光半导体装置和其制造方法制造方法及图纸

光半导体装置

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光半导体装置和其制造方法、固体摄像装置、以及电子设备


[0001]本专利技术涉及光半导体装置和其制造方法
、
固体摄像装置
、
以及电子设备
。

技术介绍

[0002]构成
CMOS
传感器
、CCD
传感器等图像传感器的光半导体装置被用于数字照相机
、
智能手机等，近年来，随着汽车
、
工厂的监视照相机的普及而用量增大，且逐渐愈发要求小型化
/
高精细化
。
[0003]光半导体装置例如具有使设有光接收元件的半导体基板与玻璃基板由粘接剂贴合而成的中空结构
。
具有中空结构的光半导体装置如下得到：在半导体基板上的周缘涂布环氧树脂
、
丙烯酸类树脂等液态粘接剂，设置成为封固基板的玻璃基板后加热，使液态粘接剂固化，从而得到
(
例如参照非专利文献
1)。
[0004]现有技术文献
[0005]非专利文献
[0006]非专利文献1：
21st Electronics Packaging Technology Conference,2019,p.560
‑
565

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]然而，随着近年来的光半导体装置的进一步的小型化
/
高精细化的要求，非专利文献1中记载的那样的现有的光半导体装置中，有时对拍摄特性造成影响
。
特别是入射强的光时，所拍摄的图像中产生光学噪声
(
详细地为杂光
、
重影等
)
，判定存在无法充分发挥原本的拍摄特性的课题
。
[0009]本专利技术是鉴于上述课题而作出的，其目的在于，提供：可以抑制光学噪声的产生的光半导体装置和其制造方法
、
以及具有该光半导体装置的固体摄像装置和电子设备
。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]本专利技术的光半导体装置具备：设有光接收元件的半导体基板
、
与前述半导体基板的设有前述光接收元件的面对置的透明基板
、
和粘接前述半导体基板与前述透明基板的粘接层
。
前述粘接层以包围前述光接收元件的方式设置
。
前述粘接层的折射率为
1.60
以下
。
[0012]本专利技术的一实施方式的光半导体装置中，前述透明基板的前述半导体基板侧的面与前述粘接层的内壁面所呈的角度为
90
°
以上且
130
°
以下
。
[0013]本专利技术的一实施方式的光半导体装置中，前述粘接层的高度为
15
μ
m
以上且
300
μ
m
以下
。
[0014]本专利技术的一实施方式的光半导体装置还具备设于前述半导体基板的与前述透明基板侧相反一侧的布线基板
。
[0015]本专利技术的一实施方式的光半导体装置中，在前述半导体基板上设有电极焊盘，在前述电极焊盘与前述光接收元件之间配置有前述粘接层
。
[0016]本专利技术的一实施方式的光半导体装置为芯片尺寸封装型
。
[0017]本专利技术的一实施方式的光半导体装置中，前述粘接层包含由感光性组合物的固化物构成的固化层
。
[0018]本专利技术的一实施方式的光半导体装置中，前述感光性组合物含有聚硅氧烷化合物和光聚合引发剂，前述聚硅氧烷化合物在1分子中具有阳离子聚合性基团和碱溶性基团
。
[0019]本专利技术的一实施方式的光半导体装置中，前述阳离子聚合性基团为选自由缩水甘油基
、
脂环式环氧基和氧杂环丁烷基组成的组中的1种以上
。
[0020]本专利技术的一实施方式的光半导体装置中，前述碱溶性基团为选自由下述化学式
(X1)
所示的1价有机基团
、
和下述化学式
(X2)
所示的2价有机基团组成的组中的1种以上
。
[0021][0022]本专利技术的一实施方式的光半导体装置中，前述感光性组合物还含有具有自由基聚合性基团的化合物
、
且含有光自由基聚合引发剂作为前述光聚合引发剂
[0023]本专利技术的固体摄像装置具有本专利技术的光半导体装置
。
[0024]本专利技术的电子设备具有本专利技术的固体摄像装置
。
[0025]本专利技术的光半导体装置的制造方法具备：粘接层形成工序
、
层叠工序和固化工序
。
前述粘接层形成工序中，在透明基板上形成经图案化的粘接层
。
前述层叠工序中，将形成有前述粘接层的前述透明基板与设有光接收元件的半导体基板以前述透明基板的形成有前述粘接层的面与前述半导体基板的设有前述光接收元件的面对置的方式进行层叠
。
前述固化工序中，使前述粘接层固化，将前述透明基板与前述半导体基板粘接
。
本专利技术的光半导体装置的制造方法中，前述层叠工序中，在前述光接收元件的周围配置前述粘接层
。
固化后的前述粘接层的折射率为
1.60
以下
。
[0026]本专利技术的一实施方式的光半导体装置的制造方法中，前述粘接层形成工序中，通过光刻法，以半固化状态，将由感光性组合物构成的膜图案化
。
[0027]本专利技术的一实施方式的光半导体装置的制造方法中，前述粘接层形成工序中，将由前述感光性组合物构成的前述膜隔着钠钙玻璃进行曝光后，将曝光后的前述膜进行显影
。
[0028]本专利技术的一实施方式的光半导体装置的制造方法中，前述感光性组合物含有：聚硅氧烷化合物
、
光自由基聚合引发剂和具有自由基聚合性基团的化合物，前述聚硅氧烷化合物在1分子中具有阳离子聚合性基团和碱溶性基团
。
[0029]专利技术的效果
[0030]根据本专利技术，可以提供：可以抑制光学噪声的产生的光半导体装置和其制造方法
、
以及具有该光半导体装置的固体摄像装置和电子设备
。
附图说明
[0031]图1为示出本专利技术的光半导体装置的一例的剖视图
。
[0032]图2为示出本专利技术的光半导体装置的另一例的部分放大剖视图
。
[0033]图3为示出本专利技术的光半导体装置的另一例的剖视图
。
[0034]图4为示出本专利技术的光半导体装置的另一例的部分放大剖视图
。
[0035]图5为示出本专利技术的光半导体装置的另一例的部分放大剖视图
。
[0036]图6为示出本专利技术的光半导体装置的另一例的剖视图...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种光半导体装置，其具备：设有光接收元件的半导体基板；与所述半导体基板的设有所述光接收元件的面对置的透明基板；和，粘接所述半导体基板与所述透明基板的粘接层，所述粘接层以包围所述光接收元件的方式设置，所述粘接层的折射率为
1.60
以下
。2.
根据权利要求1所述的光半导体装置，其中，所述透明基板的所述半导体基板侧的面与所述粘接层的内壁面所呈的角度为
90
°
以上且
130
°
以下
。3.
根据权利要求1或2所述的光半导体装置，其中，所述粘接层的高度为
15
μ
m
以上且
300
μ
m
以下
。4.
根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体装置，其还具备设于所述半导体基板的与所述透明基板侧相反一侧的布线基板
。5.
根据权利要求4所述的光半导体装置，其中，在所述半导体基板上设有电极焊盘，在所述电极焊盘与所述光接收元件之间配置有所述粘接层
。6.
根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体装置，其为芯片尺寸封装型
。7.
根据权利要求1～6中任一项所述的光半导体装置，其中，所述粘接层包含由感光性组合物的固化物构成的固化层
。8.
根据权利要求7所述的光半导体装置，其中，所述感光性组合物含有聚硅氧烷化合物和光聚合引发剂，所述聚硅氧烷化合物在1分子中具有阳离子聚合性基团和碱溶性基团
。9.
根据权利要求8所述的光半导体装置，其中，所述阳离子聚合性基团为选自由缩水甘油基
、
脂环式环氧基和氧杂环丁烷基组成的组中的1种以上
。10.
根据权利要求8或9所述的光半导体装置，其中，所述碱溶性基团为选自由下述化学式
(X1)
所示的1价有机基团
...

【专利技术属性】
技术研发人员：木下大希，斋藤悠太，黑田健太，
申请(专利权)人：株式会社钟化，
类型：发明
国别省市：