半导体器件制造技术

一种半导体器件，其包括：半导体元件，其具有包含半导体的元件本体和配置在所述元件本体上的第一电极；与所述第一电极接合的第一导线；覆盖所述半导体元件和所述第一导线的密封树脂；和介于所述第一电极与所述密封树脂之间的覆盖部

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体器件
。

技术介绍

[0002]在各种工业机器或汽车的电流控制中使用了开关元件
。
专利文献1中公开了现有的开关元件的一例
。
开关元件利用在阻断电流时产生的电动势来产生能量
。
该能量通过有源钳位这样的功能被开关元件吸收
。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开
2019
‑
212930
号公报
。

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]为了实现开关动作的高速化和大容量化，优选使通过有源钳位而能够吸收的能量增大
。
[0008]本专利技术是基于上述的情况而想出的，其问题之一在于，提供能够使通过有源钳位而能够吸收的能量增大的半导体器件
。
[0009]用于解决问题的技术手段
[0010]依据本专利技术提供的半导体器件，包括：半导体元件，其具有包含半导体的元件本体和配置在所述元件本体上的第一电极；与所述第一电极接合的第一导线；覆盖所述半导体元件和所述第一导线的密封树脂；和介于所述第一电极与所述密封树脂之间的覆盖部，所述第一导线具有在所述半导体元件的厚度方向上看，从所述第一电极的内部向所述第一电极的外部延伸的第一部，所述覆盖部包含导热率比所述密封树脂高的材质，所述覆盖部与所述第一导线的所述第一部相接
。
[0011]专利技术效果
[0012]依据本专利技术的上述结构，在半导体器件中，能够使通过有源钳位而能够吸收的能量增大
。
[0013]本专利技术的其他的特征和优点，通过参照附图在以下进行的详细的说明能够更加明确
。
附图说明
[0014]图1是表示本专利技术的第一实施方式的半导体器件的平面图
。
[0015]图2是表示本专利技术的第一实施方式的半导体器件的主要部分平面图
。
[0016]图3是表示本专利技术的第一实施方式的半导体器件的主要部分平面图
。
[0017]图4是表示本专利技术的第一实施方式的半导体器件的正面图
。
[0018]图5是表示本专利技术的第一实施方式的半导体器件的侧面图
。
[0019]图6是沿着图3的
VI
‑
VI
线的截面图
。
[0020]图7是沿着图3的
VII
‑
VII
线的截面图
。
[0021]图8是表示本专利技术的第一实施方式的半导体器件的主要部分放大截面图
。
[0022]图9是表示本专利技术的第一实施方式的半导体器件的制造方法的一个工序的主要部分放大截面图
。
[0023]图
10
是表示本专利技术的第一实施方式的半导体器件的第一变形例的主要部分平面图
。
[0024]图
11
是沿着图
10
的
XI
‑
XI
线的截面图
。
[0025]图
12
是表示本专利技术的第一实施方式的半导体器件的第一变形例的主要部分放大截面图
。
[0026]图
13
是表示本专利技术的第一实施方式的半导体器件的第二变形例的主要部分平面图
。
[0027]图
14
是表示本专利技术的第一实施方式的半导体器件的第三变形例的主要部分放大截面图
。
[0028]图
15
是表示本专利技术的第二实施方式的半导体器件的截面图
。
[0029]图
16
是表示本专利技术的第二实施方式的半导体器件的主要部分放大截面图
。
[0030]图
17
是表示本专利技术的第二实施方式的半导体器件的第一变形例的主要部分平面图
。
[0031]图
18
是沿着图
17
的
XVIII
‑
XVIII
线的截面图
。
[0032]图
19
是表示本专利技术的第三实施方式的半导体器件的主要部分放大截面图
。
具体实施方式
[0033]以下，基于本专利技术的优选的实施方式，参照附图进行更具体的说明
。
[0034]本专利技术中的“第一”、“第二”、“第三”等的用语仅是为了识别而使用的词语，并非意图对这些对象物赋予顺序
。
[0035]图1～图8表示了本专利技术的第一实施方式的半导体器件
A1。
本实施方式的半导体器件
A1
包括：第一引线
1、
多个第二引线
2、
多个第三引线
3、
半导体元件
4、
多个第一导线
51、
多个第二导线
52、
覆盖部7和密封树脂
8。
半导体器件
A1
的形状和大小没有特别限定
。
举例半导体器件
A1
的大小的一例，
x
方向的大小为
4mm
～
7mm
程度，
y
方向的大小为
4mm
～
8mm
程度，
z
方向的大小为
0.7mm
～
2.0mm
程度
。
[0036]图1是表示半导体器件
A1
的平面图
。
图2和图3是表示半导体器件
A1
的主要部分平面图
。
图4是表示半导体器件
A1
的正面图
。
图5是表示半导体器件
A1
的侧面图
。
图6是沿着图3的
VI
‑
VI
线的截面图
。
图7沿着图3的
VII
‑
VII
线的截面图
。
图8是表示半导体器件
A1
的主要部分放大截面图
。
此外，在图2和图3中，为了便于理解，用假想线表示了密封树脂8，在图2中，在覆盖部7附加有由多个点构成的阴影，在图3中，为了便于理解，省略了覆盖部
7。
[0037]第一引线1支承半导体元件4，并且是构成向半导体元件4的导通路径的部件
。
第一引线1的材质没有特别限定，例如由以
Cu(
铜
)、Ni(
镍
)、Fe(
铁
)
等为代表的金属和它们的合金构成
。
另外，第一引线1也可以在适当的部位形成有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体元件，其具有包含半导体的元件本体和配置在所述元件本体上的第一电极；与所述第一电极接合的第一导线；覆盖所述半导体元件和所述第一导线的密封树脂；和介于所述第一电极与所述密封树脂之间的覆盖部，所述第一导线具有在所述半导体元件的厚度方向上看，从所述第一电极的内部向所述第一电极的外部延伸的第一部，所述覆盖部包含导热率比所述密封树脂高的材质，所述覆盖部与所述第一导线的所述第一部相接
。2.
如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：在所述厚度方向上，所述覆盖部中的最远离所述第一电极的部位与所述第一电极的距离，比所述第一部中的最远离所述第一电极的部位与所述第一电极的距离大
。3.
如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：所述覆盖部从所述厚度方向上的与所述半导体元件相反侧覆盖所述第一部的至少一部分
。4.
如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件，其特征在于：所述第一导线具有第二部，所述第二部与所述第一部的与所述第一电极相反的一侧相连，并且沿着所述厚度方向朝向远离所述半导体元件的一侧立起
。5.
如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件，其特征在于：所述第一导线包含接合于所述第一电极的键合部，所述第一部与所述键合部一体地相连
。6.
如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件，其特征在于：所述第一导线包含接合于所述第一电极的键合部，所述第一部接合于所述键合部
。7.
如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件，其特征在于：所述第一部接合于所述第一电极
。8.
如权利要求1～7中任一项所述的半导体器件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：二村羊水，三上瞬也，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：