校验结构制造技术

本公开实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种校验结构

【技术实现步骤摘要】
校验结构、数据存储方法和存储器


[0001]本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种校验结构
、
数据存储方法和存储器
。

技术介绍

[0002]目前对存储器的应用中，通过引入错误检查和纠正技术
(Error checking and correcting
，
ECC)
能够检测并纠正存储器的存储数据出现的错误
。
[0003]由于存储器存在掩码写命令
(mask write)
，而掩码写命令的数据写入需要将已经存储在地址位的数据读出来后，读出数据与待写入数据一并基于
ECC
生成新的校验位数据后进行数据写入，导致不同存储块
(Bank)
需要对应的
ECC
模块，使得功能相同的
ECC
模块需要多数量设置，极大占用了芯片的版图面积
。
[0004]如何改善
ECC
模块的设计，从而避免功能相同的
ECC
模块的多数量设置，以减小芯片的版图面积，对芯片的进一步集成具有显著意义
。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供一种校验结构
、
数据存储方法和存储器，通过改进
ECC
模块的结构，通过
ECC
模块对于掩码数据和正常数据的不同处理逻辑，使得多个存储块可以共用同一
ECC
模块，从而避免功能相同的
ECC
模块的多数量设置
。
[0006]本公开实施例提供了一种校验结构，包括：校验模块，用于对待写入存储单元的待写入数据和从存储单元中预读出的待读出数据进行检错纠错；检测模块，被配置为，检测待写入数据是否为掩码写入数据；其中，若待写入数据不为掩码写入数据，则校验模块被配置为，基于待写入数据编码生成校验数据，并将待写入数据和校验数据一并写入目标存储单元中；若待写入数据为掩码写入数据，则校验模块被配置为，生成标记数据作为校验数据，并将待写入数据和校验数据一并写入目标存储单元中；判断模块，被配置为，检测待读出数据是否为读出掩码数据；其中，若待读出数据不为读出掩码数据，则校验模块被配置为，基于校验数据对待读出数据进行校验，并输出校验后的待读出数据；若待读出数据为读出掩码数据，则校验模块被配置为，直接输出待读出数据
。
[0007]通过检测模块检测待写入数据是否为掩码写入数据，以及通过判断模块检测待读出数据是否为读出掩码数据，校验模块对掩码数据和非掩码数据的不同处理逻辑，对于非掩码数据，校验模块正常进行存储校验，以保证存储单元存储数据的准确性
。
对于掩码数据，校验模块直接生成标记数据作为校验数据，读出时直接进行数据读出，以简化对于掩码数据的校验功能
。
通过对非掩码数据和掩码数据的不同校验逻辑，使得多个存储块可以共用同一校验模块进行检错纠错，从而避免功能相同的校验模块的多数量设置，以减小芯片的版图面积
。
[0008]另外，校验模块包括：第一校验单元，被配置为，若待写入数据不为掩码写入数据，则基于待写入数据编码生成校验数据，并将待写入数据和校验数据一并写入目标存储单元
中，若校验数据不为标记数据，则基于校验数据对待读出数据进行校验，并输出校验后的待读出数据；第二校验单元，被配置为，若待写入数据为掩码写入数据，则生成标记数据作为校验数据，并将待写入数据和校验数据一并写入目标存储单元中，若校验数据为标记数据，直接输出待读出数据
。
[0009]另外，判断模块被配置为，检测与待读出数据相对应的校验数据是否为标记数据；若校验数据为标记数据，则待读出数据为读出掩码数据；若校验数据不为标记数据，则待读出数据不为读出掩码数据，判断校验数据是否为标记数据，即可有效判断待读出数据是否为读出掩码数据
。
[0010]另外，校验模块设置的标记数据对应校验数据中的冗余指针
。
[0011]另外，校验模块对不同待写入数据设置的标记数据相同
。
[0012]另外，校验模块对不同待写入数据设置的标记数据互不相同
。
[0013]另外，检测模块被配置为，检测所属存储器的掩码焊盘是否具有有效输入数据；若所属存储器的掩码焊盘具有有效输入数据，则待写入数据为掩码写入数据；若所属存储器的掩码焊盘不具有有效输入数据，则待写入数据不为掩码写入数据，判断掩码焊盘是否具有有效输入数据输入，即可有效判断待写入数据是否为掩码写入数据
。
[0014]本公开实施例还提供了一种数据存储方法，应用于上述实施例提供的校验结构，包括：当执行数据写入操作，判断数据写入操作是否为掩码写入操作；若数据写入操作为掩码写入操作，生成标记数据作为校验数据，并将待写入数据和校验数据一并写入目标存储单元中；若数据写入操作不为掩码写入操作，基于待写入数据编码生成校验数据，并将待写入数据和校验数据一并写入目标存储单元中；当执行数据读出操作，判断数据读出操作是否为读出掩码数据；若数据读出操作为读出掩码数据，直接输出待读出数据；若数据读出操作不为读出掩码数据，基于校验数据对待读出数据进行校验，并输出校验后的待读出数据，通过对非掩码数据和掩码数据的不同校验逻辑，使得多个存储块可以共用同一校验模块进行检错纠错，从而避免功能相同的校验模块的多数量设置，以减小芯片的版图面积
。
[0015]另外，生成的标记数据采用校验数据中的冗余指针
。
[0016]另外，对于不同的待写入数据，生成的标记数据相同
。
[0017]另外，对于不同的待写入数据，生成的标记数据不同
。
[0018]另外，判断数据读出操作是否为读出掩码数据，包括：判断校验数据是否为标记数据，若校验数据为标记数据，则数据读出操作为读出掩码数据，若校验数据不为标记数据，则数据读出操作不为读出掩码数据
。
[0019]另外，判断数据写入操作是否为掩码写入操作，包括：检测存储器的掩码焊盘是否具有有效输入数据，若存储器的掩码焊盘具有有效输入数据，则数据写入操作为掩码写入操作，若存储器的掩码焊盘不具有有效输入数据，则数据写入操作不为掩码写入操作
。
[0020]本公开实施例还提供一种存储器，应用于上述实施例提供的校验结构，并采用上述实施例提供的数据存储方法进行数据传输，包括：多个存储块，且多个存储块中至少两个存储块共用同一校验结构进行检错纠错
。
[0021]另外，存储器的低比特位数据采用低位数据传输总线传输，高比特位数据采用高位数据传输总线传输，低位数据传输总线基于第一校验结构进行检错纠错，高位数据传输总线基于第二校验结构进行检错纠错
。
[0022]另外，所有存储块共用同一校验结构进行检错纠错
。
附图说明
[0023]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种校验结构，其特征在于，包括：校验模块，用于对待写入存储单元的待写入数据和从存储单元中预读出的待读出数据进行检错纠错；检测模块，被配置为，检测所述待写入数据是否为掩码写入数据；其中，若所述待写入数据不为所述掩码写入数据，则所述校验模块被配置为，基于所述待写入数据编码生成校验数据，并将所述待写入数据和所述校验数据一并写入目标存储单元中；若所述待写入数据为所述掩码写入数据，则所述校验模块被配置为，生成标记数据作为所述校验数据，并将所述待写入数据和所述校验数据一并写入目标存储单元中；判断模块，被配置为，检测所述待读出数据是否为读出掩码数据；其中，若所述待读出数据不为读出掩码数据，则所述校验模块被配置为，基于所述校验数据对所述待读出数据进行校验，并输出校验后的所述待读出数据；若所述待读出数据为读出掩码数据，则所述校验模块被配置为，直接输出所述待读出数据
。2.
根据权利要求1所述的校验结构，其特征在于，所述校验模块包括：第一校验单元，被配置为，若所述待写入数据不为所述掩码写入数据，则基于所述待写入数据编码生成校验数据，并将所述待写入数据和所述校验数据一并写入目标存储单元中，若所述校验数据不为所述标记数据，则基于所述校验数据对所述待读出数据进行校验，并输出校验后的所述待读出数据；第二校验单元，被配置为，若所述待写入数据为所述掩码写入数据，则生成标记数据作为所述校验数据，并将所述待写入数据和所述校验数据一并写入目标存储单元中，若所述校验数据为所述标记数据，直接输出所述待读出数据
。3.
根据权利要求2所述的校验结构，其特征在于，包括：所述判断模块被配置为，检测与所述待读出数据相对应的所述校验数据是否为标记数据；若所述校验数据为所述标记数据，则所述待读出数据为读出掩码数据；若所述校验数据不为所述标记数据，则所述待读出数据不为读出掩码数据
。4.
根据权利要求1所述的校验结构，其特征在于，所述校验模块设置的所述标记数据对应所述校验数据中的冗余指针
。5.
根据权利要求1或4所述的校验结构，其特征在于，所述校验模块对不同待写入数据设置的所述标记数据相同
。6.
根据权利要求1或4所述的校验结构，其特征在于，所述校验模块对不同待写入数据设置的所述标记数据互不相同
。7.
根据权利要求1所述的校验结构，其特征在于，包括：所述检测模块被配置为，检测所属存储器的掩码焊盘是否具有有效输入数据；若所属所述存储器的掩码焊盘具有所述有效输入数据，则所述待写入数据为所述掩码写入数据；若所属所述存储器的掩码焊盘不具有所述有效输入数据，则所述待写入数据不为所述掩码写入数据
。8....

【专利技术属性】
技术研发人员：张良，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：