晶圆重合校准值获取方法技术

本申请涉及一种晶圆重合校准获取方法

【技术实现步骤摘要】
晶圆重合校准值获取方法、装置及校准方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种晶圆重合校准值获取方法
、
装置及校准方法
。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，薄膜沉积成为半导体制程的一个重要环节，晶圆是否能与基座重合对薄膜沉积的均匀性有着重要影响
。
[0003]传统技术中，通常在沉积腔室关闭前，对放入腔室内的晶圆进行初步调整，工程师用肉眼观察晶圆与腔室内基座的重合度，进行粗调
。
然后，将监控晶圆送入沉积腔室内进行薄膜的沉积，再次依靠工程师肉眼观察沉积在监控晶圆上的薄膜是否与晶圆同心，并通过工程师的经验对沉积腔室的机械手臂进行校准，进而使得后续被机械手臂送入沉积腔室的晶圆与基座的中心重合
。
[0004]然而，目前的校准方法依靠工程师的经验，无法量化，且人眼视觉存在误差，使得校准过程不可控，可能需要进行多次校准才能使得晶圆与基座二者的中心重合，效率慢
。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对传统技术中晶圆与基座二者中心的校准无法量化的问题提供一种晶圆重合校准值获取方法
、
装置及校准方法
。
[0006]为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种晶圆校准值获取方法，包括：
[0007]获取目标晶圆上的至少一组量测点位的膜厚，同组的所述量测点位自所述目标晶圆的边缘向所述目标晶圆的中心分布；
[0008]在同组量测点位中，确定突变点，所述突变点为膜厚突变的量测点位；
[0009]根据所述突变点与其所在组量测点位对应所述目标晶圆的边缘之间的距离，获取由所述目标晶圆的中心指向所述突变点的方向上的去边距离；
[0010]根据所述去边距离，获取晶圆重合校准值
。
[0011]上述晶圆校准值获取方法，通过找到量测点位中薄膜厚度突变点，计算去边距离，获取晶圆重合校准值，晶圆重合校准值应用于机械手臂的校准，进而使得后续的晶圆被机械手臂放置进沉积腔室时，晶圆的中心可以同沉积腔室内基座的中心重合，从而使得晶圆上的薄膜更加均匀
。
本实施例中的晶圆重合校准值的获取方法，将校准方法进行量化，使得校准过程变得可控，提高了校准效率
。
[0012]在其中一个实施例中，所述获取目标晶圆上的至少一组量测点位的膜厚，包括：
[0013]获取在第一方向上相对设置的两组量测点位的膜厚
。
[0014]在其中一个实施例中，所述根据所述突变点与其所在组量测点位对应所述目标晶圆的边缘之间的距离，获取由所述目标晶圆的中心指向所述突变点的方向上的去边距离，包括：
[0015]根据在第一方向上相对设置的两组量测点位中的突变点，获取第一去边距离与第
二去边距离；
[0016]根据所述去边距离，获取晶圆重合校准值，包括：
[0017]根据所述第一去边距离与所述第二去边距离，获取在第一方向上的晶圆重合校准值
。
[0018]在其中一个实施例中，所述根据所述第一去边距离与所述第二去边距离，获取在第一方向上的晶圆重合校准值，包括：
[0019]根据如下公式计算在第一方向上的晶圆重合校准值：
[0020](EBR1+EBR2)/2
‑
EBR2，其中，
EBR1为第一去边距离，
EBR2为第二去边距离
。
[0021]在其中一个实施例中，所述获取目标晶圆上的至少一组量测点位的膜厚，还包括：
[0022]获取在第二方向上相对设置的两组量测点位的膜厚，所述第二方向与所述第一方向相交
。
[0023]在其中一个实施例中，所述第二方向与所述第一方向垂直
。
[0024]在其中一个实施例中，所述根据所述突变点与其所在组量测点位对应所述目标晶圆的边缘之间的距离，获取由所述目标晶圆的中心指向所述突变点的方向上的去边距离，包括：
[0025]根据在第一方向上相对设置的两组量测点位中的突变点，获取第一去边距离与第二去边距离；
[0026]根据在第二方向上相对设置的两组量测点位中的突变点，获取第三去边距离与第四去边距离；
[0027]根据所述去边距离，获取晶圆重合校准值，包括：
[0028]根据所述第一去边距离与所述第二去边距离，获取在第一方向上的晶圆重合校准值；
[0029]根据所述第三去边距离与所述第四去边距离，获取在第二方向上的晶圆重合校准值
。
[0030]本申请还提供了一种校准方法，包括：
[0031]提供目标晶圆；
[0032]通过机械手臂，将所述目标晶圆放置于沉积腔室内的基座上，沉积薄膜；
[0033]量测目标晶圆上的至少一组量测点位的膜厚；
[0034]根据上述任一实施例所述的晶圆重合校准值获取方法，获取晶圆重合校准值；
[0035]根据所述晶圆重合校准值，校准所述机械手臂的参数
。
[0036]在其中一个实施例中，所述根据所述晶圆重合校准值，校准所述机械手臂的参数，包括：
[0037]根据所述晶圆重合校准值，校准机械手臂的延伸参数
。
[0038]本申请还提供了一种晶圆重合校准值获取装置，包括：
[0039]第一获取模块，用于获取目标晶圆上的至少一组量测点位的膜厚，同组的所述量测点位自所述目标晶圆的边缘向所述目标晶圆的中心分布；
[0040]确定模块，用于在同组量测点位中确定突变点，所述突变点位膜厚突变的量测点位；
[0041]第二获取模块，用于根据所述突变点与其所在组量测点位对应所述目标晶圆的边
缘之间的距离，获取由所述目标晶圆的中心指向所述突变点的方向上的去边距离；
[0042]第三获取模块，用于根据所述去边距离，获取晶圆重合校准值
。
附图说明
[0043]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0044]图1为一实施例中提供的晶圆重合校准获取方法的流程图；
[0045]图2为一实施例中提供的量测点位的示意图；
[0046]图3为一实施例中提供的在晶圆上建立直角坐标系的示意图；
[0047]图4为一实施例中提供的校准前后晶圆沉积薄膜形状的示意图
。
具体实施方式
[0048]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述
。
附图中给出了本申请的实施例
。
但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例
。
相反地，提供这些实施例的目的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶圆重合校准值获取方法，其特征在于，包括：获取目标晶圆上的至少一组量测点位的膜厚，同组的所述量测点位自所述目标晶圆的边缘向所述目标晶圆的中心分布；在同组量测点位中，确定突变点，所述突变点为膜厚突变的量测点位；根据所述突变点与其所在组量测点位对应所述目标晶圆的边缘之间的距离，获取由所述目标晶圆的中心指向所述突变点的方向上的去边距离；根据所述去边距离，获取晶圆重合校准值
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取目标晶圆上的至少一组量测点位的膜厚，包括：获取在第一方向上相对设置的两组量测点位的膜厚
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述突变点与其所在组量测点位对应所述目标晶圆的边缘之间的距离，获取由所述目标晶圆的中心指向所述突变点的方向上的去边距离，包括：根据在第一方向上相对设置的两组量测点位中的突变点，获取第一去边距离与第二去边距离；根据所述去边距离，获取晶圆重合校准值，包括：根据所述第一去边距离与所述第二去边距离，获取在第一方向上的晶圆重合校准值
。4.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一去边距离与所述第二去边距离，获取在第一方向上的晶圆重合校准值，包括：根据如下公式计算在第一方向上的晶圆重合校准值：
(EBR1+EBR2)/2
‑
EBR2，其中，
EBR1为第一去边距离，
EBR2为第二去边距离
。5.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取目标晶圆上的至少一组量测点位的膜厚，还包括：获取在第二方向上相对设置的两组量测点位的膜厚，所述第二方向与所述第一方向相交
。6.
根据权利要求5所述的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈万武，付超群，姚磐，张京晶，谢益诚，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：