足单光子发射的需要。在制作单光子源工艺时，创造性地引入氮化物阳极氧化工艺形成自对准电流隔离区，发展出一种工艺简单的单光子源，实现高效率的单光子输出。高质量的ＩｎＮ量子点单光子源是量子保密通信的理想光源，能够满足未来量子密码通信的要求。因此，该发明专利技术具有十分重要的现实意义。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
本专利是一种１．５５μｍＩｎＮ量子点单光子源，在蓝宝石衬底生长ＩｎＮ量子点，发光点尺寸１００－１５０ｎｍ，发射波长可达到１．５５μｍ。利用ＭＢＥ生长低密度的ＩｎＮ量子点以满足单光子发射的需要。在制作单光子源工艺时，利用基本的光刻技术制作１００ｎｍ左右直径的电流注入区，阳极氧化ＧａＮ形成自对准电流隔离区。最后形成１００ｎｍ作用的电流注入区。采用梯度禁带宽度材料最佳化电流注入。利用带三维势能的自组装量子点抑制载流子的侧向扩散，提高量子效率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曲轶，杨旭，赵博，李辉，赵强，张斯钰，高欣，薄报学，刘国军，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]