一种基于制造技术

本发明专利技术公开了一种基于

【技术实现步骤摘要】
一种基于JFET的高压启动电路、电源转换器及电源芯片


[0001]本专利技术涉及开关电源
，尤其涉及一种基于
JFET
的高压启动电路
、
电源转换器及电源芯片
。

技术介绍

[0002]在当代，需要电源供给的情况无处不在，而在工业和通信领域，输入通常是非常高的电压，如果此时需要供电，则经常会使用到高压启动电路来提供一个稳定的电压，因为即使是开关电源变换器本身在启动过程中也需要供电，所以高压启动电路至关重要
。
高压启动电路现在正在朝具有更小的功耗，更宽范围的输入电压，以及更高的功率密度的方向发展
。
[0003]宽输入指在对高输入电压源或会发生高电压瞬变的输入电源进行电压调节，从而更大限度地减少对外部浪涌抑制元件的需求
。
宽输入表明控制器需要承受较高的输入电压，电路中的预降压处理实现这一要求，具有高压特性的功率器件同时承担耐高压和提供大电流的作用
。
现有的
DC
转
DC
电路当中，存在输入电压不够宽广
、
转换效率低
、
发热严重
、
占用芯片面积大等弊端
。
[0004]现有技术中，如
CN103000626B
所公开的一种合成结构的高压器件及启动电路通过合成的高压器件结构，节省芯片的面积，降低芯片的成本，芯片正常工作后启动电路关闭，提高了电源系统的转换效率
。
[0005]但其输入电压仍然不够宽，转换效率较低，占用芯片面积较大
。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于
JFET
的高压启动电路
、
电源转换器及电源芯片
。
[0007]本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：第一方面本专利技术提供一种基于
JFET
的高压启动电路，包括降压电路，钳位电路，基准和偏置电路，电压调节模块，输出电路；所述降压电路与外部输入电路连接，所述钳位电路与所述降压电路连接，所述电压调节模块与所述降压电路及所述钳位电路连接，所述基准和偏置电路与所述电压调节模块连接，所述输出电路与所述电压调节模块连接，所述降压电路包括两个串联的
JFET
晶体管，利用
JFET
晶体管反偏或夹断产生的电阻实现大电阻，能够降低启动电路的功耗，增大启动电路的电压输入范围
。
[0008]优选的，所述降压电路包括第一
N
型
JFET
晶体管
、
第二
N
型
JFET
晶体管
、
第一电阻
、
第一
N
型高压
MOS
场效应管
、
第一齐纳二极管；所述第一
N
型
JFET
晶体管的漏极与所述输入电路
、
所述第一
N
型高压
MOS
场效应管的漏极连接，所述第一
N
型
JFET
晶体管的栅极与所述第二
N
型
JFET
晶体管的漏极
、
所述第一电阻的第一端连接，所述第一
N
型
JFET
晶体管的源极与所述第二
N
型
JFET
晶体管的漏极
、
所述第一
N
型高压
MOS
场效应管的栅极
、
所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二
N
型
JFET
晶体管的栅极与所述第一电阻的第二端
、
所述钳位电路连
接，所述第一
N
型高压
MOS
场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端
、
所述钳位电路
、
所述输出电路连接；第一
N
型
JFET
晶体管的栅极接到第二个
NJFET
的源极后面，使栅极能有一定的电压，满足栅源，栅漏接反向偏压实现大电阻，且不完全丧失夹断；第二
N
型
JFET
晶体管的栅极接第一电阻第二端，使栅源，栅漏反向偏压代替大电阻的作用，在第二
N
型
JFET
晶体管源极后面加一个电阻可以抬高第二
N
型
JFET
晶体管源极的电压，使得其阻值增大，降低高压启动电路输入消耗的功耗
。
[0009]优选的，所述降压电路包括第一
N
型
JFET
晶体管
、
第二
N
型
JFET
晶体管
、
第一电阻
、
第一
N
型高压
MOS
场效应管
、
第一齐纳二极管；所述第一
N
型
JFET
晶体管的漏极与所述输入电路
、
所述第一
N
型高压
MOS
场效应管的漏极连接，所述第一
N
型
JFET
晶体管的栅极与所述第二
N
型
JFET
晶体管的漏极
、
所述第一电阻的第一端连接，所述第一
N
型
JFET
晶体管的源极与所述第二
N
型
JFET
晶体管的漏极
、
所述第一
N
型高压
MOS
场效应管的栅极
、
所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二
N
型
JFET
晶体管的栅极与地连接，所述第一电阻的第二端与所述钳位电路连接，所述第一
N
型高压
MOS
场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端
、
所述钳位电路
、
所述输出电路连接，所述第二
N
型
JFET
晶体管的栅极接地，用于调节第二
N
型
JFET
晶体管的栅源电压，使得栅源电压的调节范围更广
。
[0010]优选的，所述的降压电路包括第一
P
型
JFET
晶体管
、
第二
P
型
JFET
晶体管
、
第一
N
型高压
MOS
场效应管
、
第一齐纳二极管；所述第一
P
型
JFET...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于
JFET
的高压启动电路，包括降压电路
、
钳位电路
、
基准和偏置电路
、
电压调节模块
、
输出电路；其特征在于：所述降压电路与外部输入电路连接，所述钳位电路与所述降压电路连接，所述电压调节模块与所述降压电路及所述钳位电路连接，所述基准和偏置电路与所述电压调节模块连接，所述输出电路与所述电压调节模块连接，所述降压电路包括两个串联的
JFET
晶体管，利用
JFET
晶体管反偏或夹断产生的电阻实现大电阻
。2.
根据权利要求1所述的基于
JFET
的高压启动电路，其特征在于：所述降压电路包括第一
N
型
JFET
晶体管
、
第二
N
型
JFET
晶体管
、
第一电阻
、
第一
N
型高压
MOS
场效应管
、
第一齐纳二极管；所述第一
N
型
JFET
晶体管的漏极与所述输入电路
、
所述第一
N
型高压
MOS
场效应管的漏极连接，所述第一
N
型
JFET
晶体管的栅极与所述第二
N
型
JFET
晶体管的漏极
、
所述第一电阻的第一端连接，所述第一
N
型
JFET
晶体管的源极与所述第二
N
型
JFET
晶体管的漏极
、
所述第一
N
型高压
MOS
场效应管的栅极
、
所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二
N
型
JFET
晶体管的栅极与所述第一电阻的第二端
、
所述钳位电路连接，所述第一
N
型高压
MOS
场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端
、
所述钳位电路
、
所述输出电路连接
。3.
根据权利要求1所述的基于
JFET
的高压启动电路，其特征在于：所述降压电路包括第一
N
型
JFET
晶体管
、
第二
N
型
JFET
晶体管
、
第一电阻
、
第一
N
型高压
MOS
场效应管
、
第一齐纳二极管；所述第一
N
型
JFET
晶体管的漏极与所述输入电路
、
所述第一
N
型高压
MOS
场效应管的漏极连接，所述第一
N
型
JFET
晶体管的栅极与所述第二
N
型
JFET
晶体管的漏极
、
所述第一电阻的第一端连接，所述第一
N
型
JFET
晶体管的源极与所述第二
N
型
JFET
晶体管的漏极
、
所述第一
N
型高压
MOS
场效应管的栅极
、
所述第一齐纳二极管的正端连接，所述第二
N
型
JFET
晶体管的栅极与地连接，所述第一电阻的第二端与所述钳位电路连接，所述第一
N
型高压
MOS
场效应管的源极与所述第一齐纳二极管的负端
、
所述钳位电路
、
所述输出电路连接
。4.
根据权利要求1所述的基于
JFET
的高压启动电路，其特征在于：所述的降压电路包括第一
P
型
JFET
...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗和平，文守甫，雍明阳，罗应鹏，唐飞，
申请(专利权)人：成都市硅海武林科技有限公司，
类型：发明
国别省市：