选择性钝化接触太阳能电池及其制备方法技术

本申请涉及一种选择性钝化接触太阳能电池及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
选择性钝化接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件


[0001]本申请涉及太阳能电池
，特别是涉及选择性钝化接触太阳能电池及其制备方法
、
光伏组件
。

技术介绍

[0002]随着光伏产业化技术的发展，各个制造环节均有技术更新，新技术
、
新工艺带来更低的成本及更优的产品性能
。
其中，钝化接触太阳能电池，可以显著降低接触区金属
‑
半导体界面的严重复合，有效提升太阳能电池效率，成为下一代具有高潜力的太阳能电池
。
但由于钝化接触结构吸光严重，限制了钝化接触结构在电池迎光面的应用，导致钝化接触太阳能电池的效率潜力未充分发挥
。
[0003]相关技术中，使用选择性钝化接触结构，能够兼顾钝化接触和光的吸收
。
然而，选择性钝化接触结构的制备工艺复杂，增加成本，制约了选择性钝化接触结构的大规模应用
。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对目前选择性钝化接触结构的制备工艺复杂和增加成本的问题，提供一种选择性钝化接触太阳能电池及其制备方法
、
光伏组件
。
[0005]第一方面，一种选择性钝化接触太阳能电池的制备方法，包括：
[0006]在硅基体的迎光面制备形成整面的超薄隧穿氧化层；
[0007]在所述超薄隧穿氧化层上制备形成整面的掺杂多晶硅层；
[0008]在所述掺杂多晶硅层上制备形成金属栅线电极；
[0009]通过含氟气体，对未覆盖金属栅线电极区域的所述掺杂多晶硅层进行化学气相刻蚀，完全去除所述未覆盖金属栅线电极区域的所述掺杂多晶硅层或者在所述未覆盖金属栅线电极区域保留超薄掺杂多晶硅层
。
[0010]在其中一个实施例中，所述在硅基体的迎光面制备形成整面的超薄隧穿氧化层之前，还包括：
[0011]对所述硅基体的迎光面进行制绒处理，在所述硅基体的迎光面形成金字塔绒面
。
[0012]在其中一个实施例中，所述超薄掺杂多晶硅层的厚度在
1nm
‑
20nm
之间
。
[0013]在其中一个实施例中，所述含氟气体中氟的体积分数在2％
‑
10
％之间；和
/
或，所述通过含氟气体，对所述未覆盖金属栅线电极区域的所述掺杂多晶硅层进行化学气相刻蚀的刻蚀时间在
1s
‑
60s
之间
。
[0014]在其中一个实施例中，所述超薄隧穿氧化层包括二氧化硅层或本征非晶硅层；和
/
或，所述掺杂多晶硅层的厚度在
5nm
‑
300nm
之间；和
/
或，所述金属栅线电极包括银电极
、
银铝电极
、
铝电极或铜电极中的一种
。
[0015]在其中一个实施例中，所述通过含氟气体，对未覆盖金属栅线电极区域的所述掺杂多晶硅层进行化学气相刻蚀之后，还包括：
[0016]采用氢氟酸进行清洗，以去除所述硅基体表面损伤
。
[0017]在其中一个实施例中，所述氢氟酸的体积分数在2％
‑
10
％之间；和
/
或，所述采用氢氟酸进行清洗的清洗时间在
1s
‑
30s
之间
。
[0018]在其中一个实施例中，所述选择性钝化接触太阳能电池的制备方法还包括：
[0019]沉积钝化减反层，所述钝化减反层同时沉积于所述金属栅线电极上及所述未覆盖金属栅线电极区域；
[0020]通过激光去除所述金属栅线电极上全部的钝化减反层，或去除所述金属栅线电极上焊盘处的钝化减反层
。
[0021]第二方面，一种选择性钝化接触太阳能电池，根据如第一方面任一项所述的选择性钝化接触太阳能电池的制备方法制备得到
。
[0022]第三方面，一种光伏组件，包括如第二方面所述的选择性钝化接触太阳能电池
。
[0023]上述选择性钝化接触太阳能电池的制备方法，通过先在硅基体的迎光面整面制备钝化接触结构和金属栅线电极，然后利用金属栅线电极作为阻挡层进行含氟气体刻蚀，利用金属栅线电极的遮挡保护作用，实现直接通过含氟气体进行选择性刻蚀，在非金属接触区去除或保留极薄的钝化接触结构，从而实现通过便捷的气相方式在电池迎光面实现选择性钝化接触结构，整体工序一步形成，设备简单，材料及工艺成本低，而且提高光利用率，提升电池转换效率，实现简化选择性钝化接触结构在电池迎光面的制备工艺及降低成本，同时保证迎光面的光学性能，有利于选择性钝化接触结构的大规模生产应用，有效解决目前选择性钝化接触结构的制备工艺复杂和增加成本的问题
。
附图说明
[0024]图1为本申请一实施例中的选择性钝化接触太阳能电池的制备方法的流程示意图
。
[0025]图2为本申请一实施例中的选择性钝化接触太阳能电池的局部结构示意图
。
[0026]附图标记：
[0027]100、
选择性钝化接触太阳能电池；
[0028]1、
硅基体；
11、
金字塔绒面；
101、
未覆盖金属栅线电极区域；
2、
超薄隧穿氧化层；
3、
掺杂多晶硅层；
4、
金属栅线电极；
5、
钝化减反层
。
具体实施方式
[0029]为使本申请的上述目的
、
特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明
。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请
。
但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制
。
[0030]此外，附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图，且可能放大或缩小不同的膜层或区域来显示于单一图式中
。
而且，为了方便理解，下文中相同的组件将以相同的符号标示来说明
。
[0031]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或
位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制
。
[0032]此外，在本申请的描述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种选择性钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在硅基体的迎光面制备形成整面的超薄隧穿氧化层；在所述超薄隧穿氧化层上制备形成整面的掺杂多晶硅层；在所述掺杂多晶硅层上制备形成金属栅线电极；通过含氟气体，对未覆盖金属栅线电极区域的所述掺杂多晶硅层进行化学气相刻蚀，完全去除所述未覆盖金属栅线电极区域的所述掺杂多晶硅层或者在所述未覆盖金属栅线电极区域保留超薄掺杂多晶硅层
。2.
根据权利要求1所述的选择性钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在硅基体的迎光面制备形成整面的超薄隧穿氧化层之前，还包括：对所述硅基体的迎光面进行制绒处理，在所述硅基体的迎光面形成金字塔绒面
。3.
根据权利要求2所述的选择性钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述超薄掺杂多晶硅层的厚度在
1nm
‑
20nm
之间
。4.
根据权利要求1所述的选择性钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述含氟气体中氟的体积分数在2％
‑
10
％之间；和
/
或，所述通过含氟气体，对所述未覆盖金属栅线电极区域的所述掺杂多晶硅层进行化学气相刻蚀的刻蚀时间在
1s
‑
60s
之间
。5.
根据权利要求1所述的选择性钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述超薄隧穿氧化层包括二氧化硅层或本征非晶硅层；和
/
或，所述掺杂多晶硅层的厚度在<...

【专利技术属性】
技术研发人员：高纪凡，王尧，刘绍阳，王子港，杨广涛，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能常州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：