发光基板制造技术

本申请公开了一种发光基板

【技术实现步骤摘要】
发光基板、背光模组及显示装置


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种发光基板
、
背光模组及显示装置
。

技术介绍

[0002]随着发光二极管技术的发展，采用亚毫米量级甚至微米量级的发光二极管
(Light
‑
Emitting Diode
，简称：
LED)
的背光源得到了广泛的应用
。
由此，不仅可以使利用该背光源的例如透射式液晶显示器
(Liquid Crystal Display
，简称：
LCD)
等产品的画面对比度达到有机发光二极管
(Organic Light
‑
Emitting Diode
，简称：
OLED)
显示产品的水平，还可以使产品保留液晶显示的技术优势，进而提升画面的显示效果，为用户提供更优质的视觉体验
。
[0003]在相关技术中，采用亚毫米量级甚至微米量级的
LED
背光源的显示装置的整体的出光效率仍有待提高
。
[0004]公开内容
[0005]本公开提供一种发光基板
、
背光模组及显示装置，以提高发光基板的整体的出光效率，提高显示装置的显示效果
。
[0006]为达到上述目的，本公开采用如下技术方案：
[0007]一方面，提供一种发光基板
。
所述发光基板包括基板
、
反射层和支撑柱
。
反射层设置于所述基板上；所述反射层设有多个第一开口，所述第一开口在平行于所述基板所在平面的多个截面中至少存在两个截面，其中，相对靠近所述基板的截面的面积小于相对远离所述基板的截面的面积
。
所述支撑柱固定于所述基板上；所述支撑柱在所述基板上的正投影为第一投影，所述第一开口在平行于所述基板所在平面的多个截面中的最小截面在所述基板上的正投影为第二投影，所述第二投影在所述第一投影的范围内
。
[0008]在一些实施例中，所述第一开口在平行于所述基板所在平面的多个截面中的最小截面为多个截面中最靠近所述基板的一个截面
。
[0009]在一些实施例中，所述支撑柱朝向所述基板的表面的最大尺寸为
D1
，所述支撑柱的安装公差为
T1
；所述最小截面的最大尺寸为
D2
，所述第二子孔的尺寸公差为
T2
；
[0010][0011]在一些实施例中，所述支撑柱朝向所述基板的表面的边缘为弧形，所述弧形的公差为
R
；
[0012][0013]在一些实施例中，所述支撑柱朝向所述基板的表面的最大尺寸为
D1，所述支撑柱的安装公差为
T1；所述第一开口在平行于所述基板所在平面的多个截面中的最大截面的最大尺寸为
D3，所述最大截面的径向尺寸公差为
T3；
[0014][0015]在一些实施例中，所述支撑柱朝向所述基板的表面的边缘为弧形，所述弧形的公差为
R
；
[0016][0017]在一些实施例中，所述发光基板还包括固定部，所述支撑柱通过所述固定部固定于所述基板上
。
[0018]在一些实施例中，所述固定部的材料包括热熔胶
。
[0019]在一些实施例中，所述反射层包括设置于所述基板上的第一子反射层和第二子反射层，所述第一开口包括相连通的第一子孔和第二子孔，所述第一子孔贯穿所述第一子反射层，所述第二子孔贯穿所述第二子反射层
。
所述第一子孔相较于所述第二子孔远离所述基板，所述第一子孔靠近所述第二子孔的一端的孔径，大于所述第二子孔靠近所述第一子孔的一端的孔径，以使所述第一开口的侧壁形成台阶结构
。
[0020]在一些实施例中，所述支撑柱朝向所述基板的表面的最大尺寸，大于所述第二子孔的最大尺寸，且小于所述第一子孔的最大尺寸
。
所述第二子孔的形状大致为柱体，所述第二子孔的深度为
H
，所述第二子孔的底面积为
S
，所述第二子孔的深度的公差为
T4
；所述热熔胶的质量为
M
，所述热熔胶密度为
ρ
，所述热熔胶的胶量公差为
T5
；
[0021]M
＝
S
×
(H
‑
T4)
ρ
‑
T5。
[0022]在一些实施例中，所述支撑柱包括支撑主体和支撑架，所述支撑架位于所述支撑主体靠近所述基板的一侧
。
所述支撑架位于所述第二子孔内，且沿垂直于所述基板的方向，所述支撑架的厚度与所述第二子反射层的厚度大致相等
。
[0023]在一些实施例中，所述第二子孔的形状大致为柱体，所述第二子孔的深度为
H
，所述第二子孔的底面积为
S
，所述第二子孔的深度的公差为
T4
；所述热熔胶的质量为
M
，所述热熔胶密度为
ρ
，所述热熔胶的胶量公差为
T5
；所述支撑架的体积为
V
；
[0024]M
＝
[S
×
(H
‑
T4)
‑
V]ρ
‑
T5。
[0025]在一些实施例中，所述发光基板还包括至少一个对位标记，至少一个所述第一开口内设有对位标记
。
[0026]在一些实施例中，所述基板包括衬底以及设置于所述衬底上的多个导电层，所述对位标记与所述多个导电层中的至少一层导电层的材料相同且同层设置
。
[0027]在一些实施例中，所述支撑柱的反射率与所述反射层的反射率大致相同
。
[0028]在一些实施例中，所述反射层还设有多个第二开口，所述第二开口在平行于所述基板所在平面的多个截面中至少存在两个截面，相对靠近所述基板的截面的面积小于相对远离所述基板的截面的面积
。
所述发光基板还包括发光器件，所述发光器件固定于所述基板上
。
所述发光器件在所述基板上的正投影为第三投影，所述第二开口在平行于所述基板所在平面的多个截面中的最小截面在所述基板上的正投影为第四投影，所述第三投影落入所述第四投影
。
[0029]在一些实施例中，所述发光基板还包括反射部，所述反射部至少部分设置于所述
第二开口内，且至少覆盖所述第二开口与所述发光器件之间暴露的部分基板
。
[0030]在一些实施例中，所述反射部的反射率与所述反射层的反射率大致相同
。
[0031]本公开实施例提供的发光基板，第二投影
(
第一开口在平行于基板所在平面的多个截本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光基板，其特征在于，包括：基板；反射层，设置于所述基板上；所述反射层设有多个第一开口，所述第一开口在平行于所述基板所在平面的多个截面中至少存在两个截面，其中，相对靠近所述基板的截面的面积小于相对远离所述基板的截面的面积；支撑柱，固定于所述基板上；所述支撑柱在所述基板上的正投影为第一投影，所述第一开口在平行于所述基板所在平面的多个截面中的最小截面在所述基板上的正投影为第二投影，所述第二投影在所述第一投影的范围内
。2.
根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第一开口在平行于所述基板所在平面的多个截面中的最小截面为多个截面中最靠近所述基板的一个截面
。3.
根据权利要求2所述的发光基板，其特征在于，所述支撑柱朝向所述基板的表面的最大尺寸为
D1，所述支撑柱的安装公差为
T1；所述最小截面的最大尺寸为
D2，所述最小截面的尺寸公差为
T2；
4.
根据权利要求3所述的发光基板，其特征在于，所述支撑柱朝向所述基板的表面的边缘为弧形，所述弧形的公差为
R
；
5.
根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述支撑柱朝向所述基板的表面的最大尺寸为
D1，所述支撑柱的安装公差为
T1；所述第一开口在平行于所述基板所在平面的多个截面中的最大截面的最大尺寸为
D3，所述最大截面的尺寸公差为
T3；
6.
根据权利要求5所述的发光基板，其特征在于，所述支撑柱朝向所述基板的表面的边缘为弧形，所述弧形的公差为
R
；
7.
根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，还包括：固定部，所述支撑柱通过所述固定部固定于所述基板上
。8.
根据权利要求7所述的发光基板，其特征在于，所述固定部的材料包括热熔胶
。9.
根据权利要求8所述的发光基板，其特征在于，所述反射层包括设置于所述基板上的第一子反射层和第二子反射层，所述第一开口包括相连通的第一子孔和第二子孔，所述第一子孔贯穿所述第一子反射层，所述第二子孔贯穿所述第二子反射层；所述第一子孔相较于所述第二子孔远离所述基板，所述第一子孔靠近所述第二子孔的一端的孔径，大于所述第二子孔靠近所述第一子孔的一端的孔径，以使所述第一开口的侧壁形成台阶结构
。10.
根据权利要求9所述的发光基板，其特征在于，所述支撑柱朝向所述基板的表面的
最大尺寸，大于所述第二子孔的最大尺寸，且小于所述第一子孔的最大尺寸；所述第二子孔的形状大致为柱体，所述第二子孔的深度为
H
，所述第二子孔的底面积为
S
，所述第二子孔的深度的公差为
T4；所述热熔胶的质量为
M
，所述热熔胶密度为
ρ
，所述热熔胶的胶量公差为
T5；
M
＝
S
×
(H
‑
T4)
ρ

【专利技术属性】
技术研发人员：王康丽，张冰，高亮，孙一丁，康萍，王晨阳，王肖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：