一种引线框架及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种引线框架及其制备方法，通过将冲压用引线框架铜材通过除油

【技术实现步骤摘要】
一种引线框架及其制备方法


[0001]本专利技术属于集成电路封装
，具体涉及一种引线框架及其制备方法
。

技术介绍

[0002]长期以来，集成电路封装过程中的可靠性主要取决于塑封料和引线框架的结合力，为满足高散热性
、
高可靠性，外露散热片的封装形式逐步需要做
MSL1
可靠性，但是做双面粗化对封装来说外露散热片上面溢料非常难去除，不仅影响外观，还影响外露散热片的散热效果，故，逐步衍生出单面粗化工艺
。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种引线框架及其制备方法，提高了引线框架在封装过程中的可靠性，从而稳定达到
MSL1
水平，使封装后的集成电路在使用过程中不会产生分层，集成电路的使用寿命可得到保证
。
[0004]为实现上述目的，达到上述技术效果，本专利技术采用的技术方案为：
[0005]一种引线框架的制备方法，包括以下步骤：
[0006]将冲压用引线框架铜材通过除油
、
酸洗
、
水洗
、
烘干
、
背面压膜
、
除油
、
正面微腐蚀
、
冲压
、
正面表面处理
、
成型得到所需引线框架
。
[0007]进一步的，所述除油使用的除油液为氢氧化钠，浓度为
30
～
40g/L
，温度为
50
～
55℃。
[0008]进一步的，所述酸洗使用的酸洗溶液为硫酸，浓度为5～8％，温度为
20
～
30℃。
[0009]进一步的，水洗温度为
40
～
45℃
；烘干温度为
110
～
120℃
，时间为
5s。
[0010]进一步的，背面压膜的过程为：
[0011]将烘干后的冲压用引线框架铜材背面利用压膜机单面贴膜，膜材质为：聚酯薄膜
PET
，
180
°
剥离力：
15
～
25gf
，拉伸强度：
≥60Mpa
，伸长率：
≥80
％，耐温性：
200℃、30min
无残胶，无胶痕；
[0012]压膜过程中，铜材温度为
15
～
40℃
，压膜温度为
15
～
40℃
，时间为
40
～
60s。
[0013]进一步的，正面微腐蚀的过程为：
[0014]采用腐蚀液对冲压用引线框架铜材正面进行单面腐蚀，所述腐蚀液的浓度为
25
～
40g/L
，温度为
25
～
40℃
，时间为
40
～
60s
，腐蚀液喷速
10
～
30PSI
，单面微腐蚀的深度为
0.15
～
0.25
μ
m
，微腐蚀的坑直径
0.15
～
0.35
μ
m。
[0015]进一步的，正面表面处理的过程为：
[0016]在冲压后的引线框架指定位置镀银，得到镀银层，厚度为2～5μ
m
，保证产品具有良好的焊接性和导电性
。
[0017]本专利技术还公开了一种引线框架，采用如上所述的一种引线框架的制备方法制备得到，所述引线框架包括本体，所述本体为铜，所述本体背面设置有聚酯薄膜
PET
，所述本体正面粗糙并设置有镀银层
。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0019]本专利技术公开了一种引线框架及其制备方法，单面微腐蚀引线框架，通过在铜材背面压膜
、
铜材正面微腐蚀
、
铜材正面表面处理，使铜材使用面达到了粗糙的效果，铜材腐蚀面也可使镀银层粗糙度增加，从而增加镀银层在封装过程中与塑封料的结合力，使封装过程中引线框架的铜层和镀银层同时与塑封料的结合力增加，提高引线框架在封装过程中的可靠性，从而稳定达到
MSL1
水平，使封装后的集成电路在使用过程中不会产生分层，集成电路的使用寿命可以得到保证，同时，铜材贴膜面维持了原有铜材的状态，未经粗化，封装后背面有溢料可以轻松去除，不影响美观及散热要求
。
附图说明
[0020]图1为本专利技术的引线框架的制备流程图；
[0021]图2为本专利技术实施例1的微腐蚀后在
45
倍显微镜下铜面正面图；
[0022]图3为本专利技术实施例1的背面贴膜后在
45
倍显微镜下铜面背面图；
[0023]图4为本专利技术实施例1的铜材正面微腐蚀后再经表面处理后的基恩士
1200
倍显微镜下的表面形貌；
[0024]图5为本专利技术实施例1铜材背面压膜后再经表面处理后的基恩士
1200
倍显微镜下的表面形貌；
[0025]图6为本专利技术实施例1的铜材正面微腐蚀后再经表面处理后的电镜图；
[0026]图7为本专利技术实施例1的铜材背面压膜后再经表面处理后的电镜图；
[0027]图8为本专利技术实施例1中引线框架可靠性实验前扫描图；
[0028]图9为本专利技术实施例1中引线框架可靠性实验后扫描图
。
具体实施方式
[0029]下面对本专利技术进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定
。
[0030]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解
。
此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围
。
其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序
。
[0031]一方面，本专利技术公开了一种引线框架的制备方法，包括以下步骤：
[0032]将冲压用引线框架铜材通过除油
、
酸洗
、
水洗
、
烘干
、
背面压膜
、
除油
、
正面微腐蚀
、
冲压
、
正面表面处理
、
成型得到所需引线框架
。
[0033]除油液为氢氧化钠，浓度为
30
～
40g/L
，温度为
50
～
55℃。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种引线框架的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将冲压用引线框架铜材通过除油
、
酸洗
、
水洗
、
烘干
、
背面压膜
、
除油
、
正面微腐蚀
、
冲压
、
正面表面处理
、
成型得到所需引线框架
。2.
根据权利要求1所述的一种引线框架的制备方法，其特征在于，所述除油使用的除油液为氢氧化钠，浓度为
30
～
40g/L
，温度为
50
～
55℃。3.
根据权利要求1所述的一种引线框架的制备方法，其特征在于，所述酸洗使用的酸洗溶液为硫酸，浓度为5～8％，温度为
20
～
30℃。4.
根据权利要求1所述的一种引线框架的制备方法，其特征在于，水洗温度为
40
～
45℃
；烘干温度为
110
～
120℃
，时间为
5s。5.
根据权利要求1所述的一种引线框架的制备方法，其特征在于，背面压膜的过程为：将烘干后的冲压用引线框架铜材背面利用压膜机单面贴膜，膜材质为：聚酯薄膜
PET
，
180
°
剥离力：
15
～
25gf
，拉伸强度：
≥60Mpa
，伸长率：

【专利技术属性】
技术研发人员：穆全寿，王永辉，陈国岚，李银欢，巨晓峰，
申请(专利权)人：华天科技，
类型：发明
国别省市：