工件加工用粘着带制造技术

本发明专利技术提供既能够用作能够对应于半导体晶片的研磨

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】工件加工用粘着带


[0001]本专利技术涉及在加工半导体晶片
、
玻璃基板等工件时能够适合使用的工件加工用粘着带
。

技术介绍

[0002]以往，作为制造半导体装置的半导体芯片的工序，已知用于将表面形成有电路的半导体晶片从其背面侧通过研磨轮研磨直至预定的厚度，将半导体晶片进行薄膜化的背面研磨
(
以下，有时简称为“研磨”)
工序，以及用于将半导体晶片单片化为半导体芯片的切割工序
(
以下，有时简称为“切削”或“切断”)。
此外，例如，作为制造智能手机用照相机模块
、
医疗用传感器等的工序，已知用于将玻璃基板单片化为玻璃芯片的切割工序
。
作为将这样的半导体晶片
、
玻璃板等工件进行研磨或切断这样的加工时所使用的粘着带，可举出例如，在基材膜上具备有活性能量射线固化型粘着剂层的背面研磨带
、
切割带这样的工件加工用粘着带
。
[0003]上述背面研磨带用于在背面研磨工序中将半导体晶片稳定地保持
、
固定，并且保护电路面
。
具体的使用方法如下所述
。
首先，将背面研磨带粘贴于半导体晶片的形成有电路的面侧来固定半导体晶片，从半导体晶片的背面侧，利用研磨轮一边喷射水一边研磨直至预定的厚度
。
研磨工序结束之后，对背面研磨带的粘着剂层照射紫外线
(UV)
等活性能量射线而使粘着力降低，将背面研磨带从半导体晶片剥离
。
[0004]此外，上述切割带用于在将通过上述背面研磨工序的研磨而被薄膜化的半导体晶片例如利用旋转的切割刮刀切断成预定的尺寸，从而单片化为各个半导体芯片时，以使被薄膜化的半导体晶片不发生位置偏移的方式进行固定，并且使被单片化的半导体芯片不飞散
。
具体的使用方法如下所述
。
首先，在将切割带粘贴于环框架之后，在粘着剂层上粘贴并载置被薄膜化的半导体晶片
。
接着，按照一边以除去不可避免地产生的切削屑等为目的而朝向切割刮刀
、
半导体晶片供给流水，一边单片化为预定的尺寸的方式进行切削加工
。
切削工序结束之后，对切割带的粘着剂层照射紫外线
(UV)
等活性能量射线而使粘着力降低，将被单片化的半导体芯片通过拾取装置从粘着剂层进行拾取
。
拾取之前，根据需要将切割带进行扩展
(
扩张
)。
如果拾取结束，则通过人工将切割带从环框架剥离
。
将剥离了切割带的环框架进行洗涤并再使用
。
[0005]近年来，伴随着半导体装置的薄膜化，在上述背面研磨工序中，要求将半导体晶片进一步研磨得薄
。
为了将半导体晶片研磨直至比以往更薄的厚度，要求与以往相比厚度精度更高的背面研磨带
。
即，如果背面研磨带的厚度不均匀，则其不均匀性会对半导体晶片带来影响，有时研磨后的半导体晶片的厚度变得不均匀，或最差是半导体晶片发生破损
。
为了提高背面研磨带的厚度精度，作为基材膜，优选使用厚度精度高的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯膜
(
专利文献
1)。
[0006]此外，在上述切割工序中，与半导体晶片的情况不同，例如为了将玻璃基板这样的脆且易于开裂的工件
、
蓝宝石玻璃
、
水晶基板这样的硬工件进行切割，也要求与以往相比切
割时的变形小的切割带
。
即，如果切割带的切割时的变形大，则玻璃基板不能耐受其变形而开裂，发生缺损
(chipping)(
玻璃芯片的端部
、
切断面缺损
)
或芯片飞溅，有时被切断的玻璃基板碎片的品质方面产生问题
。
此外，在切割硬的蓝宝石玻璃基板时，存在如下情况：发生芯片的位置偏移，发生由于芯片彼此的碰撞引起的缺损
、
芯片的拾取错误的情况；芯片的尺寸精度变差的情况
。
为了抑制切割带的变形，作为基材膜，优选使用拉伸弹性模量大
、
比较硬的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯膜
(
专利文献
2)。
[0007]可是，从使用上述那样的工件加工用粘着带的用户的观点考虑，例如，基于为了避免各工序中使用的粘着带的误投入，或为了提高生产效率等理由，有尽量不要增加工件加工用粘着带的种类这样的要求
。
即，有时要求既能够用作能够对应于半导体晶片的研磨
、
极薄化的背面研磨带，并且也能够用作能够对应于玻璃基板等脆的工件的切断的切割带的工件加工用粘着带
。
此外，从制造工件加工用粘着带的制造商的观点考虑，为了提高生产效率，期望具有这样的功能的粘着带
。
然而，对于同时满足各个工序中需要的特性而言，基于后述的理由，困难性高，难以实现
。
[0008]为了实现这样的
、
用于半导体晶片的极薄化的背面研磨工序和脆且易于开裂的玻璃基板等的切割工序的任一者中都能够使用的工件加工用粘着带，如上述那样，至少作为基材膜，优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等聚酯膜
。
然而，在聚酯膜上直接层叠活性能量射线固化型粘着剂层而制成背面研磨带
、
切割带的情况下，与使用了聚烯烃膜等比较柔软并且具有拉伸性的基材膜的以往的背面研磨带
、
切割带相比，有时基材膜与活性能量射线固化型粘着剂层的密合性变得不充分
。
即，活性能量射线固化型粘着剂层具有通过活性能量射线照射，三维地聚合
、
固化，从固化前的常态发生体积收缩，弹性模量也变大的优点
。
而且，利用该现象，能够容易地将半导体晶片
、
玻璃芯片等工件从粘着剂层剥离
。
然而，比较柔软并且具有拉伸性的聚烯烃膜对于上述粘着剂层的体积收缩能够一定程度地追随，因此活性能量射线固化型粘着剂与聚烯烃膜的密合性得以维持，但是表面的平滑性高，此外刚直的聚酯膜中，难以追随上述粘着剂层的体积收缩，因此有时活性能量射线固化型粘着剂层与聚酯膜的密合性降低
。
其结果是例如，在从半导体晶片进行剥离时，有时活性能量射线固化型粘着剂会从聚酯膜界面剥离，能量射线固化型粘着剂会转移至半导体晶片表面
。
[0009]专利文献1中，即使在作为能量射线固化型粘着片的基材使用聚酯膜的情况下，以提供能量射线固化型粘着剂层没有被转移至晶片等的粘着片为目的，公开了依次层叠有聚酯基材膜
、
含有具有能量射线聚合性基团的化合物的增粘涂层和能量射线固化型粘着剂层而成的粘着片
。
推测在能量射线固化型粘着剂的固化时，增粘涂层所包含的能量射线聚合性基团的至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种工件加工用粘着带，其特征在于，为依次具备有由聚酯系树脂组合物形成的基材膜
、
中间层和活性能量射线固化型粘着剂层的工件加工用粘着带，所述中间层由含有作为共聚物单体成分包含丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸的三元以上的
(
甲基
)
丙烯酸酯共聚物
(A1)
的树脂组合物形成，在将构成所述三元以上的
(
甲基
)
丙烯酸酯共聚物
(A1)
的共聚物单体成分总量设为基准的
100
质量份的情况下，以
37
质量份以上
57
质量份以下的范围包含所述丙烯酸甲酯，以2质量份以上7质量份以下的范围包含所述甲基丙烯酸，所述活性能量射线固化型粘着剂层由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：在二元以上的
(
甲基
)
丙烯酸酯共聚物基础聚合物的侧链导入有感光性的碳
‑
碳双键的
(
甲基
)
丙烯酸酯共聚物
(A2)
以及交联剂，所述二元以上的
(
甲基
)
丙烯酸酯共聚物基础聚合物在将构成该
(
甲基
)
丙烯酸酯共聚物基础聚合物的共聚物单体成分总量设为基准的
100
质量份的情况下，以超过
50
质量份且
90
质量份以下的比例包含丙烯酸2‑
乙基己酯作为共聚物单体成分
。2.
根据权利要求1所述的工件加工用粘着带，所述三元以上的
(
甲基
)
丙烯酸酯共聚物
(A1)
为包含丙烯酸2‑
乙基己酯作为除所述丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸以外的共聚物单体成分的三元以上的
(
甲基
)
丙烯酸酯共聚物
。3.
根据权利要求2所述的工件加工用粘着带，所述三元以上的
(
甲基
)
丙烯酸酯共聚物
(A1)
为将丙烯酸2‑
乙基己酯
、
丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸作为共聚单体成分的三元的
(
甲基
)
丙烯酸酯共聚物，在将构成该三元的
(
甲基
)
丙烯酸酯共聚物
(A1)
的共聚物单体成分总量设为基准的
100
质量份的情况下，将所述丙烯酸2‑
乙基己酯在
36
质量份以上
61
质量份以下的范围，将所述丙烯酸甲酯在
37
质量份以上
57
质量份以下的范围，将所述甲基丙烯酸在2质量份以上7质量份以下的范围，以使共聚物单体成分总量成为
100
质量份的方式进行调整而包含
。4.
根据权利要求1～3中任一项所述的工件加工用粘着带，所述三元以上的
(
甲基
)
丙烯酸酯共聚物
...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤邦生，守本宗弘，
申请(专利权)人：麦克赛尔株式会社，
类型：发明
国别省市：