本实用新型专利技术涉及的微纳米气泡半导体设备清洗装置，包括气泡生成装置、气泡剪切装置和增压装置，气泡生成装置包括储水腔、单向阀、管道式加热装置和加压腔，单向阀的进口与储水腔连通，管道式加热装置的进口与单向阀的出口连接，加压腔与管道式加热装置的出口连通，加压腔底部开有供加压腔中的水输出的气泡输出孔，且气泡输出孔成形为上端小、下端大的锥形孔，气泡输出孔连接有切换阀；切换阀包括至少2个切换出口，其中至少一个切换出口与气泡剪切装置连接，其中至少一个切换出口与增压装置连接。本实用新型专利技术的有益效果在于：能够根据半导体器件的类型或半导体上污染的顽固程度来控制切换阀，能够改善对半导体器件的清洗效果。能够改善对半导体器件的清洗效果。能够改善对半导体器件的清洗效果。
【技术实现步骤摘要】
一种微纳米气泡半导体设备清洗装置
[0001]本技术涉及了零件检测
，尤其涉及一种微纳米气泡半导体设备清洗装置。
技术介绍
[0002]在工业应用领域中，纳米级气泡指在液体中1000nm以下的细小气泡，进一步地，将1～100μm之间的气泡称为微小气泡，100μm以上的气泡称为普通气泡。在水中，相较于普通气泡，微纳米气泡拥有存在时间长、表面能高、表面带负电荷、气液传质率高、能自发产生自由基的特点。因此可以将纳米级气泡用在半导体器件的清洗中，目前，产生微纳米气泡的方法主要有四种：超声空化、水动力空化、光学空化和微粒空化，其中，水动力空化设备要求简单，是产生微纳米气泡的常用方法。
[0003]现有的微纳米气泡生成装置都是将气泡混合和气泡成形设置成一体结构，如201510779931.0公开的了一种纳米气泡发生器及其应用，所述纳米气泡发生器分为高速转子叶轮、微孔曝气头及空气接入管，其中微孔曝气头设于空气接入管排气口一端，高速转子叶轮设置于空气接入管上。无法对气泡的直径进行进一步控制，无法对半导体器件上的普通污染物质和顽固污染物质进行针对性处理，导致资源的浪费或清洗不彻底。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种微纳米气泡半导体设备清洗装置，能够针对半导体器件上的不同污染物进行分别清洗，改善对半导体器件的清洗效果。
[0005]本技术涉及的一种微纳米气泡半导体设备清洗装置，包括气泡生成装置、气泡剪切装置和增压装置，所述气泡生成装置包括储水腔、单向阀、管道式加热装置和加压腔，所述单向阀的进口与储水腔连通，所述管道式加热装置的进口与所述单向阀的出口连接，所述加压腔与所述管道式加热装置的出口连通，所述加压腔底部开有供加压腔中的水输出的气泡输出孔，且所述气泡输出孔成形为上端小、下端大的锥形孔，所述气泡输出孔连接有切换阀；
[0006]所述切换阀包括至少2个切换出口，其中至少一个所述切换出口与气泡剪切装置连接，其中至少一个所述切换出口与所述增压装置连接，所述增压装置包括两个增压组件，其中一所述增压组件与所述气泡剪切装置连接，其中一所述增压组件与所述切换出口连接。
[0007]进一步地，所述增压组件包括增压泵、输入管和输出管，所述输入管和输出管分别与所述增压泵连接，所述输出管包括相互连接的第一管体和第二管体，所述第一管体的内径大于所述第二管体的内径，所述第一管体与所述增压泵连接，所述第二管体连接有喷嘴。
[0008]进一步地，所述气泡剪切装置包括转子叶轮、导向管、空气接入管和液体接入管，所述空气接入管和所述液体接入管连接在所述导向管的内壁，所述空气接入管和所述液体
接入管分别与所述导向管连通，所述液体接入管与所述切换出口连接。
[0009]进一步地，所述转子叶轮包括转动轴和连接在转动轴上的若干个叶片，所述叶片为单板形、圆弧形或机翼形中的一种，所述转动轴与驱动电机连接。
[0010]进一步地，所述空气接入管和所述液体接入管的管壁上开设有若干个通孔，所述通孔与所述导向管连通。
[0011]进一步地，所述储水腔的进水口连接有用于将气体与液体相互混合的气液混合装置。
[0012]本技术的有益之处在于：切换阀包括至少2个切换出口，其中至少一个切换出口与气泡剪切装置连接，其中至少一个切换出口与增压装置连接，所述增压装置包括两个增压组件，其中一增压组件与所述气泡剪切装置连接，其中一增压组件与切换出口连接，能够根据半导体器件的类型或半导体上污染的顽固程度来控制切换阀，控制纳米气泡流进入气泡剪切装置中进一步剪切或直接进入增压装置，能够改善对半导体器件的清洗效果。
[0013]为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1是微纳米气泡半导体设备清洗装置的整体结构示意图。
[0016]图2是气泡剪切装置的结构示意图。
[0017]图3是加压腔的结构示意图。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]参照图1、图2和图3，在本技术一较佳实施例中涉及的一种微纳米气泡半导体设备清洗装置，包括气泡生成装置1、气泡剪切装置2和增压装置3，所述气泡生成装置1包括储水腔11、单向阀12、管道式加热装置13和加压腔14，所述单向阀12的进口与储水腔11连通，所述管道式加热装置13的进口与所述单向阀12的出口连接，所述加压腔14与所述管道式加热装置13的出口连通，所述加压腔14底部开有供加压腔14中的水输出的气泡输出孔141，且所述气泡输出孔141成形为上端小、下端大的锥形孔，所述气泡输出孔141连接有切换阀4；
[0020]所述切换阀4包括至少2个切换出口41，其中至少一个所述切换出口41与气泡剪切装置2连接，其中至少一个所述切换出口41与所述增压装置3连接，所述增压装置3包括两个增压组件31，其中一所述增压组件31与所述气泡剪切装置2连接，其中一所述增压组件31与
所述切换出口41连接。
[0021]在上述实施例中，所述增压组件31包括增压泵311、输入管312和输出管313，所述输入管312和输出管313分别与所述增压泵311连接，所述输出管313包括相互连接的第一管体3131和第二管体3132，所述第一管体3131的内径大于所述第二管体3132的内径，所述第一管体3131与所述增压泵311连接，所述第二管体3132连接有喷嘴5。
[0022]在上述实施例中，所述气泡剪切装置2包括转子叶轮21、导向管22、空气接入管23和液体接入管24，所述空气接入管23和所述液体接入管24连接在所述导向管22的内壁，所述空气接入管23和所述液体接入管24分别与所述导向管22连通，所述液体接入管24与所述切换出口41连接。
[0023]在上述实施例中，所述转子叶轮21包括转动轴211和连接在转动轴211上的若干个叶片212，所述叶片212为单板形、圆弧形或机翼形中的一种，所述转动轴211与驱动电机连接。
[0024]在上述实施例中，所述空气接入管23和所述液体接入管24的管壁上开设有若干个通孔，所述通孔与所述导向管21连通。通过通孔的开设，能够将纳米气泡流与空气进一步混合。
[0025]在上述实施例中，所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微纳米气泡半导体设备清洗装置，其特征在于：包括气泡生成装置、气泡剪切装置和增压装置，所述气泡生成装置包括储水腔、单向阀、管道式加热装置和加压腔，所述单向阀的进口与储水腔连通，所述管道式加热装置的进口与所述单向阀的出口连接，所述加压腔与所述管道式加热装置的出口连通，所述加压腔底部开有供加压腔中的水输出的气泡输出孔，且所述气泡输出孔成形为上端小、下端大的锥形孔，所述气泡输出孔连接有切换阀；所述切换阀包括至少2个切换出口，其中至少一个所述切换出口与气泡剪切装置连接，其中至少一个所述切换出口与所述增压装置连接，所述增压装置包括两个增压组件，其中一所述增压组件与所述气泡剪切装置连接，其中一所述增压组件与所述切换出口连接。2.根据权利要求1所述的微纳米气泡半导体设备清洗装置，其特征在于：所述增压组件包括增压泵、输入管和输出管，所述输入管和输出管分别与所述增压泵连接，所述输出管包括相互连接的第一管体和第二管体，所述第一管体...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢明宪，
申请(专利权)人：昆山成格光电有限公司，
类型：新型
国别省市：
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