本发明专利技术公开了一种用于ＳｉＣ?ＭＥＳＦＥＴ直流测试的夹具，其包括馈电模块和用于固定待测ＳｉＣ?ＭＥＳＦＥＴ的固定支架，还包括一与馈电模块分立的基座，基座上设置上述固定支架。采用本发明专利技术克服了常规直流测试的夹具不能在高于２００℃下使用的缺陷，在消除器件自激现象的同时，能够测试ＳｉＣ?ＭＥＳＦＥＴ在较高温度如２００℃～６００℃下的直流特性，为器件的可靠性监测提供了宝贵数据；本发明专利技术的结构简单，易于实现。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于场效应晶体管测试的夹具，尤其是一种用于SiCMESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor，金属-半导体场效应晶体 管)直流测试的夹具。
技术介绍
SiC材料因其具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等 优良特性，决定了将它应用在半导体微波功率器件(尤其是MESFET)制作中成为一个必然 趋势。由SiC材料制作的SiC MESFET具有高温工作的特点，理论分析表明其最高工作温度 可达600°C。研究温度对SiC MESFET直流特性的影响，可验证器件的较高温度下的工作特 性，比如在高于200°C下的工作特性。目前，SiC MESFET直流特性的测量通过常规的测试夹具实现。常规的直流测试的 夹具包括电路载体，电路载体上设置布有滤波电路的PCB板和用于固定待测SiC MESFET的 固定槽，所述电路载体采用硬铝或黄铜加工而成，所述的PCB板和固定槽借助于螺钉或者 焊接工艺固定在电路载体上，所述的滤波电路为微带线电路，微带线电路上焊接电阻、电容 等元件。在使用上述结构的夹具过程中，如果需要测试SiC MESFET在300°C下的直流工作 特性，首先，将待测SiC MESFET借助螺钉固定在固定槽中，然后通过加热电路载体，将待测 SiC MESFET加热至300°C。此时固定在同一电路载体上的PCB板也必然会被加热，而PCB 板最高工作温度小于200°C、电阻及电容元件最高工作温度小于150°C，因此在测试温度小 于200°C时，一般的直流测试夹具可胜任测试工作，而一旦测试温度大于200°C，PCB板、PCB 板微带线电路、电阻及电容等元件的性能严重衰退，滤波电路失效。在直流测试中，滤波电 路除实现馈电功能外，还具有下列作用1)滤除直流测试仪器中包含的各种杂波，消除器 件自激现象；2)在栅极滤波电路中引入电阻，改变器件输入阻抗，消除器件自激现象。如果 滤波电路失效，会造成器件自激，通过直流测试仪器无法得到准确的直流测试数据，无法完 成直流测试。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种克服现有的直流测试夹具不适合在高于 200°C的温度下进行测试的缺点，提供一种结构简单、能够实现用于SiCMESFET在不同使用 温度下直流测试的夹具。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是包括馈电模块和用于固定待 测SiC MESFET的固定支架，关键的改进在于，还包括一与馈电模块分立的基座，基座上设置 上述固定支架。对上述方案进一步的改进是所述馈电模块分为栅极馈电模块和漏极馈电模块两部分。栅极馈电模块实现对栅极电压信号的滤波和分压；漏极馈电模块实现对漏极电压信号的滤波和分压。所述的栅极馈电模块或者漏极馈电模块包括电路载体，电路载体上固定布有滤波 电路的栅极PCB板或者漏极PCB板。上述的滤波电路连接供信号输入、输出的引线，引线的另一端连接鳄形夹。所述鳄形夹与引线的连接采用线绕方法。避免了采用压焊连接中存在的焊锡，在 温度高于200°c而熔化的缺陷。 在现有的直流测试夹具中，PCB板和固定槽均设置在同一个电路载体上，在加热固 定槽中的待测SiC MESFET时，通过电路载体的传热作用，PCB板及PCB板上的滤波电路也被 加热。而本专利技术的技术方案中，基座与固定支架形成一体结构，作为一个固定模块，与馈电 模块在物理上是分开的；在测试时，固定模块在物理上与馈电模块仅通过引线及鳄形夹相 连，因此固定模块与馈电模块两者之间的热交换很小，可避免较高温度对待测SiC MESFET 的影响。采用本专利技术所产生的有益效果是克服了常规直流测试的夹具不能在高于200°C 下使用的缺陷，能够用于在较高温度如200°C 600°C下的直流特性测试，为器件的可靠性 监测提供了宝贵数据；且本专利技术的结构主要由两部分组成，其结构简单，易于实现。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1是本专利技术栅极馈电模块的俯视示意图；图2是本专利技术漏极馈电模块的俯视示意图；图3是本专利技术固定模块的俯视示意图；图4是图1中A-A向剖视图；图5是图3中B-B向剖视图；图6是本专利技术使用状体的俯视图；其中，1、电路载体，2、栅极PCB板，3、滤波电路，4、引线，5、定位孔，6、基座，7、固定 支架，8、漏极PCB板，9、鳄形夹，10代表待测SiC MESFET，11代表加热平台，12代表测试仪 器，13、螺纹孔。具体实施例方式参看图1 图5，本专利技术包括馈电模块和与馈电模块分立的固定模块。所述的馈电模块用于待测SiC MESFET馈电，消除待测SiC MESFET自激，并实现待 测SiC MESFET与直流测试仪器的连接。本专利技术中馈电模块分为栅极馈电模块和漏极馈电模块两部分。所述的栅极馈电模 块实现栅极电压信号的滤波和分压，其包括电路载体1，电路载体1上借助于螺钉或者焊接 工艺固定布有滤波电路3的栅极PCB板2。所述的漏极馈电模块实现漏极电压信号的滤波 和分压，其包括电路载体1，电路载体1上借助于螺钉或者焊接工艺固定布有滤波电路3的 漏极PCB板8。上述的滤波电路3为微带线电路，微带线电路上焊接电阻、电容等元件，滤波电路 3上连接供信号输入、输出的引线4，引线4的另一端连接鳄形夹9。鳄形夹9为通用电气连接元件，与引线4通过线绕法连接。测试时，固定模块与馈电模块之间的连接通过引线4及 鳄形夹9实现，通过引线4及鳄形夹9传导至馈电模块的热量很小，可避免较高温度对馈电 模块中栅极PCB板和/或漏极PCB板以及滤波电路的影响，防止由于滤波电路失效造成器 件自激。所述的固定模块由基座6和固定在基座6上的用于固定待测SiC MESFET的固定 支架7组成。基座6上设有定位孔，借助于定位孔6和螺钉，将基座6上稳固在加热平台11上。固定支架7上设置用于固定待测SiC MESFET 10的螺纹孔13。使得待测SiCMESFET 与固定支架之间紧密接触。所述的基座6、固定支架7或者电路载体1均采用黄铜材料。黄铜具有导热快的 特点。由黄铜制作的基座6和固定支架7，保证了热量从加热平台可快速传导至待测SiC MESFET，使得加热平台与待测SiC MESFET之间的温差较小，试验证明，本专利技术中加热平台与 待测SiC MESFET之间的温差小于6°C ；由黄铜制作的电路载体1保证了由固定支架传导至 馈电模块的热量可迅速扩散，避免栅极PCB板或者漏极PCB板及滤波电路温度的升高。参看图6，是本专利技术的夹具与加热平台11、直流测试器12配合使用的示意图，下面 以测试温度为405°C为例进行说明。首先将待测SiC MESFET 10通过装配工艺密封于封装外壳，所述的装配工艺包括 芯片烧结、芯片键合及芯片封帽。将上述封装外壳借助于螺钉固定在固定支架7上，再将装 有待测SiC MESFET的基座借助于螺钉固定在加热平台11上。然后将栅极馈电模块、漏极 馈电模块的鳄形夹分别与封装外壳的栅极和漏极，以及直流测试仪器12相连接。设定加热平台11初始加热温度为410°C，待加热5分钟后，使用热电偶检测封装 外壳温度，观察其温度是否达到405°C，如果小于405°C，则升高加热平台温度。应用实例表 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ直流测试的夹具，其包括馈电模块和用于固定待测ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ的固定支架，其特征在于，还包括一与馈电模块分立的基座，基座上设置上述固定支架。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：默江辉，王勇，李静强，王翔，冯志红，何庆国，蔡树军，杨克武，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]
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