一种参数可调节的制造技术

本发明专利技术涉及一种参数可调节的

【技术实现步骤摘要】
一种参数可调节的IGBT版图结构


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种参数可调节的
IGBT
版图结构
。

技术介绍

[0002]IGBT
作为单个功率晶体管，其静态参数和动态参数由结构设计及生产工艺共同确定，设计初期需要了解具体应用需求，进而确定设计方案及工艺流片条件，芯片产出后，参数即固定不可更改，一款产品只能针对性的适用于同一种应用端需求，产品应用范围小
。

技术实现思路

[0003]针对上述现有技术的缺点，本专利技术的目的是提供一种参数可调节的
IGBT
版图结构，以解决现有技术中的一个或多个问题
。
[0004]为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：
[0005]一种参数可调节的
IGBT
版图结构，所述
IGBT
版图结构从近端至远端依次层叠集电极金属电极
、
集电区
、
电场截止区
、
漂移区，所述
IGBT
版图结构正面有源区还包括若干条形沟槽，所述沟槽沿
IGBT
版图表面平行分布，所述沟槽之间设置
Pwell
区
、P+
发射区
、N+
发射区
、
发射极金属电极，所述
P+
发射区
、N+
发射区通过欧姆接触连接发射极金属电极；其中，至少一个所述沟槽远端通过欧姆接触连接<br/>DTR PAD
电极，所述
DTR PAD
电极通过封装打线连接设置在
IGBT
版图结构正面的栅极金属电极，以实现改变栅极沟槽的面积
。
[0006]进一步的，至少两个所述沟槽远端通过欧姆接触连接
DTR PAD
电极，其中至少一个
DTR PAD
电极通过封装打线连接栅极金属电极，至少一个
DTR PAD
电极通过封装打线连接发射极金属电极
。
[0007]进一步的，所述
DTR PAD
电极设置在
IGBT
版图结构正面的边缘处
。
[0008]进一步的，所述栅极金属电极设置在
IGBT
版图结构正面的边缘处
。
[0009]进一步的，所述栅极金属电极设置在
IGBT
版图结构正面的中心处
。
[0010]进一步的，所述
N+
发射区
、Pwell
区开设供所述发射极金属电极卡入的第一通孔，所述沟槽4开设供所述
DTR PAD
电极卡入的第二通孔
。
[0011]进一步的，所述
P+
发射区设置于第一通孔近端
、Pwell
区远端之间
。
[0012]进一步的，未连接
DTR PAD
电极的所述沟槽为栅极或
dummy
栅极
。
[0013]与现有技术相比，本专利技术的有益技术效果如下：
[0014]本专利技术的参数可调节的
IGBT
版图结构，通过将
DTR PAD
电极打孔连接
IGBT
有源区内部分沟槽电极，封装打线时
DTR PAD
电极连接栅极金属电极和发射极金属电极
。
当
DTR PAD
电极接为栅极金属电极时，等效为普通
IGBT
，所有沟槽都是栅极沟槽，电流沟道全部打开；当
DTR PAD
电极接为发射极金属电极时，栅极沟槽面积减小，从而减小了栅极电容，优化了开关参数，同时还可以改变整体器件的电流密度
、
提高载流子存储效应，有利于降低饱和导通压降
。
通过设计不同数量的
DTR PAD
，可以更加灵活精准的改变器件参数，扩大
IGBT
的应用范围
。
附图说明
[0015]图1示出了本专利技术实施例一提供的一种参数可调节的
IGBT
版图结构的分布示意图
。
[0016]图2示出了本专利技术实施例一提供的一种参数可调节的
IGBT
版图结构第一种组合方式的正视结构示意图
。
[0017]图3示出了本专利技术实施例一提供的一种参数可调节的
IGBT
版图结构第二种组合方式的正视结构示意图
。
[0018]图4示出了本专利技术实施例二提供的一种参数可调节的
IGBT
版图结构第三种组合方式的正视结构示意图
。
[0019]图5示出了本专利技术实施例二提供的一种参数可调节的
IGBT
版图结构第四种组合方式的正视结构示意图
。
[0020]附图中标记：
[0021]1、
发射极金属电极；
2、N+
发射区；
21、
第一通孔；
3、Pwell
区；
31、P+
发射区；
4、
沟槽；
41、
栅极沟槽；
42、
第二通孔；
5、
漂移区；
6、
电场截止区；
7、
集电区；
71、
集电极金属电极；
8、
栅极金属电极；
9、DTR PAD
电极
。
具体实施方式
[0022]为了使本专利技术的目的
、
特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图
。
须知，本说明书所附图式所绘示的结构
、
比例
、
大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰
、
比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
能涵盖的范围内
。
[0023]在本专利技术的描述中，限定术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制
。
[0024]为了更加清楚地描述上述一种参数可调节的
IGBT
版图结构的结构，本专利技术限定术语“远端”和“近端”，具体而言，“远端”表示远离地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种参数可调节的
IGBT
版图结构，其特征在于：所述
IGBT
版图结构从近端至远端依次层叠集电极金属电极
、
集电区
、
电场截止区
、
漂移区，所述
IGBT
版图结构正面有源区还包括若干条形沟槽，所述沟槽沿
IGBT
版图表面平行分布，所述沟槽之间设置
Pwell
区
、P+
发射区
、N+
发射区
、
发射极金属电极，所述
P+
发射区
、N+
发射区通过欧姆接触连接发射极金属电极；其中，至少一个所述沟槽远端通过欧姆接触连接
DTR PAD
电极，所述
DTR PAD
电极通过封装打线连接设置在
IGBT
版图结构正面的栅极金属电极，以实现改变栅极沟槽的面积
。2.
如权利要求1所述的一种参数可调节的
IGBT
版图结构，其特征在于：至少两个所述沟槽远端通过欧姆接触连接
DTR PAD
电极，其中至少一个
DTR PAD
电极通过封装打线连接栅极金属电极，至少一个
DTR PAD
电极通过封装打线连接发射极金属电极
。3.
如权利要求1或2所述的一种参...

【专利技术属性】
技术研发人员：王万，李娜，屈志军，
申请(专利权)人：江苏索力德普半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：