【技术实现步骤摘要】
磁记录装置
[0001]本申请以日本专利申请2022
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086542(申请日:2022年5月27日)为基础,根据该申请享受优先权。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。
[0002]本专利技术的实施方式涉及磁记录装置。
技术介绍
[0003]使用磁头,向HDD(Hard Disk Drive,硬盘驱动器)等磁记录介质记录信息。在磁记录装置中,期待提高记录密度。
技术实现思路
[0004]本专利技术的实施方式提供能够提高记录密度的磁记录装置。
[0005]用于解决问题的技术方案
[0006]根据实施方式,磁记录装置包括磁头和控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件、与所述磁元件的一端电连接的第1端子、与所述磁元件的另一端电连接的第2端子、和线圈。所述控制部与所述磁元件和所述线圈电连接。所述控制部能够进行记录动作。在所述记录动作中,所述控制部在所述第1端子与所述第2端子之间施加元件电压的同时向所述线圈供给记录电流。在所述记录电流被供给到所述线圈的同时使施加于所述第1端子与所述第2端子之间的施加电压变化时的所述磁元件的微分电阻在所述施加电压为第1电压时成为第1微分电阻峰(peak)。所述微分电阻在所述施加电压为第2电压时成为第2微分电阻峰。所述第2电压高于所述第1电压。所述元件电压高于所述第1电压且小于所述第2电压。
[0007]根据上述构成的磁记录装置,能够提供能提高记录密度的磁记录装置。
附图说明
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁记录装置,具备磁头和控制部,所述磁头包括:第1磁极;第2磁极;设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件;与所述磁元件的一端电连接的第1端子;与所述磁元件的另一端电连接的第2端子;和线圈,所述控制部与所述磁元件和所述线圈电连接,所述控制部能够进行记录动作,在所述记录动作中,所述控制部在所述第1端子与所述第2端子之间施加元件电压的同时向所述线圈供给记录电流,在所述记录电流被供给到所述线圈的同时使施加于所述第1端子与所述第2端子之间的施加电压变化时的所述磁元件的微分电阻在所述施加电压为第1电压时成为第1微分电阻峰,所述微分电阻在所述施加电压为第2电压时成为第2微分电阻峰,所述第2电压高于所述第1电压,所述元件电压高于所述第1电压且小于所述第2电压。2.根据权利要求1所述的磁记录装置,在所述记录动作中从所述磁元件产生交变磁场,在所述施加电压高于所述第1电压且低于所述第2电压时从所述磁元件产生所述交变磁场,在所述施加电压低于所述第1电压时不从所述磁元件产生所述交变磁场。3.根据权利要求1所述的磁记录装置,在所述记录动作中从所述磁元件产生交变磁场,在所述记录动作中,从所述第1磁极向所述第2磁极的方向的元件电流流通于所述磁元件,在所述记录电流被供给到所述线圈的同时,从所述第2磁极向所述第1磁极的方向的电流流通于所述磁元件时,不从所述磁元件产生所述交变磁场。4.根据权利要求1所述的磁记录装置,在所述记录电流被供给到所述线圈的同时施加于所述第1端子与所述第2端子之间的所述施加电压高于所述第2电压时,从所述磁元件获得的信号的频率成分包含第1频率的第1频率峰和高于所述第1频率的第2频率的第2频率峰,在所述记录电流被供给到所述线圈的同时施加于所述第1端子与所述第2端子之间的所述施加电压为所述元件电压时,所述频率成分包含所述第1频率峰而不包含所述第2频率峰,或者所述第2频率峰的高度相对于所述第1频率峰的高度之比在0.1以下。5.一种磁记录装置,具备磁头和控制部,所述磁头包括:第1磁极;第2磁极;
设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件;与所述磁元件的一端电连接的第1端子;与所述磁元件的另一端电连接的第2端子;和线圈,所述控制部与所述磁元件和所述线圈电连接,所述控制部能够进行记录动作,在所述记录动作中,所述控制部在所述第1端子与所述第2端子之间施加元件电压的同时向所述线圈供给记录电流,在所述记录电流被供给到所述线圈的同时施加于所述第1端子与所述第2端子之间的施加电压高于第1施加电压时,从所述磁元件获得的信号的频率成分包含第1频率的第1频率峰和高于所述第1频率的第2频率的第2频率峰,在所述记录电流被供给到所述线圈的同时施加于所述第1端子与所述第2端子之间的所述施加电压为所述元件电压时,所述频率成分包含所述第1频率峰而不包含所述第2频率峰,或者所述第2频率峰的高度相对于所述第1频率峰的高度之比在0.1以下。6.一种磁记录装置,具备磁头和控制部,所述磁头包括:第1磁极;第2磁极;设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件;与所述磁元件的一端电连接的第1端子;与所述磁元件的另一端电连接的第2端子;和线圈,所述控制部与所述磁元件和所述线圈电连接,所述控制部能够进行记录动作,在所述记录动作中,所述控制部在所述第1端子与所述第2端子之间施加元件电...
【专利技术属性】
技术研发人员:中川裕治,成田直幸,高岸雅幸,前田知幸,
申请(专利权)人:东芝电子元件及存储装置株式会社,
类型:发明
国别省市:
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