【技术实现步骤摘要】
一种带温补开环电桥平衡结构的高精度压力传感器
[0001]本专利技术涉及
MEMS
压力传感器
,具体为一种带温补开环电桥平衡结构的高精度压力传感器
。
技术介绍
[0002]惠斯通电桥是一种检测电路,虽然它的结构简单,但它的准确度和灵敏度都比较高,在科学测量和检测仪器中有广泛的应用
。
[0003]在
MEMS
压力传感器中通常会采用惠斯通电桥结构来测量压力值,如图1所示,中国专利技术专利申请号为
202210853844.5
公布了一种适用于
MEMS
压力传感器的带温补电桥平衡结构,其通过并联在第四压敏电阻
R4
两端的第一调零电阻
Ro
‑
,或者并联在第一压敏电阻
R1
两端的第二调零电阻
Ro+
的调节实现平衡状态,最终完成零点以及满量程的调节
。
由于该专利产品先测量零点输出之后才可以根据输出结果添加相应量程的零点补偿电阻如第一调零电阻
Ro
‑
或第二调零电阻
Ro+
然而由于第一压敏电阻
Ro
‑
或第二调零电阻
Ro+
是并联连入电路中,则导致所添加的第一调零电阻
Ro
‑
或第二调零电阻
Ro+
的电阻范围较大,挡位较多,工艺操作复杂
。
因为根据惠斯通电桥的平衡状态条件为
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种带温补开环电桥平衡结构的高精度压力传感器,其包括由第一压敏电阻
R1、
第二压敏电阻
R2、
第三压敏电阻
R3、
第四压敏电阻
R4
构成的惠斯通电桥,所述第一压敏电阻
R1、
第二压敏电阻
R2
串联形成第一串联电路,所述第三压敏电阻
R3、
第四压敏电阻
R4
串联形成第二串联电路,所述第一串联电路和所述第二串联电路并联且一端连接电源电压
VCC、
另一端连接地
GND
,所述第一压敏电阻
R1
与第二压敏电阻
R2
之间的节点和第三压敏电阻
R3
与第四压敏电阻
R4
之间的节点用来输出电压,其特征在于:所述第二压敏电阻
R2
与第三压敏电阻
R3
之间设有调零电阻
R5、
且所述调零电阻
R5
的两端分别连接地
GND
;当调零电压大于0时,则将所述第三压敏电阻
R3
与所述调零电阻
R5
相连的节点与地
GND
之间的线路切断,使得所述调零电阻
R5
与所述第三压敏电阻
R3
串联,通过激光修调所述调零电阻
R5
的阻值从而使得所述调零电压为0;当调零电压小于0时,则将所述第二压敏电阻
R2
与所述调零电阻
R5
相连的节点与地
GND
之间的线路切断,使得所述调零电阻
R5
与所述第二压敏电阻
R2
串联,通过激光修调所述调零电阻
R5
的阻值从而使得所述调零...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙爱鑫,李超,陆小红,刘同庆,柳雪,
申请(专利权)人:无锡芯感智半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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