改善包装片盒引起硅片时间依赖性雾的方法技术

本发明专利技术涉及一种改善包装片盒引起硅片时间依赖性雾的方法，所属硅片包装片盒技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将包装片盒浸泡在清洗槽里，清洗槽使用药液为表面活性剂

【技术实现步骤摘要】
改善包装片盒引起硅片时间依赖性雾的方法


[0001]本专利技术涉及硅片包装片盒
，具体涉及一种改善包装片盒引起硅片时间依赖性雾的方法
。

技术介绍

[0002]时间依赖性雾（
TDH
）是指清洗后的抛光片存放在密封包装盒内一段时间后，在硅片表面形成高度集中的呈雾状分布的颗粒
。TDH
一般存储一段时间后才会出现，不能对它进行提前预测和检测，对后续器件加工有着致命的影响
。
[0003]形成
TDH
的主要原因有：
1.
硅片或周围环境中的有机物或离子，如
NH4+、Cl
‑
、SO42
‑
，吸附在硅片表面，和硅片表面的羰基或氢氧基结合并生成结晶盐，从而产生雾
。
[0004]2.
硅片不干燥或周围环境湿度大导致硅片表面有一层水膜，硅片在清洗之前沾污状态不一致，在清洗后可能会有部分残留，形成憎水表面，从而形成小水滴，并在存储一段时间后挥发，形成小颗粒，为进一步的雾提供了成核场所
。
[0005]3.
表面金属，如
Cu、Fe
等重金属污染
。
从
TDH
的形成原因来看，包装片盒的洁净度和干燥度以及片盒的存储环境对
TDH
有着很大的影响
。
实际生产过程中，有
2%
～
20%
的比例会有出现
TDH
的风险，所以解决
TDH
问题，对硅片生产厂家有着重要的意义
。

技术实现思路

[0006]本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种改善包装片盒引起硅片时间依赖性雾的方法，其具有操作便捷和改善效果显著的特点
。
解决了硅片包装片盒在存储过程中出现时间依赖性雾的问题
。
通过包装盒的清洗
、
干燥以及包装，避免包装片盒引起硅片时间依赖性雾的情况产生
。
[0007]本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种改善包装片盒引起硅片时间依赖性雾的方法，包括如下操作步骤：第一步：将包装片盒浸泡在清洗槽里，清洗槽使用药液为表面活性剂
TSC
‑1，在清洗槽内浸泡5～
10min
后用纯水冲洗，冲洗后放入片盒洗净机内的悬挂栅栏上，包装片盒随悬挂栅栏在设备内转动，转动过程中纯水从各个方向进行冲洗达到包装片盒清洗的效果，接着通过片盒洗净机驱动包装片盒离心运动进行烘干
。
[0008]第二步：为了保证包装片盒的干燥程度，通过氮气柜存放干净的包装片盒进行干燥，氮气柜湿度设定为
10%
～
20%RH
，干燥时间至少
30min
，氮气流量为
80
～
100LPM。
[0009]第三步：干净的硅片放入包装片盒中，接着包装片盒使用内包装袋包装封装，内包装袋采用氮气包装，包装时先抽真空至真空度达到
‑
10kPa
，再进行充氮使内包装袋内填充氮气，包装密封加热温度为
180
～
200℃。
内包装袋填充氮气，置换袋内空气，防止空气中的潮气对硅片产生影响，从而产生
TDH。
[0010]第四步：在内包装袋外再包一层外包装袋，采用内包装袋和外包装袋双层包装封
装，外包装袋抽真空直至真空度达到
‑
10 kPa
，外包装袋包装密封加热温度为
200
～
230℃。
[0011]作为优选，包装片盒在片盒洗净机内洗净的温度为
60
～
70℃
，接着纯水冲洗时间为5～
10min
，其中2～
5min
左转，2～
5min
右转，转速为全功率的
5%。
[0012]作为优选，在片盒洗净机内进行纯水冲洗后，然后在片盒洗净机内采用氮气从各个方向吹扫片盒上的水珠
。
[0013]作为优选，氮气吹扫时间
16
～
20min
，其中8～
10min
左转，8～
10min
右转，转速为全功率的
5%。
[0014]作为优选，离心甩干时间
40
～
50min
，其中
20
～
25min
左转，
20
～
25
右转，转速为全功率
100%
运行
。
[0015]作为优选，在氮气柜内对包装片盒干燥的同时，通过静电装置去除静电，使静电残余电压值＜
100V
，减少静电对颗粒的吸附
。
[0016]作为优选，内包装袋采用
PE
袋，外包装袋采用铝箔袋
。
[0017]作为优选，表面活性剂
TSC
‑1的浓度约为
TSC
‑1：
H2O=1:1000
～
1:1500。
[0018]本专利技术能够达到如下效果：本专利技术提供了一种改善包装片盒引起硅片时间依赖性雾的方法，与现有技术相比较，具有操作便捷和改善效果显著的特点
。
解决了硅片包装片盒在存储过程中出现时间依赖性雾的问题
。
通过包装盒的清洗
、
干燥以及包装，避免包装片盒引起硅片时间依赖性雾的情况产生
。
具体实施方式
[0019]下面通过实施例，对专利技术的技术方案作进一步具体的说明
。
[0020]实施例：一种改善包装片盒引起硅片时间依赖性雾的方法，包括如下操作步骤：第一步：将包装片盒浸泡在清洗槽里，清洗槽使用药液为表面活性剂
TSC
‑1，表面活性剂
TSC
‑1的浓度约为
TSC
‑1：
H2O=1:1000
～
1:1500。
在清洗槽内浸泡5～
10min
后用纯水冲洗，冲洗后放入片盒洗净机内的悬挂栅栏上，包装片盒随悬挂栅栏在设备内转动，转动过程中纯水从各个方向进行冲洗达到包装片盒清洗的效果，包装片盒在片盒洗净机内洗净的温度为
60
～
70℃
，接着纯水冲洗时间为5～
10min
，其中2～
5min
左转，2～
5min
右转，转速为全功率的
5%。
在片盒洗净机内进行纯水冲洗后，然后在片盒洗净机内采用氮气从各个方向吹扫片盒上的水珠，氮气吹扫时间
16
～
20min
，其中8～
10min
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种改善包装片盒引起硅片时间依赖性雾的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：将包装片盒浸泡在清洗槽里，清洗槽使用药液为表面活性剂
TSC
‑1，在清洗槽内浸泡5～
10min
后用纯水冲洗，冲洗后放入片盒洗净机内的悬挂栅栏上，包装片盒随悬挂栅栏在设备内转动，转动过程中纯水从各个方向进行冲洗达到包装片盒清洗的效果，接着通过片盒洗净机驱动包装片盒离心运动进行烘干；第二步：通过氮气柜存放干净的包装片盒进行干燥，氮气柜湿度设定为
10%
～
20%RH
，干燥时间至少
30min
，氮气流量为
80
～
100LPM
；第三步：干净的硅片放入包装片盒中，接着包装片盒使用内包装袋包装封装，内包装袋采用氮气包装，包装时先抽真空至真空度达到
‑
10kPa
，再进行充氮使内包装袋内填充氮气，包装密封加热温度为
180
～
200℃
；第四步：在内包装袋外再包一层外包装袋，采用内包装袋和外包装袋双层包装封装，外包装袋抽真空直至真空度达到
‑
10 kPa
，外包装袋包装密封加热温度为
200
～
230℃。2.
根据权利要求1所述的改善包装片盒引起硅片时间依赖性雾的方法，其特征在于：包装片盒在片盒洗净机内洗净的温度为
60
～
70℃
，接着纯水冲洗时间为5～
10min
，其中2～
5min
左转，2～
5min
右转，转速为全...

【专利技术属性】
技术研发人员：张友海，焦芬芬，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：