半导体器件制造技术

半导体器件具有：多个导电部件，其包含位于彼此隔开间隔的位置的第一裸片焊盘和第二裸片焊盘；搭载于所述第一裸片焊盘的第一半导体元件；搭载于所述第二裸片焊盘的第二半导体元件；和绝缘单元，其与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件电连接且使所述第一半导体元件和所述第二半导体元件彼此绝缘

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件


[0001]本专利技术涉及搭载有多个半导体元件和使该多个半导体元件相互绝缘的绝缘元件的半导体器件
。

技术介绍

[0002]作为电动汽车
(
包含混动汽车
)
或家电设备等中使用的逆变装置，使用半导体器件
。
逆变装置具有例如半导体器件和
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor
，绝缘栅双极晶体管
)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
，金属氧化物半导体场效应管
)
等开关元件
。
该半导体器件包括控制元件
(
控制器
)
和驱动元件
(
栅极驱动器
)。
在该逆变装置中，从外部输出的控制信号被输入该半导体器件的控制元件
。
控制元件将控制信号转换为
PWM(Pulse Width Modulation
，脉宽调制
)
控制信号后，传送至驱动元件
。
驱动元件基于
PWM
控制信号，使例如6个开关元件按所需的时序驱动
。
由此，从直流电力生成电动机驱动用的三相交流电力
。
例如，在专利文献1中，公开了在电动机驱动装置中利用的半导体器件的一例
。
[0003]专利文献1中公开的半导体器件中，供给至控制元件的电源电压与供给至驱动元件的电源电压不同，因此在去往控制元件的导电路径与去往驱动元件的导电路径这两个导电路径之间，对它们各自施加的电源电压产生差异
。
由此，通过在去往控制元件的导电路径与去往驱动元件的导电路径之间插入绝缘元件，能够提高该半导体器件的绝缘耐压
。
绝缘元件搭载于搭载有控制元件和驱动元件的任一者的裸片焊盘
。
由此，对2个导电路径分别施加的电源电压的差异显著的情况下，绝缘元件的绝缘破坏的风险变高，因此要求研究对此情况的应对方案
。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开
2016
‑
207714
号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]本专利技术鉴于上述情况，问题之一在于提供能够提高多个半导体元件与绝缘元件之间的绝缘耐压的半导体器件
。
[0009]用于解决问题的技术手段
[0010]由本专利技术提供的半导体器件具有：多个导电部件，其包含位于彼此隔开间隔的位置的第一裸片焊盘和第二裸片焊盘；搭载于所述第一裸片焊盘的第一半导体元件；搭载于所述第二裸片焊盘的第二半导体元件；和绝缘单元，其与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件电连接，且使所述第一半导体元件和所述第二半导体元件彼此绝缘，所述多个导电部件包含位于与所述第一裸片焊盘和所述第二裸片焊盘隔开间隔的位置的第三裸片焊盘，所述绝缘单元搭载于所述第三裸片焊盘
。
[0011]专利技术效果
[0012]根据本专利技术的上述结构，在半导体器件中，能够提高多个半导体元件与绝缘单元
(
绝缘元件
)
之间的绝缘耐压
。
[0013]本专利技术的其他特征和优点能够通过以下基于附图详细说明而变得明确
。
附图说明
[0014]图1是本专利技术的第一实施方式的半导体器件的平面图
。
[0015]图2是与图1对应的平面图，透视密封树脂
。
[0016]图3是图1所示的半导体器件的正面图
。
[0017]图4是图1所示的半导体器件的背面图
。
[0018]图5是图1所示的半导体器件的左侧面图
。
[0019]图6是沿图2的
VI
‑
VI
线的截面图
。
[0020]图7是沿图2的
VII
‑
VII
线的截面图
。
[0021]图8是图6所示的绝缘元件和第三裸片焊盘的示意图
。
[0022]图9是本专利技术的第二实施方式的半导体器件的平面图，透视密封树脂
。
[0023]图
10
是图9所示的半导体器件的正面图
。
[0024]图
11
是图9所示的半导体器件的背面图
。
[0025]图
12
是本专利技术的第三实施方式的半导体器件的平面图，透视密封树脂
。
[0026]图
13
是图
12
的部分放大图
。
[0027]图
14
是沿图
12
的
XIV
‑
XIV
线的截面图
。
[0028]图
15
是图
14
所示的绝缘元件和第三裸片焊盘的示意图
。
具体实施方式
[0029]参照附图说明用于实施本专利技术的方式
。
[0030]基于图1～图8，说明本专利技术的第一实施方式的半导体器件
A1。
半导体器件
A1
具有第一半导体元件
11、
第二半导体元件
12、
绝缘元件
13、
多个导电部件
20、
接合层
29、
多个第一导线
41、
多个第二导线
42、
多个第三导线
43、
多个第四导线
44
和密封树脂
50。
多个导电部件
20
包括第一裸片焊盘
21、
第二裸片焊盘
22、
第三裸片焊盘
23、
多个第一端子
31
和多个第二端子
32。
半导体器件
A1
例如被表面实装在电动汽车或混动汽车等的逆变装置的配线基板上
。
半导体器件
A1
的封装形式是
SOP(Small Outline Package
，小外形封装
)。
但是，半导体器件
A1
的封装形式并不限定于
SOP。
此处，图2为了方便理解，透视了密封树脂
50。
在图2中，将透视的密封树脂
50
以假想线
(
双点划线
)
表示
。
[0031]在半导体器件
A1
的说明中，将第一半导体元件
11、
第二半导体元件
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种半导体器件，其特征在于，具有：多个导电部件，其包含位于彼此隔开间隔的位置的第一裸片焊盘和第二裸片焊盘；搭载于所述第一裸片焊盘的第一半导体元件；搭载于所述第二裸片焊盘的第二半导体元件；和绝缘单元，其与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件电连接，且使所述第一半导体元件和所述第二半导体元件彼此绝缘，所述多个导电部件包含位于与所述第一裸片焊盘和所述第二裸片焊盘隔开间隔的位置的第三裸片焊盘，所述绝缘单元搭载于所述第三裸片焊盘
。2.
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：还具有覆盖所述第一半导体元件
、
所述第二半导体元件和所述绝缘单元
、
以及所述多个导电部件各自的至少一部分的密封树脂
。3.
如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述第一裸片焊盘和所述第二裸片焊盘在与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件各自的厚度方向正交的第一方向上彼此隔开间隔地设置，所述第三裸片焊盘在所述第一方向上位于所述第一裸片焊盘与所述第二裸片焊盘之间
。4.
如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述多个导电部件包括：从所述密封树脂的所述第一方向的一侧露出的多个第一端子；和从所述密封树脂的所述第一方向的另一侧露出的多个第二端子，所述第一半导体元件与所述多个第一端子导通，所述第二半导体元件与所述多个第二端子导通
。5.
如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：所述多个第一端子和所述多个第二端子分别沿着与所述厚度方向和所述第一方向两者正交的第二方向排列
。6.
如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述第一裸片焊盘具有：用于搭载所述第一半导体元件的第一焊盘部；和与所述第一焊盘部的所述第二方向的两侧相连的2个第一悬置引线部，所述2个第一悬置引线部从所述密封树脂的所述第一方向的一侧露出
。7.
如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：所述第一半导体元件与所述2个第一悬置引线部的至少任一个导通
。8.
如权利要求6或7所述的半导体器件，其特征在于：所述第二裸片焊盘具有：用于搭载所述第二半导体元件的第二焊盘部；和与所述第二焊盘部的所述第二方向的两侧相连的2个第二悬置引线部，所述2个第二悬置引线部从所述密封树脂的所述第一方向的另一侧露出
。...

【专利技术属性】
技术研发人员：大角嘉藏，西冈太郎，松原弘招，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：