沿触发唤醒开关电路及应用该电路的休眠唤醒控制方法技术

本发明专利技术公开了一种沿触发唤醒开关电路及应用该电路的休眠唤醒控制方法，属于

【技术实现步骤摘要】
沿触发唤醒开关电路及应用该电路的休眠唤醒控制方法


[0001]本专利技术属于
STM32
休眠后唤醒
，更具体地说，涉及一种沿触发唤醒开关电路及应用该电路的休眠唤醒控制方法
。

技术介绍

[0002]STM32
作为在市面上主流的一款微控制芯片，其自身有着非常良好的功耗控制功能
。
在空闲时可以通过外部中断或
RTC
进入
SLEEPDEEP
模式，从而获得更低的功耗
。
既然可以进入低功耗模式，自然也有办法将其从
SLEEPDEEP
模式唤醒
,
而
STM32
唤醒的方式有几种，分别是
WKUP
引脚上升沿
、RTC
闹钟事件
、NRST
引脚的外部复位
、IWDG
复位
。
在实际应用情况下，
WKUP
引脚上升沿唤醒应用最广泛
。
[0003]通常情况下，仅有一个开关按钮来控制
STM32
的休眠和唤醒，所以一个开关按钮要可以同时满足休眠和唤醒的条件
。
目前最常用的一个开关按钮实现休眠和唤醒的方法是，通过二极管将
WKUP
引脚和休眠
IO
口连接起来，通过按下按钮开关将
WKUP
拉低来使休眠
IO
口获得低电平信号实现休眠，弹起按钮开关使
WKUP
获得一个上升沿唤醒芯片
。
[0004]现有开关按钮控制休眠唤醒方案存在以下问题：
[0005]休眠后功耗较大，低电平休眠后
WKUP
处于一直拉低状态，该引脚的上拉电阻上一直存在额外功耗；
[0006]唤醒方式较单一适用性差，该种方案不能有其他的唤醒方式，如通信唤醒和其他信号唤醒等
。

技术实现思路

[0007]1、
要解决的问题
[0008]针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种沿触发唤醒开关电路及应用该电路的休眠唤醒控制方法，功耗低，适用性强
。
[0009]2、
技术方案
[0010]为解决上述问题，本专利技术采用如下的技术方案
。
[0011]沿触发唤醒开关电路，用于在接入的复位开关
S1
被按下时控制所述沿触发唤醒开关电路输出唤醒触发信号，所述电路包括：复位开关
S1、
电源
VDD
端
、WKUP
端
、KEY
端
、ON_WKUP
端
、N
型
MOS
管
Q1、N
型
MOS
管
Q2、
电阻
R1、
电阻
R2、
以及电阻
R3
；
[0012]所述电源
VDD
端连接所述复位开关
S1
的第一端，所述复位开关
S1
的第二端连接
KEY
端
、
电阻
R3
的第一端
、
以及电阻
R4
的第一端；
[0013]所述电源
VDD
端还连接于
N
型
MOS
管
Q1
的源极，所述
N
型
MOS
管
Q1
的漏极与电阻
R1
的第一端相连接，所述电阻
R1
的第二端分别与电阻
R2
的第一端以及
WKUP
端相连接；
[0014]所述
N
型
MOS
管
Q1
的栅极与
N
型
MOS
管
Q2
的漏极以及
ON_WKUP
端相连接；
[0015]所述
N
型
MOS
管
Q2
的栅极与电阻
R3
的另一端相连接；
[0016]所述
N
型
MOS
管
Q2
的源极
、
所述电阻
R4
的另一端
、
以及所述电阻
R2
的另一端均接地
。
[0017]优选的，所述复位开关
S1
为控制休眠唤醒开关
。
[0018]优选的，所述
ON_WKUP
端还用于：外接其他电路或控制信号
。
[0019]优选的，所述沿触发唤醒开关电路还包括光耦
U1
发光二极管
、
光耦光敏三级管，其中，所述光耦
U1
发光二极管两个引脚接
CAN_H、CAN_L
或
485_A、485_B
等差分信号，所述光耦光敏三级管的发射级接地，集电极接所述
ON_WKUP
端
。
[0020]作为本申请的另一个方面，提供一种休眠唤醒控制方法，用于利用如上任一项所述的沿触发唤醒开关电路控制
STM32
的休眠和唤醒，所述
KEY
端与
STM32
的
I0
端口相连接，所述
WKUP
端与
STM32
的
WKUP
管脚相连接，所述方法包括：
[0021]所述复位开关
S1
按下
N
秒
STM32
进入休眠，所述复位开关
S1
按下
M
秒
STM32
唤醒，所述
M>0
，且
N>M。
[0022]作为本申请的另一个方面，提供一种休眠唤醒控制方法，用于利用如上所述的沿触发唤醒开关电路控制
STM32
的唤醒，所述方法包括：
[0023]当所述光耦
U1
发光二极管的两个管脚产生通讯压差时，光耦
U1
发光二极管点亮，光耦光敏三级管导通，此时
ON_WKUP
端为低电平，
N
型
MOS
管
Q1
导通，
WKUP
端产生上升沿，
STM32
被唤醒
。
[0024]3、
有益效果
[0025]相比于现有技术，本专利技术的有益效果为：
[0026](1)
本申请中的一种沿触发唤醒开关电路及应用该电路的休眠唤醒控制方法，通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
沿触发唤醒开关电路，其特征在于：用于在接入的复位开关
S1
被按下时控制所述沿触发唤醒开关电路输出唤醒触发信号，所述电路包括：复位开关
S1、
电源
VDD
端
、WKUP
端
、KEY
端
、ON_WKUP
端
、N
型
MOS
管
Q1、N
型
MOS
管
Q2、
电阻
R1、
电阻
R2、
以及电阻
R3
；所述电源
VDD
端连接所述复位开关
S1
的第一端，所述复位开关
S1
的第二端连接
KEY
端
、
电阻
R3
的第一端
、
以及电阻
R4
的第一端；所述电源
VDD
端还连接于
N
型
MOS
管
Q1
的源极，所述
N
型
MOS
管
Q1
的漏极与电阻
R1
的第一端相连接，所述电阻
R1
的第二端分别与电阻
R2
的第一端以及
WKUP
端相连接；所述
N
型
MOS
管
Q1
的栅极与
N
型
MOS
管
Q2
的漏极以及
ON_WKUP
端相连接；所述
N
型
MOS
管
Q2
的栅极与电阻
R3
的另一端相连接；所述
N
型
MOS
管
Q2
的源极
、
所述电阻
R4
的另一端
、
以及所述电阻
R2
...

【专利技术属性】
技术研发人员：文青武，杨晓光，孟祥，文亚龙，
申请(专利权)人：弘正储能上海能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：