一种低寄生调幅差分桥制造技术

本发明专利技术属于微波通信领域，具体公开了一种低寄生调幅差分桥

【技术实现步骤摘要】
一种低寄生调幅差分桥T型移相器


[0001]本专利技术属于微波通信领域，具体地说是一种低寄生调幅差分桥
T
型移相器
。

技术介绍

[0002]移相器是现代无线通信系统中不可缺少的器件，广泛用于相控阵雷达之中，用于提供合适的相移
。
相控阵雷达是一种以改变雷达波相位来改变波束方向，从而以电子扫描的方式完成对目标区域监测任务的雷达
。
相控阵天线面可安装成百上千个个天线阵元，每个阵元都含有一个移相器电路，能够控制天线阵列中每个天线的相位差，从而实现对雷达波束的调节
。
[0003]相控阵雷达天线阵元中常用的移相器结构包括：高低通型移相器
、
反射式移相器
、
桥
T
型移相器
。
桥
T
型移相器是利用开关进行状态切换，参考态时可以等效为带通网络，移相态时等效为
T
型低通网络，产生滞后相位，实现特定的移相量
。
桥
T
型移相器适用于中小相位的控制，但桥
T
型移相器存在一个显著的缺点，参考态和移相态的插入损耗相差比较大，表现为参考态的插入损耗要比移相态插入损耗大，导致移相器在实现信号移相的同时产生额外的
、
较大的寄生调幅，即参考态和移相态插入损耗的差值
。
移相器的寄生调幅会增大雷达波旁瓣能量，雷达波旁瓣能量太大主要会产生两个方面的影响：
(1)
雷达接收时，导致假目标出现；
(2)
雷达发射时，导致主瓣能量不够集中，向无效方向发射雷达波；严重影响了相控阵雷达的作战性能
。
如何补偿桥
T
型移相器在参考态和移相态时的插入损耗差值，减小寄生调幅一直是研究热点
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的，是要提供一种低寄生调幅差分桥
T
型移相器，以降低桥
T
型移相器在参考态和移相态时插入损耗的差值，减小寄生调幅
。
[0005]本专利技术为实现上述目的，所采用的技术方法如下：
[0006]一种低寄生调幅差分桥
T
型移相器，包括信号输入端口
、
匹配电路
、
第一插入损耗调整电路
、
移相电路
、
第二插入损耗调整电路和信号输出端口；信号输入端口包括第一输入端口和第二输入端口；信号输出端口包括第一输出端口和第二输出端口；移相电路包括差分正支路移相电路和差分负支路移相电路，差分正支路移相电路的接地端和差分负支路移相电路的接地端连接并形成差分虚地；第一输入端口通过匹配电路与差分正支路移相电路的输入端连接，第二输入端口通过匹配电路与差分负支路移相电路的输入端连接，差分正支路移相电路的输出端与第一输出端口连接，差分负支路移相电路的输出端与第二输出端口连接，第一插入损耗调整电路并联在匹配电路和移相电路之间，第二插入损耗调整电路并联在移相电路与信号输出端口之间
。
[0007]作为限定：差分正支路移相电路包括
MOS
管
NM
P1
、MOS
管
NM
P2
、
微带线
ML
P1
、
微带线
ML
P2
、
电容
C
P1
和电感
L
P1
；差分负支路移相电路包括
MOS
管
NM
N1
、MOS
管
NM
N2
、
微带线
ML
N1
、
微带线
ML
N2
、
电容
C
N1
和电感
L
N1
；差分正支路移相电路和差分负支路移相电路共用
MOS
管
NM
T
；
MOS
管
NM
P1
的栅极作为第三控制端，
MOS
管
NM
P1
的源极分别与匹配电路的输出端
、
第一插入损耗调整电路的输出端和微带线
ML
P1
的一端连接，
MOS
管
NM
P1
的漏极分别与第二插入损耗调整电路的输入端
、
微带线
ML
P2
的一端和第一输出端口连接；
MOS
管
NM
P2
的栅极作为第四控制端，
MOS
管
NM
P2
的漏极分别与微带线
ML
P1
的另一端
、
微带线
ML
P2
的另一端和电容
C
P1
的一端连接，
MOS
管
NM
P2
的源极分别与
MOS
管
NM
T
的漏极和电感
L
P1
的一端连接，电感
L
P1
的另一端与电感
L
N1
的一端连接，电感
L
N1
的另一端分别与
MOS
管
NM
T
的源极和
MOS
管
NM
N2
的源极连接，
MOS
管
NM
T
的栅极作为第五控制端，
MOS
管
NM
N2
的栅极作为第六控制端；
MOS
管
NM
N1
的源极分别与匹配电路的输出端
、
第一插入损耗调整电路的输出端和微带线
ML
N1
的一端连接，
MOS
管
NM
N1
的栅极作为第七控制端；微带线
ML
N1
的另一端分别与电容
C
N1
的一端
、
微带线
ML
N2
的一端和
MOS
管
NM
N2
的漏极连接，电容
C
N1
的另一端与电容
C
P1
的另一端连接，微带线
ML
N2
的另一端分别与
MOS
管
NM
N1
的漏极
、
第二插入损耗调整电路的输入端和第二输出端口连接；电容
C
N1
和电容
C
P1...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种低寄生调幅差分桥
T
型移相器，其特征在于，包括信号输入端口
、
匹配电路
、
第一插入损耗调整电路
、
移相电路
、
第二插入损耗调整电路和信号输出端口；信号输入端口包括第一输入端口和第二输入端口；信号输出端口包括第一输出端口和第二输出端口；移相电路包括差分正支路移相电路和差分负支路移相电路，差分正支路移相电路的接地端和差分负支路移相电路的接地端连接并形成差分虚地；第一输入端口通过匹配电路与差分正支路移相电路的输入端连接，第二输入端口通过匹配电路与差分负支路移相电路的输入端连接，差分正支路移相电路的输出端与第一输出端口连接，差分负支路移相电路的输出端与第二输出端口连接，第一插入损耗调整电路并联在匹配电路和移相电路之间，第二插入损耗调整电路并联在移相电路与信号输出端口之间
。2.
根据权利要求1所述的一种低寄生调幅差分桥
T
型移相器，其特征在于，差分正支路移相电路包括
MOS
管
NM
P1
、MOS
管
NM
P2
、
微带线
ML
P1
、
微带线
ML
P2
、
电容
C
P1
和电感
L
P1
；差分负支路移相电路包括
MOS
管
NM
N1
、MOS
管
NM
N2
、
微带线
ML
N1
、
微带线
ML
N2
、
电容
C
N1
和电感
L
N1
；差分正支路移相电路和差分负支路移相电路共用
MOS
管
NM
T
；
MOS
管
NM
P1
的栅极作为第三控制端，
MOS
管
NM
P1
的源极分别与匹配电路的输出端
、
第一插入损耗调整电路的输出端和微带线
ML
P1
的一端连接，
MOS
管
NM
P1
的漏极分别与第二插入损耗调整电路的输入端
、
微带线
ML
P2
的一端和第一输出端口连接；
MOS
管
NM
P2
的栅极作为第四控制端，
MOS
管
NM
P2
的漏极分别与微带线
ML
P1
的另一端
、
微带线
ML
P2
的另一端和电容
C
P1
的一端连接，
MOS
管
NM
P2
的源极分别与
MOS
管
NM
T
的漏极和电感
L
P1
的一端连接，电感
L
P1
的另一端与电感
L
N1
的一端连接，电感
L
N1
的另一端分别与
MOS
管
NM
T
的源极和
MOS
管
NM
N2
的源极连接，
MOS
管
NM
T
的栅极作为第五控制端，
MOS
管
NM
N2
的栅极作为第六控制端；
MOS
管
NM
N1
的源极分别与匹配电路的输出端
、
第一插入损耗调整电路的输出端和微带线
ML
N1
的一端连接，
MOS
管
NM
N1
的栅极作为第七控制端；微带线
ML
N1
的另一端分别与电容
C
N1
的一端
、
微带线
ML
N2
的一端和
MOS
管
NM
N2
的漏极连接，电容
C
N1
的另一端与电容
C
P...

【专利技术属性】
技术研发人员：王绍权，赵瑞华，王鑫，徐永祥，孟少伟，汤晓东，周子棋，王月阳，
申请(专利权)人：三微电子科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：